应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下,加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响.结果表明,加载速率对W和Vd有显著影响.随着加载速率的增大,层错宽度减小,位错速度增大.当加载速率达到某一临界值时,能量不仅以发射位错的形式释放,而且形成孪晶,以降低体系的能量

以Al作为研究对象，采用EAM势实施分子动力学模拟.在Ⅰ型和Ⅱ型加载条件下，研究了温度和取向对位错发射、裂纹脆性及韧性扩展的影响.模拟结果表明，升高温度，发射位错的临界应力强度因子按指数规律降低.加载速率在一定范围内将影响临界应力强度因子.临界应力强度因子随着加载速率的增大而增大

采用贵金属氧化物涂层电极对不同体系苯胺溶液进行了电化学催化氧化研究.结果表明:中性与碱性体系的降解过程类似,按苯胺-苯醌-马来酸的过程氧化降解,但由于碱性体系易于析氧而降低了降解效率;酸性体系生成聚苯胺物质增加了降解难度,降解效率最低.分析表明,苯胺在电化学催化氧化时最易形成对位和间位中间产物,而其对位和间位中间产物又难于降解,这是苯胺难于降解的根本原因.提出了在电解苯胺溶液过程中增加物理过滤步骤的新工艺.该工艺不仅能够有效地降解苯胺,化学需氧量(CODCr)去除率达到82%,且提高降解速度,降低能耗

一.亲电取代反应 1.反应机理 芳正离子的生成 加成一消除机理 2.反应的定向与反应活性 a.反应活性与定位效应 b.动力学控制与热力学控制 c.邻、对位定向比 亲电试剂活性 空间效应。 极化效应

视图只能表达组合体的形状,各种形体的真实大小及其相 对位置,要通过标注尺寸来确定。标注组合体尺寸的基本要求 仍是在第一章所述的:正确、完整、清晰。本节将在标注平面 图形尺寸的基础上,主要学习在标注组合体尺寸时如何达到完 整和清晰的要求

位置检测装置是数控机床的重要组成部分。 在闭环、半闭环控制系统中,它的主要作用是 检测位移和速度,并发出反馈信号,构成闭环 或半闭环控制。 数控机床对位置检测装置的要求如下:

一、结构、分类和命名 p-π共轭的结果： (1)使氧原子上的p电子云向苯环转移，其电子云密度相对降低，使O-H键易离解断裂，给出质子，从而显酸性； (2)使苯环上电子云密度相对升高，有利于苯环上进行亲电取代反应，且-OH是邻、对位定位基，强致活基团; (3）使C-O键难断裂，-OH不会被取代，或被消除

《复合材料 Composites》课程教学资源（学习资料）第二章 增强体_对位型芳纶的性能和应用_高田忠彦

Bouc–Wen模型在非识别激励工况下模拟的阻尼力与实际阻尼力误差较大，对非识别激励振幅过于敏感，针对这一问题，提出了一种描述减振器滞回特性的改进模型。首先用Mechanical testing and simulation(MTS)疲劳试验机对磁流变减振器进行力学性能试验，获得在多种激励幅值、频率和电流作用下的阻尼力。采用阻尼力对位移的斜率与阻尼力关系来模拟滞回环特性曲线。根据滞回曲线特点利用二次多项式函数来表征滞回环斜率与阻尼力的关系，同时，引入关于速度的指数函数修正项，进而对改进后的Bouc–Wen模型进行参数识别，并对其进行仿真及验证。与试验得到的阻尼力进行对比，发现在非识别激励工况下，曲线吻合效果较好。对改进前后Bouc–Wen模型模拟的阻尼力特性曲线进行对比，结果表明：改进后模型得到的阻尼力仿真值能够较好地模拟试验得到的各种工况下阻尼力的值，且优于Bouc–Wen模型，同时Bouc–Wen模型在非识别激励工况下模拟阻尼力精度较差这一问题得到了改善。新模型为保证车辆悬架系统在多变工况下仿真响应的准确性打下了基础

第一节 硝基化合物 (一) 硝基烷 (1) 硝基烷的制法 (2) 硝基烷的性质 (二) 芳香族硝基化合物 (1) 芳香族硝基化合物的制法 (2) 芳香族硝基化合物的物理性质 (3) 芳香族硝基化合物的化学性质 (甲) 还原 (乙) 芳环上的亲电取代反应(“三化”) (丙) 硝基对其邻、对位取代基的影响 第二节 胺 (一) 胺的分类和命名 (二) 胺的结构 (三) 胺的制法 (四) 胺的物理性质 (五) 胺的化学性质 (六) 季铵盐和季铵碱 (七) 二元胺 第三节 重氮与偶氮化合物 (一) 重氮盐的制备——重氮化反应 (二) 重氮盐的反应及其在合成中的应用 (1) 失去氮的反应 (甲) 重氮基被氢原子取代 (乙) 重氮基被羟基取代 (丙) 重氮基被卤素取代 (丁) 重氮基被氰基取代 (2) 保留氮的反应 (甲) 还原反应 (乙) 偶合反应