第21章 门电路和组合逻辑电路 (1-1)
（1-1） 第21章 门电路和组合逻辑电路
21.5M0S门电路 21.5.1NMos门电路 负载线 1NMOS反相器 5199 CC R u=“0” DS L=“0 1” (1-2)
（1-2） 21.5.1 NMOS门电路 0 UDS ID 负载线 ui=“1” ui=“0” uo=“0” uo=“1” ui uo UCC R D S 21.5 MOS门电路 1.NMOS反相器
2.NMOS非门 +UDD ①为驱动管,T2为负 载管,8n1>>gm2 (1)当输入A为高电平时, 11导通,T2也导通。因为 Ygn>>hm,所以两管的 A 导通电阻ls1<<2, 毓出为低电平。 (2)当输入A为低电平0V时,们1截止,T2导通, 即输出为高电平。 (1-3)
（1-3） A T2 +UDD Y T1 （1）当输入A为高电平时， T1导通，T2也导通。因为 gm1＞＞gm2，所以两管的 导通电阻RDS1＜＜RDS2， 输出为低电平。 2. NMOS非门 T1为驱动管，T2为负 载管,gm1＞＞gm2 （2）当输入A为低电平0V时，T1截止，T2导通 ， 即输出为高电平
3.NMOS与门 T1,T2为驱动管,T3为负 +UD载管,g,gm>>gn T3(1)当输入A,B为高电平 Y时,T1,T2号通,输出为 低电平。 B (2)当输入A或B为低电平 时,毓出为高电平。 A T
（1-4） 3. NMOS与非门 A T3 +UDD Y T1 T2 B T1 ,T2为驱动管，T3为负 载管,gm1, gm2 ＞＞gm3 （1）当输入A,B为高电平 时，T1 , T2导通，输出为 低电平。 （2）当输入A或B为低电平 时,输出为高电平
21.5.2M0s门电路 ①为驱动管,T2为负 1.CMOS非门 +U CC 敢菅,gm>>gm2 PMOS管 F CMOS电路 NMOS管 (1-5)
（1-5） 21.5.2 CMOS门电路 NMOS管 PMOS管 CMOS电路 1. CMOS非门 +UCC S T2 D T1 A F G G S D T1为驱动管，T2为负 载管,gm1＞＞gm2
工作原理: g CC tUCC 导通 =0 ulo=“1 G 截止
（1-6） ui=0 截止 ugs2=−UCC 导通 u０=“１” 工作原理： +UCC S T2 D T1 A F G G S D
工作原理: tUCC 截止 1 0 G 导通
（1-7） ui =１ 导通 截止 u０=“０” 工作原理： +UCC S T2 D T1 A F G G S D
2.CMOs与非门 +UpT1,12为驱动管,T3, 4为负载管,gn,8m2 3 T4 >>gm3, gm4 T (1)当输入A,B为高电平 B 时,T1T导通,T3T 4 截止,输出为低电平。 A T1(2)当输入A或B为低电平 时,驱动管截止,负嗽菅 导通,输出为高电平。 (1-8)
（1-8） 2. CMOS与非门 A T3 +UDD Y T1 T2 B T4 T1 ,T2为驱动管，T3, T4为负载管,gm1 , gm2 ＞＞gm3,gm4 （1）当输入A,B为高电平 时，T1 , T2导通， T3 , T4 截止,输出为低电平。 （2）当输入A或B为低电平 时, 驱动管截止，负载管 导通,输出为高电平
3.CMOS或样非门 T1,12为驱动管,T3 UD①4为负敢管,gm,gm2 B T >>gm3, gm4 A (1)当输入有高电平时, 输出为低电平 ●Y T2(2)当输入A和B为低电平 时,输出为高电平
（1-9） 3. CMOS或非门 A T3 +UDD Y T1 T2 B T4 T1 ,T2为驱动管，T3, T4为负载管,gm1 , gm2 ＞＞gm3,gm4 （1）当输入有高电平时， 输出为低电平。 （2）当输入A和B为低电平 时,输出为高电平
4.CMOS传输门(模拟开关) 输入源极 输出漏极 (1)当C接高电平顸,C接低电平0V时,若u在0V-硕的范 图变化。至少有一管导通。相当于一闭合开关,将输入 传到输出,即u0=uIo (2)当C接低电平0V,(接高电平顸,在0V-的范围变化 时,们和1都截止,输出星高阻状态,相当于开关断开。 C VDD uI TG uO (1-10)
（1-10） 4. CMOS传输门(模拟开关) u uO I C T1 T2 VDD C （1）当C接高电平VDD， 接低电平0V时，若uI在0V--VDD的范 围变化，至少有一管导通，相当于一闭合开关，将输入 传到输出，即uO=uI。 C （2）当C接低电平0V， 接高电平VDD，uI在0V--VDD的范围变化 时，T1和T2都截止，输出呈高阻状态，相当于开关断开。 C C uI TG uO C 输入源极 输出漏极