第二章半导体三极管 单项选择填空，答案序号与题中括号内序号相同。 1.当品体管工作在政大区时，发射结电压和集电结电压应为()。 A发射结正偏、集电结反偏 B发射结反偏、集电结正偏 C发射结正偏、集电结正偏 25=0时，不能够工作在恒流区的场效应管是(》。 A结型管 且增强型6管 C拒尽型6管 3工作在故大区的某三极管，如果当B从12单A增大到22uA时，1C从I1变为 2,那么它的吊钓为()。N结外加正向电压时。扩散电移 A83于，变窄 B91小于，变宽 C100小于，变窄 L当场效应管的漏极直流电流D从2A变为4时，它的低颜跨导四将() 人增大通 且不变 C减小 反用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个品体管的类型（指PW型还是PP型） 与三个电极时。以测出()最为方便。 A各极间电阻 B各极对地电位 C各极电流 6品体管放大电溶中，测得品体管各个电极的电位如图2-1所示，则该品体管()。 A为P%型硅管，①是e极、②是e极、①是b极 B为P型储管，①是G极、②是e极、@是b极 C为PW数结管，①是e极、②是c极、国是b极 D.为P型储管，①是e极、②是c极、团是b极
第二章 半导体三极管 单项选择填空，答案序号与题中括号内序号相同。 1. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。 A. 发射结正偏、集电结反偏 B. 发射结反偏、集电结正偏 C. 发射结正偏、集电结正偏 2. uGS = 0 时，不能够工作在恒流区的场效应管是（）。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 3. 工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12μA 增大到 22μA 时，IC 从 1 mA 变为 2mA，那么它的β约为（）。N 结外加正向电压时，扩散电移 A. 83 于，变窄 B. 91 小于，变宽 C. 100 小于，变窄 4.当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2 mA 变为 4mA 时，它的低频跨导 gm 将（） A. 增大通 B. 不变 C. 减小 5.用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指 NPN 型还是 PNP 型） 与三个电极时，以测出（）最为方便。 A. 各极间电阻 B. 各极对地电位 C. 各极电流 6.晶体管放大电路中，测得晶体管各个电极的电位如图 2-1 所示，则该晶体管（）。 A. 为 NPN 型硅管，①是 c 极、②是 e 极、③是 b 极 B. 为 PNP 型锗管，①是 c 极、②是 e 极、③是 b 极 C. 为 NPN 型锗管，①是 e 极、②是 c 极、③是 b 极 D. 为 PNP 型锗管，①是 e 极、②是 c 极、③是 b 极
图2-1 ① =47=12节-1.47 7.某故大电路中，品体管三个电极的电流如图2-2所示。已量出11·-1.21,12■ 0.03a4,13.1.23a4,由此可知(). 若电源电压由5N增大到1所，则电流I约为()。 A①是c极、②是b极，国是e极，为WP型管 B①是e极、②是b极、③是c极，为PNP型管A C①是c极，②是b极、③是e极，为P%型管 D①是e极、②是b极，③是c极，为Pw型管 图2-2 &用万用表直流电压档测得电路中品体管3X1Ab、C,●三个电极的电位分别为0.1V, 6N、0,W,则品体管处于()工作状态。 A饱和 B战大 C截止 D已损坏 9在放大电路中。场效应管应工作在输出特性的哪个区域？() 人可变电阻区 B载止区 C饱和区 D击穿区 10.三极管反向击穿电压U(跟)C⑩，U(服)0，U(服)B0三者之间的关系应
图 2-1 7.某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图 2-2 所示。已量出 I1 = -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 = 1.23mA，由此可知（）。 a.若电源电压由 5V 增大到 10V，则电流 I 约为（ ）。 A.①是 c 极、②是 b 极、③是 e 极，为 PNP 型管 B.①是 e 极、②是 b 极、③是 c 极，为 PNP 型管 A C.①是 c 极、②是 b 极、③是 e 极，为 NPN 型管 D.①是 e 极、②是 b 极、③是 c 极，为 NPN 型管 图 2-2 8.用万用表直流电压档测得电路中晶体管 3BX1A b、c、e 三个电极的电位分别为 0.1V、 6V、-0.2V，则晶体管处于（）工作状态。 A. 饱和 B. 放大 C. 截止 D. 已损坏 9.在放大电路中，场效应管应工作在输出特性的哪个区域？（） A. 可变电阻区 B. 截止区 C. 饱和区 D. 击穿区 10.三极管反向击穿电压 U（BR）CEO 、U（BR）CBO 、U（BR）EBO 三者之间的关系应
为(。 A.U (BR)CEO >U (BR)CBO >U (BR)EBO B.U (BR)CBO >U (BR)EBO >U (BR)CEO C.U (BR)CBO >U (BR)CEO >U (BR)EBO D.U (BR)EBO >U (BR)CEO >U (BR)CBO 11.某场效应管的转移特性曲线如图2-3所示，由此知该管为(。 A.N沟道耗尽型绝缘桐场效应管 R。N沟道增强型绝缘栅场效应管 C.P沟道增强型绝缘场效应管 D.P沟道耗尽型绝缕提场效应管 图2-3 2 Uo:( 12.某场效应管的输出特性曲线如图2-4所示，由此知该管为()。 A.N沟道耗尽型wS管 B.N沟道结型场效应管 C.P沟道增强型S管 .P沟道耗尽型MS管 图2-4 J(mh) -1 -3V -4V -5v 13,已知品体管的电流放大系数0 =0.98,1C=1mA,忽略ICB0,则B约为() A.10uA
为（）。 A. U（BR）CEO >U（BR）CBO >U（BR）EBO B. U（BR）CBO >U（BR）EBO >U（BR）CEO C. U（BR）CBO >U（BR）CEO >U（BR）EBO D. U（BR）EBO >U（BR）CEO >U（BR）CBO 11.某场效应管的转移特性曲线如图 2-3 所示，由此知该管为（）。 A. N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管 B. N 沟道增强型绝缘栅场效应管 C. P 沟道增强型绝缘栅场效应管 D. P 沟道耗尽型绝缘栅场效应管 图 2-3 12.某场效应管的输出特性曲线如图 2-4 所示，由此知该管为（）。 A. N 沟道耗尽型 MOS 管 B. N 沟道结型场效应管 C. P 沟道增强型 MOS 管 D. P 沟道耗尽型 MOS 管 图 2-4 13.已知晶体管的电流放大系数α = 0.98，IC = 1mA，忽略 ICBO ，则 IB 约为（） A. 10μA
B.20A C.1000A D.980A 14.已知场效应管的IDSS=5,UGS(off)=-4,则UGS=-2y时的m约为()， A.InS B.1.25S C.1.5n5 n.1.65S
B. 20μA C. 1000μA D. 980μA 14.已知场效应管的 IDSS = 5mA，UGS（off） = -4V,则 UGS = -2V 时的 gm 约为（）。 A. 1mS B. 1.25mS C. 1.5mS D. 1.65mS