第2章复写
(1-1) 第21章 复习
1.内容小结 数字信号在时间上和数值上均是离散的。用高电 平和低电平分别来表示逻辑1和逻辑0。 在数字电路中,半导体二极管、三极管一般都工 作在开关状态,即工作于导通(饱和)和截止两个 状态。 3.最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非 门。它们是集成逻辑门电路的基础。 4.逻辑运算中的三种基本运算是与、或、非运算。 5.常用的逻辑函数表示方法有真值表、函数表达 式、逻辑图等,它们之间可以任意地相互转换
(1-2) 1.内容小结 3．最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非 门。它们是集成逻辑门电路的基础。 1．数字信号在时间上和数值上均是离散的。用高电 平和低电平分别来表示逻辑1和逻辑0。 2．在数字电路中，半导体二极管、三极管一般都工 作在开关状态，即工作于导通（饱和）和截止两个 状态。 4．逻辑运算中的三种基本运算是与、或、非运算。 5．常用的逻辑函数表示方法有真值表、函数表达 式 、逻辑图等，它们之间可以任意地相互转换
6.普遍使用的数字集成电路,TL电路和M0S电路。 7.TL电路不仅提高了门电路的开关速度,也使电 路有较强的驱动负载的能力。除了有基本功能的, 还有集电极开路门和三态门。 8.M0S电路:一种是NMos门电路,另一类是0M0S门电 路。与TL门电路相比,它的优点是功耗低,扇出数 大,噪声容限大,开关速度与TL接近,已成为数字 集成电路的发展方向
(1-3) 6．普遍使用的数字集成电路，TTL电路和MOS电路。 7．TTL电路不仅提高了门电路的开关速度，也使电 路有较强的驱动负载的能力。除了有基本功能的， 还有集电极开路门和三态门。 8．MOS电路:一种是NMOS门电路，另一类是CMOS门电 路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数 大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字 集成电路的发展方向
9.可用两种方法化简逻辑函数,公式法和卡诺图法。 公式法是用逻辑代数的基本公式与规则进行化简,必须 熟记基本公式和规则并具有一定的运算技巧和经验。 卡诺图法是基于合并相邻最小项的原理进行化简的,特 点是简单、直观,不易出错,有一定的步骤和方法可循。 0.组合逻辑电路的分析步骤为:写出各输出端的逻辑表 达式→化简和变换逻辑表达式→列出真值表→确定功能。 11.组合逻辑电路的设计步骤为:根据设计求列出 真值表→写出逻辑表达式(或填写卡诺图)→逻辑化 简和变换→画出逻辑图 12.常用的中规模组合逻辑器件包括编码器、译码器、 数据选择器、数值比较器、加法器等
(1-4) 9．可用两种方法化简逻辑函数，公式法和卡诺图法。 公式法是用逻辑代数的基本公式与规则进行化简，必须 熟记基本公式和规则并具有一定的运算技巧和经验。 卡诺图法是基于合并相邻最小项的原理进行化简的，特 点是简单、直观，不易出错，有一定的步骤和方法可循。 10．组合逻辑电路的分析步骤为：写出各输出端的逻辑表 达式→化简和变换逻辑表达式→列出真值表→确定功能。 11．组合逻辑电路的设计步骤为：根据设计求列出 真值表→写出逻辑表达式(或填写卡诺图) →逻辑化 简和变换→画出逻辑图 12.常用的中规模组合逻辑器件包括编码器、译码器、 数据选择器、数值比较器、加法器等
2例题及课后习题 例1.电路及参数如图所示,设输入电压V1=3V,三极管的 ug=0.7V.(1)若β=60,试判断三极管是否饱和并求出l和 v的值。 解:根据饱和条件IB>JB解题。 CC(+12V) 3-0.7 ≈0.023mA) 10k Q2 100 12 R BS ≈0.020(m4) BR60×10 100kg B BS 极管饱和 CC CS ≈12mA) R。10 V=Vn≈0.3V
(1-5) 解： 根据饱和条件IB＞IBS解题。 例 1.电 路及参 数如 图所示 ,设输 入电 压VI =3V, 三极管 的 UBE =0.7V.(1)若β＝60,试判断三极管是否饱和,并求出IC和 VO的值。 0.023( ) 100 3-0.7 I B = mA0.020( ) 60 10 12 mA C CC B S = = R V I ∵IB＞IBS ∴三极管饱和。 1.2( ) 10 12 mA C CC C = CS = = R V I I VO =VCES 0.3V + + +V － - 1 T 2 3 100kΩ R CC R V b I （ +12V） V C O 10kΩ 2 例题及课后习题
(2)将Rc改为68k2,重复计算 V。(+12V) 1不变,仍为0.023mA RC 10k Q CC 12 ≈0.029m4) .60×6.8 C 100kg ∵l<IB∴三极管处在放大状态 B×lB=60×0023≈1.4mA) CE CcC RC=12-1.4×68≈248(V
(1-6) （2）将RC改为6.8kW，重复计算 IB不变，仍为0.023mA 0.029( ) 60 6.8 12 mA C CC B S = = R V I ∵IB＜IBS ∴三极管处在放大状态。 60 0.023 1.4(mA) I C = I B = - 12-1.4 6.8 2.48(V) VO =VCE =VCC I C RC = + + +V － - 1 T 2 3 100kΩ R CC R V b I （ +12V） V C O 10kΩ
(3)将R改为6.8k,再将R改为602,重复计算 3-0.7 ≈0.038(mA) 60 +V(+12V) las≈0.029mA RC 10k Q2 三极管饱和。 R B BS CC 100kg = C ≈1.76(mA) R。6.8 V=Vm≈03V R、R、B等参数都能决定三极管是否饱和
(1-7) （3）将RC改为6.8kW，再将Rb改为60kW，重复计算 Rb 、RC 、β等参数都能决定三极管是否饱和。 0.038( ) 60 3-0.7 I B = mA IBS≈0.029 mA ∵IB＞IBS ∴三极管饱和。 1.76( ) 6.8 12 mA C CC = CS = = R V I I C VO =VCES 0.3V + + +V － - 1 T 2 3 100kΩ R CC R V b I （ +12V） V C O 10kΩ
例2:电路如图所示,写出输出∠的表达式。设电路中 各元件参数满足使三极管处于饱和及截止的条件。 -Co- R (2) 解:(a)此电路由两级逻辑门构成,第一级是与 门,输出为AB;第二级是或门,输出为: LI=AB+C
(1-8) 例2: 电路如图所示，写出输出L的表达式。设电路中 各元件参数满足使三极管处于饱和及截止的条件。 解：(a)此电路由两级逻辑门构成，第一级是与 门，输出为AB；第二级是或门，输出为： L1 = AB + C
cc (b)此电路是只有一个输入端的逻辑电路。当输入端A为低电平时, T1发射结导通,v日B<2.1V,D、T2截止,L2输出高电平;当输入端A 为高电平时,T1发射结不通,+C足以使D、T2导通,L2输出低电 平。由以上分析可见: La=A 2
(1-9) (b)此电路是只有一个输入端的逻辑电路。当输入端A为低电平时， T1发射结导通，VB1 <2.1V，D、T2截止，L2输出高电平；当输入端A 为高电平时，T1发射结不通，+VCC足以使D、T2导通， L2输出低电 平。由以上分析可见： L2 = A
四种情况讨论其工作过程: 氏c 当输入A、B均为低电平时,T E 2都截止,L3以下部分的 支路不通,输出高电平; 当输入A、B一高一低时,T R 长T T2中有一个截止,L3以下部分 的支路仍不通,输出高电平; (c) 当输入A、B均为高电平时,T T2都饱和导通,L3以下部 真值表 分的支路导通,输出低电平。 A BL 表达式为: L=abtabtab= aB 0 0
(1 -10 ) 四种情况讨论其工作过程： 当输入 A 、 B均为低电平时 ， T 1 、 T 2都截止 ， L 3以下部分的 支路不通 ，输出高电平； 当输入 A 、 B一高一低时 ， T 1 、 T 2中有一个截止 ， L 3以下部分 的支路仍不通 ，输出高电平； 当输入 A 、 B均为高电平时 ， T 1 、 T 2都饱和导通 ， L 3以下部 分的支路导通 ，输出低电平 。 L 3 = A B + AB + A B = AB 表达式为： A B L 3 0 0 0 1 1 0 1 1 1110 真值表