15.5半导体三极管 15.51基本结构 NPN型 C°集电极集电极PC PNP型 P B P B 基极 基极P E E 发射极 发射极
(1-1) 15.5.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 15.5 半导体三极管
集电区: C°集电极 面积较大 N 基区:较薄 B P 掺杂浓度低 基极 E 发射区:掺 杂浓度较高 发射极
(1-2) B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄， 掺杂浓度低 集电区： 面积较大 发射区：掺 杂浓度较高
C集电极 集电结 B 基极 发射结 E 发射极
(1-3) B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结
号 C clt lo B B B E EE NPN型三极管 PNP型三极管
(1-4) B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 符号
15.5.2电流分配和放大原理 I c 一个实验 A B A C B BE CE EB
(1-5) IC mA A RB V UBE V UCE IB EC EB 一 . 一个实验 15.5.2 电流分配和放大原理
结论: 1. IE=Ic+IB C AI c)1 I,△I B B AI 常数 B 4 B 3.I=0,I ,C CEO 4.要使晶体管放大,发射结必须正偏,电结必须 反偏
(1-6) 结论: 1. IE=IC+IB = =常 数 = B C B C B C B C ΔI ΔI I I 1 ΔI ΔI I I 2. 3. IB=0, IC=ICEO 4.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须 反偏
二。电流放大原理 发射结正 偏,发射 区电子不 基区空穴 断向基区 向发射区 扩散,形 的扩散可 成发射极 忽略。 电流lE 进入P区的电子 BE 少部分与基区的 空穴复合,形成 E 电流BE,多数 扩散到集电结
(1 - 7 ) 二. 电流放大原理B EC NNP EB RB E C IE 基区空穴 向发射区 的扩散可 忽略。 进入 IBE P区的电子 少部分与基区的 空穴复合，形成 电流IBE ，多数 扩散到集电结。 发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极 电流IE
I=lcE+ICBONICE C 从基区护 集电结反偏,少 散来的电 子形成的反向电 子作为集 流I CBO E CBO° 电结的少 P子,漂移 进入集电 BE R 结而被收 B 集,形成 E E CE B
(1-8) B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，少 子形成的反向电 流ICBO。 ICBO IC =ICE+ICBOICE IBE ICE 从基区扩 散来的电 子作为集 电结的少 子，漂移 进入集电 结而被收 集，形成 ICE
+ CCECBOICE BECBOIBE CBO E B P二E BE E B
(1-9) IB=IBE-ICBOIBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC =ICE+ICBO ICE IBE
Cg与IBE之比称为电流放大倍数 CE C CBO BE +i CBO
(1-10) ICE与IBE之比称为电流放大倍数 B C B CBO C CBO B E C E I I I I I I I I β + − = =