采用微波等离子体CVD两段式低温沉积技术,在700~400℃温度范围内沉积了红外增透性良好的金刚石薄膜,结果表明,采用高甲烷浓度可以实现较低沉积温度下的高密度形核,获得光学平整的金刚石薄膜,施加直流偏压的方法在低温下对金刚石形核的促进作用不明显,实验观测到的最大增透率达20%,最大红外透射率接近80%,可满足不同气氛下金刚石容器的应用

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好

◆本课程是电子科学与技术专业研究生的专业基础课，主要讲授电磁场的基本理论、分析方法和应用。 ◆通过该课程的学习，可以使学生在学习《电磁场与电磁波》等课程的基础之上，进一步结合无线通信技术、微波技术和天线工程等对电磁理论的要求，掌握电磁场的基本理论，熟悉分析电磁问题的一些基本方法，了解现代电磁理论的主要应用领域。 本课程是研究生的专业基础课，主要讲授电磁场的基本理论、 分析方法和应用。 ◆课程兼有专业基础课程和专业课程的特点，主要目的在于使学生掌握在电磁场领域从事科学研究的基础知识，培养和提高学生分析和解决实际电磁问题的能力。 1. 教学目的和要求 2. 教学内容 3. 教材介绍 4. 参考书目 5. 学习方法

1 微波基本测量 2 二维电场的模拟实验 3 电磁波的布拉格衍射实验 4 射频图像传输 5 偏振光实验 6 光源光谱特性的测量 7 光磁共振实验 8 半导体光电导实验 9 光栅实验 10 单色仪的标定实验 11 迈克尔逊干涉仪 12 半导体光伏效应实验 13 半导体霍尔效应实验 14 PN 结正向压降温度特性实验 15 半导体少数载流子寿命测量 16 四探针测电阻率实验

对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的

利用微波等离子体辅助化学气相沉积的方法,以H2、CH4和D4(八甲基环四硅氧烷)为沉积先驱物,探索了一种在硬质合金基底上制备出含Si元素的金刚石涂层的新工艺.试图利用这种新的方法,进一步提高金刚石涂层对硬质合金基底的附着力.实验结果表明:当D4的流量相对CH4的流量较大时,得到球团状的胞状组织;只有当D4和CH4的流量相当的情况下,才能沉积出质量较好的金刚石涂层,同时又含有少量的Si使金刚石涂层的附着力较好

研究了在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)条件下,聚乙烯对金刚石在单晶硅衬底上形核的影响.发现预先涂覆在硅衬底的聚乙烯显著地促进了金刚石的形核;提出了聚乙烯促进金刚石形核的机理和具有SP3杂化结构的含碳活化粒子过饱和度概念及其促进金刚石形核的观点

应用微波等离子体辅助的化学气相沉积(MPCVD)工艺成功地实现了金刚石薄膜在700-790℃范围内的低温沉积.发现氧在CH4-H2系统中的引入不仅可以减小或消除Raman谱上位于1550cm-1的非金刚石特征峰,而且还使位于1332cm-1的金刚石特征峰半高宽显著减小。正是由于原子态氧在较低温度下具有远比原子态氢强烈得多的对石墨和类金刚石碳的刻蚀作用,才用金刚石的低温生长得以顺利进行。本文详细报导了金刚石薄膜低温沉积工艺及其所得薄膜的表征结果,并就Bachmann等最近提出C-H-O金刚石相图针对低温沉积数据进行了讨论

《工程科学学报》：微波加热金属液体的实验研究

《工程科学学报》：微波场下的钒渣氯化动力学