§8—1 十四种空间格子 §8—2 晶格缺陷

6.3.1 电子迁移率 6.3.2 载流子浓度 6.3.3 电子电导率 6.3.4 影响电子电导的因素 6.3.5 晶格缺陷与电子电导 6.4 玻璃态电导

复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第五章 晶格振动_专题五 缺陷

复旦大学：《固体物理学》课程教学资源（讲义）第五章 晶格振动_专题五 缺陷

材料的结合键 1、五种结合键 2、结合键与材料性能的关系 纯金属的晶体结构 1、晶格、晶面、晶向等概念 2、常见的三种金属晶格 3、立方晶格晶面指数与晶向指数的求法 4、晶体缺陷及其对性能的影响

1、原子严格地周期性排列,晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质,无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动,形成允带和禁带—电 子能量只能处在允带中的能级上,禁带中无能级。由本征激发提供载流子一本征半导体——晶体具有完整的(完美的)晶格结构,无任何杂质和缺陷

• 基本概念 • 均匀加宽 自然加宽 碰撞加宽 晶格振动加宽 • 非均匀加宽 多普勒加宽 晶格缺陷加宽

探讨了ZnTiO3薄膜掺杂Cu元素对于薄膜性质、相变化与微结构之影响.实验是在一定温度下以射频磁控溅镀系统将铜沉积于ZnTiO3陶瓷靶上,控制沉积于ZnTiO3陶瓷靶上铜含量之后,再沉积掺杂铜的钛酸锌薄膜于SiO2/Si基板上.成长出来的薄膜经由ESCA分析得知铜的质量分数分别为0.84%、2.33%和2.84%.从XRD分析常温下掺杂Cu的ZnTiO3薄膜为非晶质态,经过600℃退火后,ZnTiO3薄膜则由非晶质态转变成Zn2Ti3O8结晶相,而未掺杂铜的ZnTiO3薄膜在600℃退火时并没有结晶相产生.ZnTiO3薄膜经过900℃退火后,Zn2Ti3O8相分解成Zn2TiO4相和TiO2相,且ZnTiO3晶格常数因为Cu离子置换至Zn离子的位置有变小的趋势.由TEM分析证实Cu离子与Zn离子的置换,导致晶格应变产生双晶缺陷.经由XRD、SEM和TEM分析得知掺杂太多的铜会抑制TiO2相的生成,而随着过多的Cu析出,晶体平均晶粒慢慢变小晶格应变也随之降低,以致晶格常数回复往原来晶格常数方向趋近

利用多重散射法数值模拟了多个具有五个缺陷点的氧化铝介质柱四方晶格二维光子晶体微腔的透过率T和品质因子Q.结果表明,沿x、y方向介质柱的个数Lx、Ly以及介质柱半径r对微腔品质因子和透过率均有明显影响.通过优化参数,实现了一类具有大透过率T、高品质因子Q的微腔.在模拟范围内,当Lx=13、Ly=17和r=0.25时,微腔品质因子和透过率同时达到较大值,分别为49 270和91%

1、硅酸盐熔体中有多种负离子集团同时存在:如Na20Si2熔体中有:[S20-6(单体)、[Si310]-8(二聚体)[sin03n+1-(310n+12n+2 2、此外还有“三维晶格碎片”[Si2]n,其边缘有断键,内部有缺陷