2半导体二极管及其基本电路 2.1.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l(e\\7-1),其中n=1,Vr=26mV

1.简述图1所示的降压斩波电路的工作原理。 2.在图1所示的降压斩波电路中,已知E=200V,R=10,L值极大,E=30V。采用脉宽调制控制方式,当T=50us,ton=20us时,计算输出电压平均值U、输出电流平均值I

第十一章多元函数积分学 第一节二重积分的概念与计算 思考题: 1.把一元定积分的数学模型推广到二维空间,可以得到一个式子 f(x,= lim(, 0 i=1 你对这个式子要说些什么?回顾一元定积分的定义,可以对推广来的这个式子描述出一个 完整的数学模型,被称为二重积分的定义,你将获得一次创造思维的锻炼,对微元法模型 的理解会更深刻,不妨一试

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

1.C、L的VCR uc(、i(t)不跳变(跃变), 动态电路需要先求取初始值 2.三要素法 换路定则的应用, 三要素公式适用于全响应,零状态响应 和零输入响应

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件

第 I 族、第 II 族元素及过渡元素都是典型的金属晶体， 它们的最外层电子一般为 1~2 个。组成晶体时每个原子 的最外层电子为所有原子所共有，因此在结合成金属晶 体时，失去了最外层（价）电子的原子实“沉浸”在由 价电子组成的“电子云”中。如图 XCH002_004 所示。 这种情况下，电子云和原子实之间存在库仑作用，体积 越小电子云密度越高，库仑相互作用的能愈低，表现为 原子聚合起来的作用

3.1晶体管的开关特性 3.2TL集成逻辑门 3.3ECL集成逻辑门与I2L电路 3.4Ms逻辑门 3.5cmos电路

一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极, B为 极,C为 极

一、填空(本题28分) 1.PN结的伏安特性方程i= ,表明PN结 导电性。 2.放大电路中,已知三极管三个电极的对地电位为UA=-9V,UB=-6.2V, Uc=-6V,则该三极管是 型三极管,A为 极