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《芯片制造半导体工艺实用教程》教学课件(PPT讲稿)第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
稀土硅镁合金中稀土总量的测定——偶氮胂Ⅲ分光光度法
文档格式:PDF 文档大小:452.5KB 文档页数:6
在水-乙醇介质中,稀土与偶氮胂Ⅲ在pH为1.2~2.1的酸度范围内可形成1:2的紫红色络合物,摩尔吸光系数高达8.2×104l·mol·cm-1,含稀土总量为0~50μg/25ml范围内服从比尔定律。铁的干扰采用EDTA掩蔽,避免了复杂的分离手续。该方法具有较高的灵敏度,选择性、重现性良好,用于稀土硅镁合金中稀土总量的测定,分析结果满意,已用于生产
胶质芽孢杆菌HJ07的UV与NTG诱变育种及其对铝土矿浸矿效果
文档格式:PDF 文档大小:8.98MB 文档页数:11
以从河南铝土矿样筛选出的一株胶质芽孢杆菌HJ07为出发菌株,对其进行紫外(UV)与亚硝基胍(NTG)诱变育种及铝土矿浸矿脱硅研究.分别通过紫外线照射120 s与采用质量浓度为600 mg·L-1的亚硝基胍处理,出发菌株HJ07的致死率分别达到89%与90%,正突变率分别达到16.5%与18.7%.从突变菌株中筛选所得的两株菌种UV-2与NTG-5的生长代谢活性与脱硅能力明显比出发菌株高.在铝土矿浸出体系中,UV-2与NTG-5达到生长稳定期的时间比HJ07分别缩短了48 h与24 h,且生长稳定期具有更大的细菌浓度.浸矿12 d后,UV-2与NTG-5菌株浸出液中SiO2的质量浓度分别比HJ07提高了约25.6%与12.5%,且达到浸出终点的时间分别缩短了3 d和2 d.UV-2与NTG-5菌株较出发菌株HJ07具有更强的产酸与产胞外聚合物的能力.被UV-2菌株作用后的铝土矿表面的溶蚀程度更加显著,矿物表面形成了明显的菌胶团
硅、锰和轧制工艺对双相钢组织与性能的影响
文档格式:PDF 文档大小:476.66KB 文档页数:6
利用Gleeble-1500热模拟试验机对试验钢进行了模拟热轧.研究了合金元素硅、锰和终轧温度、轧后冷速和轧制变形对试验钢双相组织形成和性能的影响.结果表明:在试验工艺参数范围内,试验钢均获得双相组织,其稳定性较好.导出了估算热轧空冷Si-Mn双相钢的fM和fFp值的计算式,计算值和实测值吻合.热轧参数对试验钢硬度的影响较小
中碳铝硅镇静钢连铸坯的高温延塑性
文档格式:PDF 文档大小:422.65KB 文档页数:5
采用Gleeble-1500热模拟实验机测试了宝钢生产的易出现角横裂纹缺陷的中碳铝硅镇静钢GR4151连铸坯的高温延塑性,并通过金相、扫描电镜等方法对拉断后试样的断口及组织形貌进行了分析检验,结果表明:GR4151钢在熔点~700℃的温度区间存在2个脆性区域,即熔点~1330℃的第Ⅰ脆性区和860~740℃的第Ⅲ脆性区,第Ⅲ脆性区内,γ单相域AlN等氮化物在γ晶界析出和在γ+α两相区先共析铁素体呈网状并在γ晶界析出是造成脆化的主要原因,本文还提出了避免产生角横裂纹缺陷的措施
清华大学:《通信电路原理》教学资源(PPT课件)射频通信电路(绪论、第1章 微波晶体管放大电路 §1.1 微波晶体管种类与特性 §1.2 BJT硅双极型微波晶体管 §1.3 微波场效应晶体管 §1.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT, SiGe HBT)
文档格式:PPT 文档大小:735KB 文档页数:36
§1.1 微波晶体管种类与特性 §1.2 BJT硅双极型微波晶体管 §1.3 微波场效应晶体管 §1.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT, SiGe HBT §1.5 小信号微波晶体管放大器 §1.6 放大器噪声参数 §1.7 微波晶体管放大器设计 §1.8 微波功率放大器
超声对熔盐电解法制备Al-7Si-Sc合金组织的影响
文档格式:PDF 文档大小:10.21MB 文档页数:7
Al-Si系合金在现代工业、交通等领域广泛应用,合金元素钪可进一步改善其加工和使用性能.采用超声协同熔盐电解法制备Al-7S-Sc三元合金,研究探索超声作用对合金组织及强化相分布的影响.发现超声协同熔盐电解制得合金中Sc含量提高,团簇共晶硅组织和AlSi2Sc2相显著细化,共晶硅团簇尺寸由约500降低至200 μm,减小约60%,细化后AlSi2Sc2相分布均匀.超声协同电解法可显著优化Al-7Si-Sc合金组织,有助于控制改善现行工艺中合金元素偏聚、组织不均匀现象
原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的900℃长期氧化行为
文档格式:PDF 文档大小:5.7MB 文档页数:8
研究了不同体积分数原位合成SiC颗粒增强MoSi2基复合材料在900℃空气中1000 h的长期氧化行为.复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象.6种材料都表现出优异的氧化抗力,原位合成的复合材料的氧化抗力好于传统的通过热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料).复合材料氧化膜表层为连续致密的α-SiO2(α-石英),下层为Mo5Si3,复合材料的氧化过程不仅是O2与MoSi2的作用,SiC也同时发生了氧化.材料900℃下发生硅的选择性氧化,正是这种硅的选择性氧化在MoSi2的表面自发形成一层致密的SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期氧化抗力
《有机化学》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 概述
文档格式:PPT 文档大小:216.5KB 文档页数:16
一、 概 述 有机化学:研究有机化合物的组成、结构、性质及其合 成方法的化学。 有机化合物:含有碳元素的化合物,其它元素包括氢、 氧、氮、硫、磷、卤素及一些金属元素。其它一些不含 碳元素的有机化合物,如硅氧烷等有机硅类化合物
连续退火工艺对低硅型冷轧低合金高强钢板力学性能的影响
文档格式:PDF 文档大小:666KB 文档页数:5
利用多功能连续退火模拟器Multipas对屈服强度为380MPa的低硅型冷轧低合金高强钢板连续退火生产工艺进行了模拟,研究了在820,800,780℃三种不同退火温度和60,120,160m·min-1三种不同退火速度下,连退工艺对冷轧低合金高强钢板组织、力学性能的影响.结果表明,在不同的退火温度、退火速度下钢板退火组织的晶粒度基本相同,采用较低的退火温度和较高的退火速度时,可获得较好的强化效果.同时指出,在较高的连续退火温度下,退火速度对力学性能的影响较为显著
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