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华北水利水电学院:《土力学》课程教学资源(教材讲义)第二章 土体应力计算
文档格式:DOC 文档大小:221.5KB 文档页数:12
自重应力是由于地基土体本身的有效重量而产生的。研究地基的自重应力是为了确定 地基土体的应力状态。计算地基中的自重应力时,一般将地基作为半无限弹性体来考虑, 地基中的自重应力状态属于侧限应力状态,其内部任一水平面和垂直面上,均只有正应力 而无剪应力
同济大学:《高等数学》课程电子教案(PPT课件讲稿)第八章 多元函数微分学(8.2)偏导数
文档格式:PPT 文档大小:535.5KB 文档页数:29
偏导数 我们已经知道一元函数的导数是一个很重 要的概念,是研究函数的有力工具,它反映了该 点处函数随自变量变化的快慢程度。对于多元函 数同样需要讨论它的变化率问题。虽然多元函数 的自变量不止一个,但实际问题常常要求在其它 自变量不变的条件下,只考虑函数对其中一个自 变量的变化率,因此这种变化率依然是一元函数 的变化率问题,这就是偏导数概念,对此给出如 下定义
2001年10月浙江省高等教育自学考试数据库原理试题
文档格式:DOC 文档大小:33KB 文档页数:4
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题1分,共10分) 1.要保证数据库的数据独立性,需要修改的是() A.三层模式之间的两种映射 B模式与内模式 C模式与外模式 D三层模式
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2002年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:99.5KB 文档页数:5
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其号码填在题干的括号内。每小题2分,共28分) 1.从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:() A.发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B.发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C.发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D.发射区掺杂浓度低,集电结面积大
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2004年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:275KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.对于普通的点接触二极管,一般具有的特性是() A.最大整流电流大,最高工作频率高 B.最大整流电流小,最高工作频率高 C.最大整流电流大,最高工作频率低 D.最大整流电流小,最高工作频率低
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:187.5KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2006年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:226.5KB 文档页数:8
一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的() A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年07月试卷
文档格式:DOC 文档大小:260KB 文档页数:6
一、单项选择题(在每小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分,共30分) 1.由理想二极管构成的限幅电路如下图所示当输入电压Ui=9V时,输出电压Uo为多少?() A.3V B.6V C.9V D.15V
全国高等教育自学考试:《电子技术基础》(试题一) 2005年04月试卷
文档格式:DOC 文档大小:378KB 文档页数:7
一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素
山东大学:《机械制造》课程教学资源(讲义)第三十七讲 数控技术及应用自学考试试题
文档格式:DOC 文档大小:30KB 文档页数:2
一、填空题(每空2分,共30分) 1数控机床的进给伺服系统可以分为 半闭环控制系统和 2在数控机床坐标系中,绕平行于X、Y和Z轴的回转运动的轴,分别称为轴 和
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