§2—1 晶体形成的方式 §2—2 晶核的形成 §2—3 晶体的成长 §2—4 晶面的发育 §2—5 影响晶体生长的外部因素 §2—6 晶体的溶解与再生 §2—7 人工合成晶体

本章要求：在原子结构理论基础上，讨论分子的形成过程，介绍化学键、分子的空间构型和晶体的基本类型、性质和相关理论等分子结构和晶体结构的基础知识。本章学习的主要要求为：1．掌握化学键的基本概念、基本类型、形成条件和基本性质；2．掌握共价键的形成条件和本质，现代价键理论的基本要点，了解共价键的键参数及其应用。3．掌握杂化轨道理论的要点和sp型杂化所组成的分子的空间构型。4．了解分子轨道理论的基本要点，并能用其解释一些典型分子的性质特点。5．了解分子间作用力和氢键对物质某些性质的影响。6．了解金属键的形成、特性和金属键理论要点。7．在理解化学键、分子间作用力（包括氢键）的本质和特性的基础上，掌握晶体的基本类型和特点性质。了解晶体结构对物质性质的影响

利用高温高压反应釜模拟了N80钢在CO2分压1MPa、温度90℃、流速1m·s-1条件下地层水中不同时间的腐蚀行为,并应用SEM、EDS和XRD等微观分析手段研究了腐蚀产物膜的微观形貌、成分和结构特征,探讨了腐蚀产物膜的形成机制.结果表明:在腐蚀开始阶段(8h),腐蚀产物主要为Fe3C,并有少量的FeCO3形成.随着腐蚀的进行(72h后),腐蚀产物膜基本上为FeCO3.腐蚀产物膜由内外两层构成:内层膜是溶液中HCO3-不断透过膜进入膜/基界面与基体反应形成,并使膜/基界面不断向内推进;外层膜是由于溶液中Fe2+和CO32-的浓度超过FeCO3的容度积,FeCO3晶体在内层膜表面形核并长大而形成.外层膜的晶粒比较细小、致密.内层膜与外层膜的界面结合比较弱,而内层膜与基体的结合比较强

第一节 点缺陷 POINT DEFECTS 点缺陷的形成 点缺陷的浓度 点缺陷的运动 点缺陷与材料行为 第二节 位错的基本概念 PRIMARY CONCEPT OF DISLOCATION 位错学说的产生 位错的基本类型和特征 位错的运动 第三节 位错的弹性性质 THE ELASTIC NATURE OF 位错的应力场 位错的应变能 作用在位错上的力 位错的线张力 位错与点缺陷的交互作用 位错间的交互作用力 第四节 位错的增殖 位错的密度 位错的增殖 第五节 实际晶体结构中的位错 THE DISLOCATION IN ACTUAL CRYSTAL STRUCTURE 实际晶体 结构中的 伯氏矢量 堆垛层错 不全位错 位错反应 面心立方 第五节 表面与界面 外表面 晶界与亚 晶界 孪晶界 相界

(1)掌握血浆晶体和胶体渗透压的形成和生理作用; (2)掌握红细胞的生理特性和生成调节; (3)掌握血小板的生理特性以及生成调节; (4)掌握血液的总功能; (5)熟悉血液的组成 (6)了解全血和血浆、血量和比容、血浆和血清的定义

➢晶体形成的一般过程 ➢形核 ➢晶体的生长 ➢凝固体的结构

第一节 晶体形成的一般过程 第二节 形核 第三节 晶体的生长 第四节 凝固体的结构

1.晶体生长的一般方法(掌握) 晶体是在物相转变的情况下形成的。 物相有三种，即气相、液相和固相

半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子运动方式及形成电流 PN结与晶体二极管 PN结的基本原理 晶体二极管 二极管应用电路 特殊二极管 晶体三极管 晶体三极管的结构与符号 晶体管的放大原理 晶体三极管特性曲线 晶体管的主要参数 场效应晶体管 结型场效应晶体管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 场效应管的参数及特点

晶体中原子的周期性排列形成了晶体一定的宏观对称性，不同的形式的原子排列形成的宏观对称性， 其对称操作也具有一定的限制。 描述晶体周期性的布拉伐格子：{ } 1 1 2 2 3a3 l a l a l K K K + + —— 经历对称操作后晶体不变，相应的布拉伐格子也不变