1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

第一阶段:传统的光学装置及仪器,不能胜任对 复杂光信息高速采集和处理的要求 第二阶段:半导体集成电路技术,可以将探测器 件及电路集成在一个整体中,也可以将具有多个 检测功能的探测器件集成在一个整体中。其价格 低,体积小。例如,将图形、物体等具有二维分 布的光学图像转换成电信号的检测器件是把基本 的光电探测器件组成许多网状阵列结构,引人注 目的器件CCD就是一种将阵列化的光电探测与扫 描功能一体化的固态图像检测器件。它是把一维 或二维的光学图像转换成时序电信号的器件,能 广泛引用于自动检测、自动控制,尤其是图像识 别技术

§13-1电场中的导体 §13-2静电平衡导体上的电荷分 §13-3 有导体时静电场的分析与计算 §13-4静电屏蔽 §13-5 电容器 §13-6 电介质对电场的影响 §13-7 电介质的极化 §13-7 电介质的极化 §13-8 D矢量及其高斯定理 §13-9 电容器的能量

§11-1 电荷 §11-2 库仑定律与叠加原理 §11--3 电场和电场强度 §11-4 静止的点电荷的电场及其叠加 §11-5电场线的电通量 §11-6高斯定理 §11-7利用高斯定理求静电场的分布

采用高温热解方法成功地合成了高容量硅/碳复合负极材料.通过X射线衍射分析、热重分析、扫描电子显微镜观察、透射电子显微镜观察、恒电流充放电测试、循环伏安法等手段研究了复合材料的性能.结果表明:硅/碳复合材料由Si、C以及少量SiO2组成;硅/碳复合材料中碳的质量分数约在39%左右;经电化学性能测试,在电流0.2 m A下,该硅/碳复合材料首次充电容量768 m Ah·g-1,首次库仑效率75.6%,70次循环后可逆比容量仍为529 m Ah·g-1,平均容量衰减率为0.44%.这些性能改善归因于硅/碳复合材料中碳的引进,硅表面存在的碳涂层提供了一个快速锂运输通道,降低了电池的阻抗并且充放电过程中稳定了电极的组成

第一部分 电阻电路的分析 第二部分 动态电路的分析 第三部分 正弦稳态分析

电枢电动势产生:电枢旋转时,主磁场在电枢绕组中感应的电动势简称为电枢电动势

采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱、Mott-Schottky曲线等电化学方法研究了以308 L为焊丝的304 L不锈钢焊接接头在不同氯离子含量的混凝土模拟孔隙液中腐蚀行为和电化学规律.随Cl-增加,304 L不锈钢焊接接头的三个区域(母材、焊缝和热影响区)在混凝土模拟孔隙液中的自腐蚀电位、点蚀电位及电荷转移电阻降低,钝化膜中载流子密度和焊接接头的点蚀坑数量增加.在同浓度的腐蚀溶液中,308 L的焊缝区域耐蚀性最佳,热影响区次之,304 L基体表现出低的电荷转移电阻和高的掺杂浓度使得母材的耐蚀性最差

选取商业纯铝和超硬铝作为锌电积阴极,在ZnSO4-H2SO4体系中通过电化学测试研究两种阴极的电化学行为,同时利用扫描电镜观察铝合金上电积锌初期形核,X射线衍射分析锌片结晶取向.研究结果表明：500 A·m-2电流密度下纯铝阴极的析出电位和交换电流密度分别为-1.541 V和7.74×10-11 A·cm-2,超硬铝阴极分别为-1.496 V和6.07×10-3 A·cm-2.合金元素的添加会增加初期形核位置,提高形核速率,而形核速率的提高在一定程度上抑制卤族元素对阴极的腐蚀.沉积3 h后,锌片结晶取向没有发生变化.超硬铝易发生烧板和鼓泡,电流效率低,只有84.54%;纯铝电流效率达到88.04%,且沉积锌平整、光滑,但阴极板容易被卤族元素腐蚀

外商来合资的目的不是想把电机产业做强做大,只为占领中国市场,或通过流 通戏法赚钱 大电机嫁错了郎,二电机为人做嫁衣 原大连电机厂(简称大电机)成立于1946年,曾经是中国最大的电机生产 企业,也是中小型交流电机的大型骨干企业。合资前,其生产规模、产品质量、生 产工艺和技术水平曾在国内处于领先地位。 从1993年起,由于种种原因,大电机开始亏损,资产负债率达到86%,被 迫举债维持经营