模拟电子技术实验指导书 附录 模拟电子技术基本元器件介绍 、电阻器 电阻器是电子电器设备中用得最多的基本元件之一。它的种类繁多,形状各异, 功率也各有不同,在电路中用来控制电流、分配电压。 1电阻器的种类 按电阻器的结构形式分类:可分为固定电阻器和可调电阻器两大类 ①固定电阻器:固定电阻器的电阻值是固定不变的,阻值大小就是它的标称阻值 ②可调电阻器:可调电阻器主要指滑动电阻器、电位器,它们的阻值可以在小于标 称值的范围内变化 按电阻器的材料的不同分类:可分为碳质电阻器、膜式电阻器和绕线电阻器三大类 常见的膜式电阻由碳膜电阻和金属膜电阻等组成 2.电阻的主要参数 电阻的主要参数有:标称阻值、阻值误差、额定功率、最高工作温度、最高工作电 压、静噪声电动势、温度特性、高频特性等。一般情况仅考虑前三项,后几项参数只在 特殊需要时才考虑 (1)标称阻值 电阻的标称阻值是按国家规定的阻值系列标注的,如表3-1-1所示。因此选用时 必须按国家规定的阻值范围去选用。使用时将表中的标称值乘以10(n为整数)就可得到 系列阻值。例如:表3-1-1中电阻标称值为1.5的就有1.59、159、1509、1.5k9等 表3-1-1电阻的标称阻值系列 值系列允许误差偏差等级 电阻标称值 101.112 E12 3.9 E6±20%m 标称阻值的表示方法有直标法、文字符号法、色标法。 ①直标法:就是在电阻的表面直接用数字和单位符号标出产品的标称阻值,其允许 误差直接用百分数表示,如图3-1-1所示。它的优点是直观,一目了然。但体积小的电 阻则无法这样标注。 ②文字符号法:在电阻的表面用文字、数字有规律地组合来表示阻值。阻值的符号 和阻值精度的描述都有一定的规则。例:图3-1-2(a)所示电阻为:47kQ、I级精度:图
模拟电子技术实验指导书 附录一 模拟电子技术基本元器件介绍 一、电阻器 电阻器是电子电器设备中用得最多的基本元件之一。它的种类繁多，形状各异， 功率也各有不同，在电路中用来控制电流、分配电压。 1.电阻器的种类 按电阻器的结构形式分类:可分为固定电阻器和可调电阻器两大类。 ①固定电阻器:固定电阻器的电阻值是固定不变的，阻值大小就是它的标称阻值。 ②可调电阻器:可调电阻器主要指滑动电阻器、电位器，它们的阻值可以在小于标 称值的范围内变化。 按电阻器的材料的不同分类:可分为碳质电阻器、膜式电阻器和绕线电阻器三大类。 常见的膜式电阻由碳膜电阻和金属膜电阻等组成。 2.电阻的主要参数 电阻的主要参数有:标称阻值、阻值误差、额定功率、最高工作温度、最高工作电 压、静噪声电动势、温度特性、高频特性等。一般情况仅考虑前三项，后几项参数只在 特殊需要时才考虑。 (1)标称阻值 电阻的标称阻值是按国家规定的阻值系列标注的，如表3-1-1所示。因此选用时， 必须按国家规定的阻值范围去选用。使用时将表中的标称值乘以1On (n为整数)就可得到 一系列阻值。例如:表3-1-1中电阻标称值为1.5的就有1.5Ω、15Ω、150Ω、1.5kΩ等。 表 3-1-1 电阻的标称阻值系列 标称阻值的表示方法有直标法、文字符号法、色标法。 ①直标法:就是在电阻的表面直接用数字和单位符号标出产品的标称阻值，其允许 误差直接用百分数表示，如图3-1-1所示。它的优点是直观，一目了然。但体积小的电 阻则无法这样标注。 ②文字符号法:在电阻的表面用文字、数字有规律地组合来表示阻值。阻值的符号 和阻值精度的描述都有一定的规则。例:图3-1-2(a)所示电阻为:47kΩ、I级精度:图 阻值系列 允许误差 偏差等级 电阻标称值 1.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 E24 ± 5% I 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 E12 ± 10% II 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 1.0 1.5 2.2 E6 ± 20% III 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2
附录二模拟电子技术基本元器件介绍 3-1-2(b)所示电阻为:3Mg、Ⅱ级精度。 -H3M H 阳值及允许误第 图3-1-1电阻的直标法 图3-1-2电阻的文字符号法 阻值符号规定如下欧姆(10欧姆)用Ω表示:千欧(103欧姆)用k表示:兆欧(10欧姆) 用M表示:千兆欧(10°欧姆)用G表示:兆兆欧(102欧姆)用T表示。 例:0.19可标志为90.1,而19可标志为19,1kΩ标志为lk,3.3K9可标志为3k3 1000兆欧标志为1G等。 精度符号规定如下:普通电阻的误差一般分为三级,即土5%、±10%、±20%,分 别用I、I、Ⅲ符号表 ③色标法:用不同色环标明阻值及误差,具有标志淸晰、从各个角度都容易看淸标 志的优点。 普通电阻用4条色环表示电阻及误差其中3条表示阻值,1条表示误差详见图3-1-3 及表3-1-2。 图3-1-3普通电阻色环表示说明 例:电阻器上的色环依次为:棕、红、黑、银,这表示该电阻器为129±10%的电阻 器;如果是红、黄、红、金,这表示该电阻器为24K9±5%的电阻器 3-1-2四色环电阻颜色标记 颜色医黑麟红[黄绿蓝[紫灰自 银无色 有效数值0 允许误差 +50%~-20%±5%±10%土20% 精密电阻用五条色环表示标称阻值和允许误 差,如图3-1-4及表3-1-3所 意电阻的标称 数)龚 值的单位是欧姆(Ω) 例:电阻器上的五色环依次为:棕、蓝、绿、 黑、棕,则表示该电阻器为1659±1%的电阻器 图3-1-4精密电阻五条色环表示说明
附录一 模拟电子技术基本元器件介绍 3-1-2(b)所示电阻为:3MΩ、II级精度。 （a） （b） 图3-1-1电阻的直标法 图3-1-2 电阻的文字符号法 阻值符号规定如下:欧姆(100 欧姆)用Ω表示:千欧(103 欧姆)用k表示:兆欧(106 欧姆) 用M表示:千兆欧(109 欧姆)用G表示:兆兆欧(1012欧姆)用T表示。 例:0.1Ω可标志为Ω0.1，而1Ω可标志为1Ω，1kΩ标志为1k，3.3KΩ可标志为3k3， 1000兆欧标志为1G等。 精度符号规定如下:普通电阻的误差一般分为三级，即土5%、±10%、±20%，分 别用I、II、III符号表示。 ③色标法:用不同色环标明阻值及误差，具有标志清晰、从各个角度都容易看清标 志的优点。 普通电阻用4条色环表示电阻及误差，其中3条表示阻值，1条表示误差，详见图3-1-3 及表3-1-2。 图3-1-3普通电阻色环表示说明 例:电阻器上的色环依次为:棕、红、黑、银，这表示该电阻器为12Ω±10%的电阻 器;如果是红、黄、红、金，这表示该电阻器为2.4KΩ±5%的电阻器。 表3-1-2 四色环电阻颜色标记 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 无色 有效数值 O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 倍率 100 101 102 103 l04 105 106 107 108 109 允许误差 +50%～-20% ±5% ±10% 土20% 精密电阻用五条色环表示标称阻值和允许误 差，如图3-1-4及表3-1-3所示。注意电阻的标称 值的单位是欧姆(Ω)。 例:电阻器上的五色环依次为:棕、蓝、绿、 黑、棕，则表示该电阻器为165Ω±1%的电阻器。 图3-1-4精密电阻五条色环表示说明
模拟电子技术实验指导书 表3-1-3五色环电阻颜色标记 颜色黑棕红「橙」 绿蓝紫‖灰白金|银 2 6 78 02103104105 士1%|士2% ±.5%士25%±.1% (2)电阻阻值误差 电阻器的实际阻值并不完全与标称阻值相符,存在着误差。普通电阻的误差一般分 为三级,即±5%、±10%、士20%,或用I、Ⅱ、Ⅲ表示。误差越小,表明电阻的精度越 高。电阻器的误差选择,在一般电路中选用土10%、士20%的即可 (3)电阻额定功率 电阻接入电路后,通过电流时便会发热,当温度过高将会烧毁电阻。所以不但要选 择电阻阻值,还要正确选择电阻额定功率 在电路图中,通常不加功率标注的电阻均为1/8W的。如果电路对电阻的功率值有 特殊要求,就按图3-1-5所示的符号标注,或用文字说明。 电阻器的额定功率选择,一般不能过大,也不能过小。过大势必增大电阻的体积 过小则会烧毁电阳一般情况下所选用的电阻值应使额定功率大于实际消耗功率的两倍 左右,以确保电阻器的可靠性。 般表示 0.5W 注:大于1W用数字表示 图3-1-5电阻功率标注 二、电位器 电位器为可变电阻器,它的阻值可以在某一范围内变化。按其结构的不同可分为单 圈、多圈电位器:单联、双联电位器:带开关和不带开关电位器:锁紧型和非锁紧型电位 器。按调节方式又可分为旋转式电位器和直滑式电位器 1.电位器型号的识别 在电位器的外壳上用字母标志着它的型号,其中类别符号的意义如表3-1-4所示 表3-1-4电位器名称的标志符号 电位器的类别 标志符号 合成碳膜电位器 有机实芯电位器 玻璃轴电位器
模拟电子技术实验指导书 表 3-1-3五色环电阻颜色标记 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 有效 数值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 倍率 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 10-1 10-2 允许 误差 士1% 士2% ±.5% 士.25% ±.1% (2)电阻阻值误差 电阻器的实际阻值并不完全与标称阻值相符，存在着误差。普通电阻的误差一般分 为三级，即±5%、±10%、士20%，或用I、II、III表示。误差越小，表明电阻的精度越 高。电阻器的误差选择，在一般电路中选用土10%、士20%的即可。 (3)电阻额定功率 电阻接入电路后，通过电流时便会发热，当温度过高将会烧毁电阻。所以不但要选 择电阻阻值，还要正确选择电阻额定功率。 在电路图中，通常不加功率标注的电阻均为1/8W的。如果电路对电阻的功率值有 特殊要求，就按图3-1-5所示的符号标注，或用文字说明。 电阻器的额定功率选择，一般不能过大，也不能过小。过大势必增大电阻的体积， 过小则会烧毁电阻。一般情况下所选用的电阻值应使额定功率大于实际消耗功率的两倍 左右，以确保电阻器的可靠性。 图3-1-5电阻功率标注 二、电位器 电位器为可变电阻器，它的阻值可以在某一范围内变化。按其结构的不同可分为单 圈、多圈电位器:单联、双联电位器:带开关和不带开关电位器:锁紧型和非锁紧型电位 器。按调节方式又可分为旋转式电位器和直滑式电位器。 1.电位器型号的识别 在电位器的外壳上用字母标志着它的型号，其中类别符号的意义如表3-1-4所示。 表3-1-4 电位器名称的标志符号 电位器的类别 标志符号 碳膜电位器 WT 合成碳膜电位器 WTH(WH) 线绕电位器 WX 有机实芯电位器 WS 玻璃轴电位器 WI
附录二模拟电子技术基本元器件介绍 2.电位器使用 实验中常用的碳膜电位器外形如图3-1-6所示,电位器有三个接线端子。其中1、3 脚为电阻固定端(两端阻值为标称值),2端为电阻可调端。当一端取固定端,另一端取 可调端时,通过旋转转轴能使两端电阻值在标称值与最小值之间变化。电位器的金属外 壳引出接地焊片,用于屏蔽外界干扰。 电位器可用做可调电阻器,常用的连接方法如图3-1-7(a)所示。将活动端2与固定 端的任意一个(1或3)短接(这是为了防止可调端的活动触点接触不良导致电路断路)。 电位器可用做分压器,如图3-1-7(b)所示电路,当旋转电位器转轴,在可调端2 上可得到电压U1为+5~-5V之间任意电压值。 接地焊片 (a)可调电阻器(b)分压器 图3-1-6电位器外形图 图3-1-7电位器符号及连接方法 电容器 电容器简称电容,它是由两个金属极,中间夹有绝缘材料(绝缘介质)构成的,由于 绝缘材料不同,所以构成的电容器的种类也不同。 电容在电路中具有隔断直流电,通过交流电的特点。因此常用于级间祸合、滤波、 去耦、旁路及信号调谐等方面。 1.电容器的种类 电容器按结构可分为:固定电容器、可调电容器、半可调电容器。按介质材料的不 同又可分为:气体介质电容、液体介质电容、无机固体电容。其中无机固体电容最常见, 如云母电容,陶瓷电容,电解电容。 电容器按极性可分为:有极性电容和无极性电容。常见的电解电容是有极性的电 容,接入电路时要分清极性,正极接高电位,负极接低电位。极性接反将使电容器的漏 电流剧增,最后损坏电容器。 在电路中,常见的不同种类的电容的符号如图3-1-8所示 (a)固定电容器()可调电容器c)电解电容器d)半可调电容器 图3-1-8电容器符号
附录一 模拟电子技术基本元器件介绍 2.电位器使用 实验中常用的碳膜电位器外形如图3-1-6所示，电位器有三个接线端子。其中1、3 脚为电阻固定端(两端阻值为标称值)，2端为电阻可调端。当一端取固定端，另一端取 可调端时，通过旋转转轴能使两端电阻值在标称值与最小值之间变化。电位器的金属外 壳引出接地焊片，用于屏蔽外界干扰。 电位器可用做可调电阻器，常用的连接方法如图3-1-7(a)所示。将活动端2与固定 端的任意一个(1或3)短接(这是为了防止可调端的活动触点接触不良导致电路断路)。 电位器可用做分压器，如图3-1-7 (b)所示电路，当旋转电位器转轴，在可调端2 上可得到电压Ui为+5～-5V之间任意电压值。 （ (a)可调电阻器 (b)分压器 图3-1-6电位器外形图 图3-1-7电位器符号及连接方法 三、电容器 电容器简称电容，它是由两个金属极，中间夹有绝缘材料(绝缘介质)构成的，由于 绝缘材料不同，所以构成的电容器的种类也不同。 电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的特点。因此常用于级间祸合、滤波、 去耦、旁路及信号调谐等方面。 1.电容器的种类 电容器按结构可分为:固定电容器、可调电容器、半可调电容器。按介质材料的不 同又可分为:气体介质电容、液体介质电容、无机固体电容。其中无机固体电容最常见， 如云母电容，陶瓷电容，电解电容。 电容器按极性可分为:有极性电容和无极性电容。常见的电解电容是有极性的电 容，接入电路时要分清极性，正极接高电位，负极接低电位。极性接反将使电容器的漏 电流剧增，最后损坏电容器。 在电路中，常见的不同种类的电容的符号如图3-1-8所示。 图3-1-8电容器符号
模拟电子技术实验指导书 2.电容的主要参数 (1)标称容量电容的容量是指电容两端加上电压后它能储存电荷的能力。储存电荷 越多,电容量越大:反之,电容量越小。标在电容外部上的电容量数值称电容的标称容 量。电容量的单位有:法拉(F)、毫法(mF)、微法(μF)、毫微法(nF)、微微法(pF) 它们之间的换算关系是 1F=10°mF=10°uF=10nF=102pF (2)额定耐压值 电容器的耐压是表示电容接入电路后,能连续可靠地工作,不被击穿时所能承受的 最大直流电压。使用时绝对不允许超过这个电压值,否则电容就要损坏或被击穿。一般 选择电容额定电压应高于实际工作电压的10%~20%。如果电容用于交流电路中,其最 大值不能超过额定的直流工作电压。 (3)允许误差 电容的容量误差一般分为三级,即:±5%、士10%、±20%,或写成I级、I级、Ⅲl 级。有的电解电容的容量误差可能大于20 3.容量标注方法 电容的容量标注方法通常有三种 (1)直接标注法 在电容表面直接标注容量值。例:3μ3表示33uF:5n9表示5900pF:还有不标单位的 情况,当用1~4位数字表示时,容量单位为微微法(pF):当用零点零几或零点几数字表 示时,单位为微法(μF)。例:300表示300pF:0.056表示0056μF (2)数码表示法 般用三位数表示电容容量大小。前面两位数字为容量有效值,第三位表示有效数 字后面零的个数,单位是微微法(pF)。例:102表示1000pF:221表示220pF:104表示 l0000p⑩0.1μF)。在这种表示方法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用“9”表 示时,表示有效值乘上101,例:229表示22×10-=2.2pF。 3)色码表示法 电容器的色标法原则上与电阻器色标法相同,颜色符号代表的意义可参见表3-1-1 中电阻色码表示法。其单位用微微法(pF)。 4.电容器好坏的简单测试方法 利用指针万用表的欧姆挡就可以简单地测量岀电解电容的好坏及粗略辨别其漏 电、容量衰减的情况。具体方法如下: 选用“R×lk”挡或“R×100”挡,将黑表笔接电解电容的正极,红表笔接电解电 容的负极,若表针摆动不大,且返回慢,返回位置接近无穷大(∞),说明该电容容量较 大并正常:若表针摆动大,且返回时,表针显示的阻值较小,说明该电容漏电电流较大
模拟电子技术实验指导书 2.电容的主要参数 (1)标称容量电容的容量是指电容两端加上电压后它能储存电荷的能力。储存电荷 越多，电容量越大:反之，电容量越小。标在电容外部上的电容量数值称电容的标称容 量。电容量的单位有:法拉(F)、毫法(mF)、微法(μF)、毫微法(nF)、微微法(pF)。 它们之间的换算关系是: 1F=103 mF=106 μF=109 nF=1012pF (2)额定耐压值 电容器的耐压是表示电容接入电路后，能连续可靠地工作，不被击穿时所能承受的 最大直流电压。使用时绝对不允许超过这个电压值，否则电容就要损坏或被击穿。一般 选择电容额定电压应高于实际工作电压的10%～20%。如果电容用于交流电路中，其最 大值不能超过额定的直流工作电压。 (3)允许误差 电容的容量误差一般分为三级，即:±5%、±10%、±20%，或写成I级、II级、III 级。有的电解电容的容量误差可能大于20%。 3.容量标注方法 电容的容量标注方法通常有三种: (1)直接标注法 在电容表面直接标注容量值。例:3μ3表示33μF:5n9表示5900pF:还有不标单位的 情况，当用1～4位数字表示时，容量单位为微微法(pF):当用零点零几或零点几数字表 示时，单位为微法(μF)。例:3300表示3300pF:0.056表示0.056μF。 (2)数码表示法 一般用三位数表示电容容量大小。前面两位数字为容量有效值，第三位表示有效数 字后面零的个数，单位是微微法(pF)。例:102表示1000pF:221表示220pF:104表示 100000pF(0.1μF)。在这种表示方法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用 “9”表 示时，表示有效值乘上10-1 ，例:229表示22×10-l =2.2pF。 (3)色码表示法 电容器的色标法原则上与电阻器色标法相同，颜色符号代表的意义可参见表3-1-1 中电阻色码表示法。其单位用微微法(pF)。 4.电容器好坏的简单测试方法 利用指针万用表的欧姆挡就可以简单地测量出电解电容的好坏及粗略辨别其漏 电、容量衰减的情况。具体方法如下: 选用“R×1k”挡或“R×100”挡，将黑表笔接电解电容的正极，红表笔接电解电 容的负极，若表针摆动不大，且返回慢，返回位置接近无穷大(∞)，说明该电容容量较 大并正常:若表针摆动大，且返回时，表针显示的阻值较小，说明该电容漏电电流较大:
附录二模拟电子技术基本元器件介绍 若表针摆动很大,接近于0Ω,且不返回,说明该电容器己击穿:若表针不摆动,则说明 该电容器己开路,失效。如果需要对电容器再一次测量时,必须将其放电后方能进行, 放电方法:可在电容两端并上一个电阻,大容量的电容选用大些阻值的电阻。 如果要求更精确测量电容器的容量,可以用数字万用表或交流电桥来测量。 四、晶体二极管和三极管 晶体二极管和三极管为半导体器件,内部由PN结构成。国产半导体器件型号命名方 法见图3-1-9所示,型号由五部分组成。型号组成部分的符号及其意义见表3-1-5所示。 第一部分 第五部分 用字母表示区别代号 用数字表示序 用拼音字母表示器件的类型 用拼音字母表示器件的材料和极性 用数字表示器件电极数H 图3-1-9国产半导体器件型号命名方法(国标GB249-4) 例:如图3-1-10所示,晶体管3DG6C的前三位的符号标志为:硅NPN型高频小功率 三极管。后面两位符号为此系列的细分种类,详细参数可查半导体手册。 三极曾 高小功率管 区别代号 图3-1-10 1.晶体二极管 (1)晶体二极管的种类 晶体二极管按其组成的材料分可为:错二极管、硅二极管、石申化嫁二极管(发光二 极管)。而按用途分可为:整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、检波二 极管、变容二极管等 (2)晶体二极管的主要参数 常用的整流二极管的参数有 最大整流电流。它是二极管在正常连续工作时,能通过的最大正向电流值。最高反 向工作电压。它是二极管在正常工作时,所能承受的最高反向电压值。它是击穿电压值 的一半 最大反向电流。它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反 映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二极管质量越好 最高工作频率。它是二极管在正常情况下的最高工作频率。如果通过二极管电流的 频率大于此值,二极管将不能起到它应有的作用。 表3-1-5半导体器件型号字母的意义
附录一 模拟电子技术基本元器件介绍 若表针摆动很大，接近于0Ω，且不返回，说明该电容器己击穿:若表针不摆动，则说明 该电容器己开路，失效。如果需要对电容器再一次测量时，必须将其放电后方能进行， 放电方法:可在电容两端并上一个电阻，大容量的电容选用大些阻值的电阻。 如果要求更精确测量电容器的容量，可以用数字万用表或交流电桥来测量。 四、晶体二极管和三极管 晶体二极管和三极管为半导体器件，内部由PN结构成。国产半导体器件型号命名方 法见图3-1-9所示，型号由五部分组成。型号组成部分的符号及其意义见表3-1-5所示。 图3-1-9国产半导体器件型号命名方法(国标GB249－4) 例:如图3-1-10所示，晶体管3DG6C的前三位的符号标志为:硅NPN型高频小功率 三极管。后面两位符号为此系列的细分种类，详细参数可查半导体手册。 图3-1-10 1.晶体二极管 (1)晶体二极管的种类 晶体二极管按其组成的材料分可为:错二极管、硅二极管、石申化嫁二极管(发光二 极管)。而按用途分可为:整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、检波二 极管、变容二极管等。 (2)晶体二极管的主要参数 常用的整流二极管的参数有: 最大整流电流。它是二极管在正常连续工作时，能通过的最大正向电流值。最高反 向工作电压。它是二极管在正常工作时，所能承受的最高反向电压值。它是击穿电压值 的一半。 最大反向电流。它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反 映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。 最高工作频率。它是二极管在正常情况下的最高工作频率。如果通过二极管电流的 频率大于此值，二极管将不能起到它应有的作用。 表3-1-5半导体器件型号字母的意义
模拟电子技术实验指导书 第一部 意义 意义 \意义 意义 意义 N型、错材料 普通 (截止频率 BP型、错材料ⅴ|微波管 (截止频率≥3MHz 2二极管 <MHz N型、硅材料 耗散功率<W 耗散功率≥1W) P型、硅材料|C|参量管 A|PNP型、错材料 整流管丨G高频小功率管 场效应器件 错材料 整流堆 截止频率≥3MHz CPNP型、硅材料s|隧道管 耗散功率<W)|FH 复合管 NPN型、硅材料 3三极管 开关管 低频大功率管 数光器件 (截止频率<3MHz 雪崩管 耗散功率<W) 半导体特殊器件 N|阻尼管 (3)常用晶体二极管的电路符号 常用晶体二极管的电路符号见图3-1-11所示 (a)一般二极管 (b)稳压二极管 (c)发光二极管(d光电二极管 图3-1-11常用晶体二极管的电路符号 2.晶体三极管 (1)晶体三极管的种类 晶体三极管主要有NPN型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来 识别,详见表3-1-5。晶体三极管的种类划分如下 ①按设计结构分为:点接触型、面接触型 ②按工作频率分为:高频管、低频管、开关管 ③按功率大小分为:大功率、中功率、小功率 ④从封装形式分为:金属封装、塑料封装。 (2)晶体三极管的主要参数一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极 限参数三大类。 ①直流参数:集电极一基极反向电流Is。此值越小说明晶体管温度稳定性越好。 般小功率管约10μA左右,硅晶体管更小
模拟电子技术实验指导书 第一部分 第二部分 第三部分 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 N型、错材料 P 普通管 X 低频小功率管 A 高频大功率管 P型、错材料 V 微波管 (截止频率 <3MHz， (截止频率≥3MHz， N型、硅材料 W 稳压管 耗散功率<lW) 耗散功率≥1W) 2 二极管 A B C D P型、硅材料 C 参量管 A PNP型、错材料 Z 整流管 G 高频小功率管 CS 场效应器件 B NPN型、错材料 L 整流堆 (截止频率≥3MHz， C PNP型、硅材料 S 隧道管 耗散功率<lW) FH 复合管 D NPN型、硅材料 U 光电管 K 开关管 D 低频大功率管 JB 激光器件 T 可控硅 (截止频率<3MHz， B 雪崩管 耗散功率<1W) BT 半导体特殊器件 3 三极管 N 阻尼管 (3)常用晶体二极管的电路符号 常用晶体二极管的电路符号见图3-1-11所示。 (a)一般二极管 (b)稳压二极管 (c)发光二极管 (d)光电二极管 图3-1-11常用晶体二极管的电路符号 2.晶体三极管 (1)晶体三极管的种类 晶体三极管主要有NPN型和PNP型两大类，一般我们可以从晶体管上标出的型号来 识别,详见表3-1-5。晶体三极管的种类划分如下。 ①按设计结构分为:点接触型、面接触型。 ②按工作频率分为:高频管、低频管、开关管。 ③按功率大小分为:大功率、中功率、小功率。 ④从封装形式分为:金属封装、塑料封装。 (2)晶体三极管的主要参数一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极 限参数三大类。 ①直流参数:集电极一基极反向电流Icbo。此值越小说明晶体管温度稳定性越好。一 般小功率管约10μA左右，硅晶体管更小
附录二模拟电子技术基本元器件介绍 集电极一发射极反向电流l也称穿透电流。此值越小说明晶体管稳定性越好。过 大说明这个晶体管不宜使用。 ②极限参数:晶体管的极限参数有:集电极最大允许电流Lcw:集电极最大允许耗散 功率PcM:集电极-发射极反向击穿电压BVeo ③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实 际使用时一般不再区分,都用B表示,也可用h表示 为了能直观地表明三极管的放大倍数,常在三极管的外壳上标注不同的色标。锗、 硅开关管,高、低频小功率管,硅低频大功率管所用的色标标志如表3-1-6所示。 表3-1-6部分三极管β值色标表示 B范围~155~2525~d0~55-8s0-zdzo-sds0-2p0~0mo ④特性频率fr:晶体三极管的卢值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f 是当β下降到1时的频率值。也就是说,在这个频率下的三极管,已失去放大能力,因 此晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。 (3)常用晶体三极管的外形识别 ①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑 料外壳封装两种,如图3-1-12所示 T 3D06底视图 (a)金属外壳封装 (b)塑料外壳封装 图3-1-12小功率晶体三极管电极识别 ②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型和G 型两种,如图3-1-13(a)所示。F型管从外形上只能看到两个电极。将管脚底面朝上,两 个电极管脚置于左侧,上面为e极,下为b极,底座为C极。G型管的三个电极的分布如图 3-1-13(b)所示 (4)用指针式万用表判断晶体三极管好坏及辨别三极管的e、b、c电极 三极管的管脚必须正确辨认,否则,接入电路不但不能正常工作,还可能烧坏晶体 管。己知三极管类型及电极,用指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下: ①测NPN三极管:将万用表欧姆挡置“R×100”或“R×1k”处,把黑表笔接在基 底座为e
附录一 模拟电子技术基本元器件介绍 集电极一发射极反向电流Iceo也称穿透电流。此值越小说明晶体管稳定性越好。过 大说明这个晶体管不宜使用。 ②极限参数:晶体管的极限参数有:集电极最大允许电流ICM:集电极最大允许耗散 功率PCM:集电极-发射极反向击穿电压BVceo。 ③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等，在实 际使用时一般不再区分，都用β表示，也可用hFE表示。 为了能直观地表明三极管的放大倍数，常在三极管的外壳上标注不同的色标。锗、 硅开关管，高、低频小功率管，硅低频大功率管所用的色标标志如表3-1-6所示。 表3-1-6 部分三极管β值色标表示 β范围 0～15 15～25 25～40 40～55 55～80 80～120 120～180 180～270 270～400 400～ 色标 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑 ④特性频率fT:晶体三极管的卢值随工作频率的升高而下降，三极管的特性频率fT 是当β下降到1时的频率值。也就是说，在这个频率下的三极管，已失去放大能力，因 此晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。 (3)常用晶体三极管的外形识别 ①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说，有金属外壳和塑 料外壳封装两种，如图3-1-12所示。 (a)金属外壳封装 (b)塑料外壳封装 图3-1-12小功率晶体三极管电极识别 ②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管，外形一般分为F型和G 型两种，如图3-1-13(a)所示。F型管从外形上只能看到两个电极。将管脚底面朝上，两 个电极管脚置于左侧，上面为e极，下为b极，底座为C极。G型管的三个电极的分布如图 3-1-13(b)所示。 (4)用指针式万用表判断晶体三极管好坏及辨别三极管的e、b、c电极 三极管的管脚必须正确辨认，否则，接入电路不但不能正常工作，还可能烧坏晶体 管。己知三极管类型及电极，用指针式万用表判别晶体管好坏的方法如下: ①测NPN三极管:将万用表欧姆挡置“R×100”或“R×1k”处，把黑表笔接在基
模拟电子技术实验指导书 (a)F型大功率三极管 (b)G型大功率三极管 图3-1-13大功率晶体三极管电极识别 极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接 在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三 极管是好的。 ②测PNP三极管:将万用表欧姆挡置“R×100”或“R×Ik”处,把红表笔接在基 极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将黑表笔接 在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三 极管是好的。 当三极管上标记不清楚时,可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN型 还是PNP型),并辨别出e、b、c三个电极。测试方法如下 ①用指针式万用表判断基极b和三极管的类型:将万用表欧姆挡置“R×100”或“R lk”处,先假设三极管的某极为“基极”,并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔 先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假 设的基极是正确的,且被测三极管为NPN型管:同上,如果两次测得的电阻值都很大(约 为几千欧至几十千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP型管。如果两次 测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为 基极”,再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置“R×100”或“R×lk”处, 以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手 捏住b和c极(不能使b、c直接接触),通过人体,相当b、c之间接入偏置电阻,如图3-1-14 (a)所示。读出表头所示的阻值,然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二 次小,说明原假设成立,因为c、e间电阻值小说明通过万用表的电流大,偏置正常。其 等效电路如图3-1-14(b)所示,图中Vc是表内电阻挡提供的电池,R为表内阻,Rn为人 体电阻 用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管 的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正 端。例:当把红表笔接在假设的基极上,而将黑表笔先后街道其余两个极上,如果表 显示通(硅管正向压降在06V左右),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN型管
模拟电子技术实验指导书 (a)F型大功率三极管 (b)G型大功率三极管 图3-1-13大功率晶体三极管电极识别 极上，将红表笔先后接在其余两个极上，如果两次测得的电阻值都较小，再将红表笔接 在基极上，将黑表笔先后接在其余两个极上，如果两次测得的电阻值都很大，则说明三 极管是好的。 ②测PNP三极管:将万用表欧姆挡置“R×100”或“R×1k”处，把红表笔接在基 极上，将黑表笔先后接在其余两个极上，如果两次测得的电阻值都较小，再将黑表笔接 在基极上，将红表笔先后接在其余两个极上，如果两次测得的电阻值都很大，则说明三 极管是好的。 当三极管上标记不清楚时，可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN型 还是PNP型)，并辨别出e、b、c三个电极。测试方法如下: ①用指针式万用表判断基极b和三极管的类型:将万用表欧姆挡置“R×100”或“R ×1k”处，先假设三极管的某极为“基极”，并把黑表笔接在假设的基极上，将红表笔 先后接在其余两个极上，如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧)，则假 设的基极是正确的，且被测三极管为NPN型管:同上，如果两次测得的电阻值都很大(约 为几千欧至几十千欧)，则假设的基极是正确的，且被测三极管为PNP型管。如果两次 测得的电阻值是一大一小，则原来假设的基极是错误的，这时必须重新假设另一电极为 “基极”，再重复上述测试。 ②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置“R×100”或“R×1k”处， 以NPN管为例，把黑表笔接在假设的集电极c上，红表笔接到假设的发射极e上，并用手 捏住b和c极(不能使b、c直接接触)，通过人体，相当b、c之间接入偏置电阻，如图3-1-14 (a)所示。读出表头所示的阻值，然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二 次小，说明原假设成立，因为c、e间电阻值小说明通过万用表的电流大，偏置正常。其 等效电路如图3-1-14(b)所示，图中Vcc是表内电阻挡提供的电池，R为表内阻，Rm为人 体电阻。 用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结，可以很方便地确定三极管 的好坏及类型，但要注意，与指针式万用表不同，数字式万用表红表笔为内部电池的正 端。例:当把红表笔接在假设的基极上，而将黑表笔先后街道其余两个极上，如果表 显示通(硅管正向压降在0.6V左右)，则假设的基极是正确的，且被测三极管为NPN型管
附录二模拟电子技术基本元器件介绍 (a)示意图 b)等效电路 图3-1-14用指针万用表判别三极管c、e电极 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(h),使用时,先确认晶体管类 型,然后将被测管子e、b、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表 显示出h的近似值 以上介绍的方法是比较简单的测试,要想进一步精确测试可以使用晶体管图示仪, 它能十分清楚地显示出三极管的特性曲线及电流放大倍数等
附录一 模拟电子技术基本元器件介绍 (a)示意图 (b)等效电路 图3-1-14用指针万用表判别三极管c、e电极 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE)，使用时，先确认晶体管类 型，然后将被测管子e、b、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中，表 显示出hFE的近似值。 以上介绍的方法是比较简单的测试，要想进一步精确测试可以使用晶体管图示仪， 它能十分清楚地显示出三极管的特性曲线及电流放大倍数等