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存储器和可编程逻辑器件
第七章存储器和可编程逻辑器件 1.随机存取存储器(RAM RAM的特点和主要参数 只读存储器(ROM 二极管或门,ROM的类型、特点及ROM的阵列 示意图,用ROM实现组合逻辑函数。 3.可编程逻辑器件(PLD 可编逻辑阵列(PLA),可编阵列逻辑(PAL)
第七章 存储器和可编程逻辑器件 1. 随机存取存储器(RAM) RAM的特点和主要参数。 2. 只读存储器(ROM) 二极管或门，ROM的类型、特点及ROM的阵列 示意图，用ROM实现组合逻辑函数。 3. 可编程逻辑器件（PLD） 可编逻辑阵列(PLA)，可编阵列逻辑(PAL)
随机存取存储器 (RAM-Random Access Memory) “存取”指将信息写入存储器和从存储器 中将所存信息读出来。 它可以写入数据和读出数据。当电源切断 时,信息将会丢失,是易失性存储器。 计算机内存就是一种随机存取存储器(RAM
随机存取存储器 (RAM－Random Access Memory) ➢ “存取”指将信息写入存储器和从存储器 中将所存信息读出来。 ➢ 它可以写入数据和读出数据。当电源切断 时，信息将会丢失，是易失性存储器。 ➢ 计算机内存就是一种随机存取存储器(RAM)
只读存储器 (ROM--Read Only memory 只读存储器(ROM)在正常工作时,只能读出信 息,而不能写入信息。ROM的信息是制造时或用 专门的写入装置写入的,具有不易失性,断电 后ROM中存储的信息不会丢失。 ROM存入数据的过程称为对ROM的“编程”。根 据编程方式的不同,可将ROM分为三类:内容固 定的、一次性编程的和可多次编程的ROM。 可编程只读存储器(PROM- Progr ammable ROM) 可由用户进行一次性编程。 可擦可编程只读存储器( EPROM-Erasable Programmable ROM)可以多次擦除和改写
只读存储器 （ROM－Read Only Memory） ➢ 只读存储器( ROM )在正常工作时，只能读出信 息，而不能写入信息。ROM的信息是制造时或用 专门的写入装置写入的，具有不易失性，断电 后ROM中存储的信息不会丢失。 ➢ ROM存入数据的过程称为对ROM的“编程”。根 据编程方式的不同，可将ROM分为三类：内容固 定的、一次性编程的和可多次编程的ROM。 可编程只读存储器（PROM－Programmable ROM） 可由用户进行一次性编程。 可擦可编程只读存储器（EPROM－Erasable Programmable ROM）可以多次擦除和改写
读存储器字线 只读存储器同样由三部分组成 位线 :地址译码器、存储单元矩阵 和输出电路。 A W 信息单元 A (字) 址 存储矩阵包含了大量的存储单 译 码 存储矩P 元组成,每个存储单元存放 位二值数据。 …/存储单元 按“字”存放、读取数据,每三态挖制 匚输出缓冲器 个“字”由若干个存储单元组 成,即包含若干“位”。字的 位数称为字长 图9-1ROM的基本结构 每个“地址”唯一选中一个存储器的容量=字数X位数 “字”,实现随机读取 2n×m=23×4
只读存储器 ➢ 只读存储器同样由三部分组成 ：地址译码器、存储单元矩阵 和输出电路。 ➢ 存储矩阵包含了大量的存储单 元组成，每个存储单元存放一 位二值数据。 ➢ 按“字”存放、读取数据，每 个“字”由若干个存储单元组 成，即包含若干“位”。字的 位数称为字长。 ➢ 每个“字”编上一个“地址” ，每个“地址”唯一选中一个 “字”，实现随机读取。 存储器的容量＝字数×位数 字线 ＝ 2 n×m ＝ 2 3×4 位线
二极管或门电路 ROM的存储单元由二极管、双极型三极管或MOS管 构成 ROM的存储矩阵由一组或门组成,称为或门阵列, 如图所示为一个二极管或门 F=A+B+CF=A·B.C qCC ABC F F ABC
二极管或门电路 ROM的存储单元由二极管、双极型三极管或MOS管 构成。 ROM的存储矩阵由一组或门组成，称为或门阵列， 如图所示为一个二极管或门。 B C F A B A UCC F C F = A+ B+C F = ABC
CMOS电路如图所示,则F1、F2、F3的逻辑状态依次 为 A.F1=1、F2=0、F3=0 B.F1=0、F2=1、F3=1 +10v C.F1=1、F2=0、F3=1 11MQ2 F1 凸士 MO
CMOS电路如图所示，则F1、F2、F3的逻辑状态依次 为 。 A. F1 = 1、F2 = 0、F3 = 0 B. F1 = 0、F2 = 1、F3 = 1 C. F1 = 1、F2 = 0、F3 = 1
二极管ROM矩阵AB=00 DD2D2D4=1010 地 地址译码器 存储单元矩阵 址 A|与门 n 2n 输 或门m字 阵列 阵列 输出 A卓对应每一个地址,只有 Bl 21体二根字线为高电位,有 码 二极管相连的位线输出 为1,无二极管相连的 D D D 位线输出为0。这样, RIO RDRD RO 4根位线上得到4位的数 据输出。 图724二极曾卫OM举例
二极管ROM矩阵 地址译码器 或 门 阵 列 m 字 输出 存储单元矩阵 地 址 输 入 n 2 与 门 n 阵 列 对应每一个地址，只有 一根字线为高电位，有 二极管相连的位线输出 为1，无二极管相连的 位线输出为0。 这样， 4根位线上得到4位的数 据输出。 AB = 00 D1 D2 D3 D4 = 1010
AB 址 AB 码 AB 枣郑 D RRR们R DI D2 D3 D4 地址 数据 AB DD 上图为ROM阵列结构示意图, 每条字线与位线的交叉处就 o1|0 是一个存储单元,交叉处接 0有二极管相当于该存储单元 01存1,交叉处不接二极管相当 111011于该存储单元存0
上图为ROM阵列结构示意图， 每条字线与位线的交叉处就 是一个存储单元，交叉处接 有二极管相当于该存储单元 存1，交叉处不接二极管相当 于该存储单元存0。 地 址 数 据 A B D1 D2 D3 D4 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 W3 W2 W1 W0 D1 D2 D3 D4
D,=AB+AB+AB=mo+m2+m3 D2=AB+ AB=m,+m D=AB+AB=mo+m3 D,=AB+aB=m tm D D DD 地址数据 AB D1. 若将输入地址视为一组输入 逻辑变量,数据输出端每条 010100位线的输出就是一个输入逻 01辑变量的组合逻辑函数 111011
地 址 数 据 A B D1 D2 D3 D4 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 D1 = AB + AB+ AB = m0 + m2 + m3 D2 = AB + AB = m1 + m2 D3 = AB + AB = m0 + m3 D4 = AB + AB = m2 + m3 若将输入地址视为一组输入 逻辑变量，数据输出端每条 位线的输出就是一个输入逻 辑变量的组合逻辑函数。 W3 W2 W1 W0 D1 D2 D3 D4