80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。 外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多, 近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/0口和 其他一些功能器件,扩展器件大多是一些常规芯 片,有典型的扩展应用电路,可根据规范化电路 来构成能满足要求的应用系统

FET的小信号等效模型电路十分简单,由于栅源之间的输入 阻抗很高,无输入电流,故呈开路状态。其漏源之间在恒流区 工作时,也是一个正向受控电流源,输出受Gs控制,为表 示uGs对i的控制能力,通常来表示

I If f(t)=100 for 04.(a) Calculate v at t=T/4.(b) Find the average power delivered by this waveform to a 5Q2 resistor 3 Let v(t)=3-3 cos(100 t-40)+4 sin(200 T t-10)+2.5 cos 300 tt V Find: (a)the average value Var;(b)the rms value V;(c)the period T; (d)v(18ms)

1 The physical construction of three pairs of coupled coils is shown in Fig. 10-16. Show two different possible locations for the two dots on each pair of coils. 2 For the circuit illustrated in Fig. 10-17 (a) find I and VB; (b) repeat if a 62 resistor is connected between the terminals at the right

一、例题精解 【例题3.1】在R、L、C元件串联的电路中,已知R=30,L=127mh,c=40uF, 电源电压u=2202sin(314t+20°)V.(1)求感抗、容抗和阻抗;(2)求电流的有效值1 与瞬时值i的表达式;(3)求功率因数cos;(4)求各部分电压的有效值与瞬时值的表 达式;(5)作相量图;(6)求功率P、Q和S

4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

电子科技大学：《计算电磁学 Computational Electronmagentics》课程教学资源（课件讲稿，有限差分法）第6章 时域有限差分法 III 6.1 激励源技术 6.2 集总参数电路元件的模拟 6.3 数字信号处理技术 6.4 应用举例（I）

§.1 周期电压和电流 §.2 正弦电压和电流 §.3 正弦RC电路的分析 §.4 相量 §8-1有效值、有效值相量 §8-2 基尔霍夫定律的相量形式 §8-3 基本元件的v-i相量形式 §8-4 阻抗和导纳 相量模型 §8-5 相量模型的网孔分析法和节点分折法

本章学习重点在TTL和CMOS集成电路的外部特性，主要有两个方面：一是输入与输出之间的逻辑功能；二是外部电气特性及其主要参数。 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2L逻辑门电路 第五节 NMOS逻辑门电路 第六节 CMOS逻辑门电路 第七节 逻辑门的接口电路