2.3半导体三极管的基本分析方法 引言 2.3.1直流分析 2.3.2交流分析

1.1半导体的基本知识 1.2PN结及半导体二极管 1.3特殊极管 1.4半导体三极管 1.5场效应晶体管

基于实际的工程参数建立了高压直流干扰电场计算模型，利用数值模拟计算技术对高压直流干扰大幅值管地电位的产生原因进行探究。考察接地极与管道之间的间距、管道防腐层类型、管道长度及土壤结构等因素对高压直流干扰下管地电位的影响规律，得到高压直流干扰大幅值管地电位是在接地极与管道距离较近、防腐层的绝缘性能较高、管道长度较大及上低下高的土壤电阻率分层结构共同作用下产生的

1.1 半导体的基本知识 1.2 PN 结及半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体三极管 1.5 场效应晶体管

• 1.1 半导体的基本知识与PN结 • 1.2 半导体二极管 • 1.3 特殊二极管 • 1.4 半导体三极管 • 1.5 场效应晶体管

烟台理工学院：《数字电路与逻辑设计》课程教学资源（课件讲稿）第二章 门电路 2.2 半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性

§ 1.1 半导体的基础知识 § 1.2 半导体二极管 § 1.3双极型晶体管 § 1.4场效应管

重点：是从使用的角度出发掌握半导体二极管、晶体管和场效应管的外部特性和主要参数。因此，讲述管子的内部结构和载流子的运动的目的是为了更好地理解管子的外特性，应引导学生不要将注意力过多放在管子内部，而以能理解外特性为度。难点：半导体中载流子的运动以及由载流子的运动而阐述的半导体二极管、晶体管和场效应管的工作原理是学习的难点

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