4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

§2.1 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 §2.2 放大的概念与放大电路的性能指标 一、放大的概念 二、放大电路的性能指标 §2.3 基本共射放大电路的工作原理 §2.4 放大电路的分析方法 一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解法 三、等效电路法 §2.5 静态工作点的稳定 §2.6 晶体管放大电路的三种接法 §2.7 多级放大电路 §2.8 放大电路的频率特性 一、频率响应和频率失真 二、放大电路的频率响应和瞬态响应 三、晶体管的高频特性 四、单管共射放大电路的频率响应 五、放大电路的增益带宽积 六、多级放大电路的频率响应

本章重点 9.1阻抗和导纳 9.3正弦稳态电路的分析 9.4正弦稳态电路的功率 9.5复功率 9.6最大功率传输

第十讲多级放大电路的耦合方式及分析方法 一、多级放大电路的耦合方式 二、多级放大电路的动态分析

9-3 拉普拉斯反变换 9-4 拉普拉斯变换分析法

2.4.1 二极管V- I 特性的建模 2.4.2 应用举例

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