时序逻辑电路简称时序电路,与组合逻辑电路并驾齐驱,是数字电路两大重要分支 之一。本章首先介绍时序逻辑电路的基本概念、特点及时序逻辑电路的一般分析方法。 然后重点讨论典型时序逻辑部件计数器和寄存器的工作原理、逻辑功能、集成芯片及其 使用方法及典型应用。最后简要介绍同步时序逻辑电路的设计方法

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

存储器习题 设CPU有16根地址线,16根数据线,并用MRQE作为访存控制信号,WR为读写控 制信号。现有下列存储芯片 ROM:2KB×8位,8KB×8位; RAM:IKB4位,2KB×8位,8KB×8位

第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

按照穆尔定律,芯片制造商大约每18个月就会 把挤在指甲壳那么大的硅片里的晶体管数量增 加一倍。但是物理学定律认为,这种成倍增长 的速度不会永远持续下去。最终,晶体管会变 得非常小,小到晶体管的组件将只有几个分子 那么大。在这样小的距离里,起作用的将是古 怪的量子定律,电子会从一个地方跳到另外一 个地方而不穿过这两个地方之间的空间。就像 破漏的消防水管中的水,这时电子会越过原子 粗细的导线和绝缘层,从而产生致命的短路

第一节基本性能第六节串行口 第二节CPU结构第七节与外设的接口 第三节内部总线结构第八节复位与省电 第四节存储器结构第九节中断 第五节在片外围电路第十节自举加载

9.18255A可编程外围接口芯片 9.2PS-2304数字量I/0接口板简介 9.3BCD码并行数字信号的采集 9.4车速脉冲信号的采集计数

将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括

(1)方式2的基本功能 这是一种双向工作方式,使外设在单一的 8位数据总线上,既能发送数据,也能接收数 据,实现与CPU的双向通信 只有端口A具有双向工作方式,并占用C端 口的5位作控制联络线。 (2)方式2工作时的控制信号,如下图示:

一、填空 1、显卡主要由和等几部分组成。 2、显示芯片3D加速能力的主要性能参数包括:和一示内存也称为,它用来存储所要处理的