本章内容 一、Linux系统引导过程 二、引导装载程序GRUB 三、Red Hat救援模式 四、init过程

第一节 单相均匀无损耗线路上的行波 第二节 波的折射和反射 第三节 波通过串联电感和并联电容 第四节 波在有限长线段上的多次折反射 第五节 波在平行多导线系统中的传播 第六节 波的衰减和变形 第七节 变压器绕组中的波过程

一、检测过程与测量误差 二、过程参数的一般检测原理 三、变送器的基本特性和构成原理 四、变送器的若干共性问题

采用一价铜盐为催化剂、二甲基甲酰胺为溶剂,在均相体系中催化3-氯-1-丁烯异构化生成1-氯-2-丁烯.考察了溶剂、反应温度、催化剂种类和加入量对反应的影响,研究发现反应温度和催化剂的加入量对异构化反应有较大影响.在最优条件3-氯-1-丁烯1mL,二甲基甲酰胺9mL,CuCl0.10g,60℃反应5h,产物和原料的浓度比为3.88mmol•L－1.采用在线红外光谱对反应过程进行监测,检测到有红外吸收峰在反应过程中先增加后减少的变化过程,提出了可能的反应机理

长时记忆的信息提取有两种基本形式,即再认和 回忆。 )再认 1、什么是再认 再认是指人们对感知过、思考过或体验过的事物, 当它再度呈现时,仍能认识的心理过程

一、生产过程和过程控制 二、过程控制的特点和计算机的作用 三、过程控制的组成和术语 四、过程控制系统的分类 五、过程控制系统的性能指标 六、过程控制系统的发展概况

采用X-射线衍射(包括小角度衍射方法)研究了低温气相生长金刚石薄膜和单晶硅衬底之间的界面过度层。发现在较高温度下(700℃)过渡层为α-SiC,在较低沉积温度范围(580-290)℃过渡层则由α-SiC和SiO2所构成。对界面层中α-SiC和SiO2的晶体结构以及金刚石薄膜面间距进行了讨论

对VOD真空精炼不锈钢过程中普遍存在的一种棘手的工艺控制问题——\真空喷溅\进行了研究与讨论.首先,阐述了真空喷溅的形成原因、表现形式以及带来的危害;其次,介绍了大生产中有效预防和控制真空喷溅的具体措施.结果表明,真空喷溅的事前预防可以通过稳定VOD起始钢水条件及加强VOD钢包状态管理来实现,真空喷溅有效控制的关键是合理控制VOD真空精炼过程及相关参数,此外,真空盖系统的革新设计也可以在一定程度上削弱真空喷溅的危害

讨论了转炉溅渣护炉过程中各参数的影响,试验以修正的弗鲁德数(Fr)作为相似基础。实验室采用石蜡加淀粉对30t转炉进行了模拟研究,通过对试验数据的处理和分析,得到了最佳的工艺参数:氮气流量约为8500m3/h,溅渣时间为3min,枪位为0.8m;向渣中加入氧化镁或碳粒以调整成分是必要的;炉渣温度过高,流动性过好,溅起的炉渣难以凝结在炉衬中

利用Cu/Al电偶对模拟LY12铝合金在铈盐溶液中的成膜过程.电偶对在铈盐溶液中,电偶电流由开始的0.08mA降低为0.005mA,表明有阻滞腐蚀的作用出现;电偶电位随时间负移,这是腐蚀反应中阴极过程受阻滞的表现.浸泡8h后,Cu片上形成了一层黄色膜层.SEM,EDX分析表明,Cu片上形成了富含铈的裂纹状膜层