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利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好
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第一节 黑体辐射(红外、可见光波段的辐射) 第二节 光电效应(photo-electric effect) 第三节 康普顿效应(Compton effect) 第四节 物质的波动性质
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光电成像理论与技术(书籍文献)可见光图像传感器资料——线阵ccd-TCD1206SUP
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光电成像理论与技术(书籍文献)可见光图像传感器资料——CMOS-MT9P031-D
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浙江科技大学:《无机与分析化学》课程教学资源(教案讲义)第十二章 可见光分光光度法
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§6.1 紫外吸收光谱分析 §6.2 光吸收基本定律 §6.3 分光光度计 §6.4 分光光度法的设计 §6.5 分光光度法的应用
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浙江科技大学:《无机与分析化学》课程教学课件(打印版)第10章 可见光分光光度法
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6.1 低功耗广域网 6.2 毫米波通信 6.3 声音通信 6.4 可见光通信 6.5 跨协议通信
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光电成像理论与技术(书籍文献)可见光图像传感器资料——帧转移 DATA SHEET FT18 1M Frame Transfer CCD Image Sensor
文档格式:PDF 文档大小:684KB 文档页数:29
光电成像理论与技术(书籍文献)可见光图像传感器资料——CMOS-MT9M001
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