点击切换搜索课件文库搜索结果(1328)
文档格式:DOC 文档大小:1.11MB 文档页数:8
一、教学目标和教学内容 1.教学目标 使学生掌握循环应力概念、表示方法,循环特征,了解在对称循环时材料的疲劳极限和构件的疲劳极限
文档格式:PDF 文档大小:1.57MB 文档页数:17
金属磁记忆检测技术是一种适用于铁磁材料的新兴的无损检测技术,主要优势在于无需外加激励磁场源,即在天然地磁场的激励作用下,通过测量材料表面的漏磁信号,就能够对铁磁构件的早期损伤进行检测,避免结构或构件发生突然的脆性破坏。针对近10余年金属磁记忆检测技术的研究现状,概述了该技术的理论基础,总结了该技术理论研究、试验研究以及工程应用新进展,探讨了磁记忆检测技术的损伤评判准则,分析了影响磁记忆检测信号的因素,基于此,提出了磁记忆检测技术目前存在的问题和未来的研究发展方向
文档格式:PDF 文档大小:460.76KB 文档页数:5
通过分析银铜颗粒表面铜与氧的反应,计算银铜合金中铜的沉淀析出量、铜在银基体中的扩散速率以及CuO颗粒大小,研究了反应合成AgCuO复合材料中CuO的长大动力学行为.结果表明:在反应合成制备过程中,氧化铜颗粒长大动力学行为满足抛物线规律;银铜合金表面铜与氧的反应是一种铜扩散控制型反应,该氧化铜颗粒的长大与铜在银铜合金中的含量、扩散速率和所处位置(晶内、晶界)有关.计算得到的CuO颗粒大小与实际获得的氧化铜颗粒大小相吻合
文档格式:PDF 文档大小:673.53KB 文档页数:5
选用侧链含有双元光敏基团的梯形聚硅氧烷材料作为光取向材料,采用偏光显微镜(POM)及晶体旋转法,研究了梯形聚硅氧烷光取向层的制备条件,包括取向剂浓度、紫外光辐照度及光照时间对光取向层的取向行为的影响.结果表明,取向剂浓度越大,光敏基团更易于组装成垂直取向状态,进而诱导液晶分子形成垂直取向的分子排列方式.在一定的紫外光辐照度范围内可以有效地引起偶氮苯光敏基团的面内、面外异构化及再取向,有利于取向层诱导液晶分子形成平面取向的分子排列方式.紫外光光照时间的增加有利于取向层诱导液晶分子形成平面取向的分子排列方式
文档格式:DOC 文档大小:998.5KB 文档页数:14
一、教学目标和教学内容 1.教学目标 通过本章学习,唤起学生对动荷载问题的注意。 让学生知道动荷载问题的两个方面,目前应当掌握在较简单的工程问题中, 动荷载引起杆件的应力、应变和位移的计算。对于材料在动荷载下的力学行为, 以后根据工作的需要再进一步补充学习
文档格式:PPT 文档大小:32KB 文档页数:6
5.4无机材料的电导 5.4.1玻璃态电导 玻璃与晶体的比较,玻璃具有: 结构疏松 组成中有碱金属离子 势垒不是单一的数值,有高有低
文档格式:DOC 文档大小:55KB 文档页数:3
一、教学目标和教学内容 1.教学目标 明确材料力学的任务,理解变形体的的基本假设,掌握杆件变形的基本形式
文档格式:PDF 文档大小:420.05KB 文档页数:5
在强制对流的条件下,研究了锆刚玉莫来石-氮化硼复合材料的热疲劳行为,给出了亚临界裂纹扩展的激活能和应力强度因子指数
文档格式:PPT 文档大小:18KB 文档页数:2
电介质:在电场作用下,能建立极化的一切物质。通常 是指电阻率大于100g2cm的一类在电场中以感应而并非 传导的方式呈现其电学性能的物质。 陶瓷电介质的主要应用:电子电路中的电容元件、电绝 缘体、谐振器。某些具有特殊性能的材料,如:具有压 电效应、铁电效应、热释电效应等特殊功能的电介质材 料在电声、电光等技术领域有着广泛的应用前景。 电介质的主要性能:介电常数、介电损耗因子、介电强 度 目前的发展方向:新型器件的研制、提高使用频率范围 扩大环境条件范围,特别是温度范围
文档格式:PDF 文档大小:1.35MB 文档页数:9
采用反应烧结法制备了MgAlON结合的镁质、镁铝尖晶石质和刚玉质试样,研究了不同主晶相对MgAlON单相结合相形成温度的影响及化学反应引起的体积膨胀和氧化物挥发对材料烧结的影响.结果表明:虽然用以形成MgAlON结合相的混合细粉的组成和数量都相同,但MgAlON结合的镁质、镁铝尖晶石质和刚玉质试样中形成MgAlON单相结合相的温度是不同的,依次呈升高趋势;MgAlON结合镁质试样在烧成过程中体积显著膨胀,MgO大量挥发,烧后试样镁砂颗粒和基质结合松散,密度低,强度小;MgAlON结合刚玉试样在烧成过程中体积膨胀小,氧化物挥发少,烧后试样刚玉颗粒和基质结合紧密,密度较高,强度较大;而MgAlON结合镁铝尖晶石试样烧成过程中的体积膨胀量、氧化物挥发量,烧后试样颗粒和基质的结合程度、密度和强度都介于前两者之间
首页上页119120121122123124125126下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 1328 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有