采用高速电镀实验装置强制电解液湍流运动,在高电流密度下,对简单硫酸盐体系中Zn-Ni合金电沉积规律进行了研究,证明Zn-Ni共沉积为异常共沉积,镀液中[NI]/[Ni+Zn]比及电流密度增加,镀层镍含量上升;镀液流速增加,镍含量下降。确定了高速电镀该合金工艺

一、理解静电场中导体处于静电平衡时的条件， 二、并能从静电平衡条件来分析带电导体在静电场中的电荷分布. 三 、理解电容的定义，并能计算几何形状简单的电容器的电容. 四、了解静电场是电场能量的携带者，了解电场能量密度的概念，能用能量密度计算电场能量

一、基本内容 1导体静电感应 (1)导体内部电场强度为零 (2)导体表面电场强度垂直导体表面; (→该点附近处导体表面的电荷面密度) (3)导体是等势体 (4)导体电荷分布在外表面,孤立导体的电荷面密度沿表面分布与各处曲率有关

在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比.在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV·cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1·cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求

利用量子化学的SCF-Xα-SW电子结构计算方法,计算得到了RE4Cr2O9(RE=La,Pr, Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,Er)等体系的电子态密度分布、费米能和能隙宽度等电子结构参数,并结合 RECrO3导电陶瓷的导电特征,分析了导电性能和电子结构参数之间的关系.研究表明:随着RE原子序数的增加,其费米能附近的态密度依次增大,主要为f电子,非f电子数量逐渐减少,因此,参与导电的电子应与f电子无关.这是RECrO3导电陶瓷电导率随RE原子序数增大而下降的主要原因

采用动电位极化曲线和动电位电化学阻抗谱对含不同浓度Cl-和HCO3-溶液体系中N80钢的阳极电化学行为进行了研究.溶液体系中不含Cl-的情况下,HCO3-的浓度超过0.03 mol·L-1时可使N80钢发生钝化.Cl-能极大提高发生钝化的HCO3-浓度临界值,同时对材料表面的钝化膜具有强烈的破坏作用.在阳极区,同等HCO3-浓度下,含Cl-的溶液体系中点蚀电位下降,维钝电位区间变窄,维钝电流密度升高.动电位电化学阻抗谱结果与动电位极化曲线基本对应.等效电路中电器元件与极化电位的关系表明,在含Cl-的溶液体系中N80钢的钝化膜粗糙度与致密性均有所下降,维钝电流密度升高主要由电荷转移电阻的降低所致

提出了一种高孔隙率开孔泡沫金属的结构简化几何模型,运用热电比拟理论在胞孔尺度上分析并求解了有效热导率的计算表达式,并根据已有实验数据进行模型修正.同时模拟分析了金属泡沫三维矩形通道内空气流动的对流换热情况,与实验结果进行了对比验证.研究表明,本文提出的胞孔有效热导率修正模型对铝泡沫金属有一定的适用性;相同孔隙率条件下,泡沫金属通道内强制对流的对流换热系数随孔密度的增加(即孔径的减小)而增大,但付出的代价是阻力也随之增大;相对而言,低孔密度的泡沫金属具有较好的对流换热综合性能

一、自感线圈磁能 二、磁场能量密度

1. 声子态密度——频谱密度 2. 确定振动谱的实验方法 3. 例题 4. 晶格振动总结

应用高能量密度等离子体对Fe3Al进行微晶化处理,在合金表面获得了晶粒尺寸介于10~100nm的微晶层。对比研究了铸态Fe3Al微晶处理前后在空气中1000℃高温氧化的行为和规律,发现微晶化处理后,合金表面在氧化过程中形成了微晶氧化膜,极大地改善了氧化膜的塑性和粘附性,氧化速率显著降低,氧化动力学服从4次方规律