直升机的特殊飞行状态,是指飞行中飞行员不 期望岀现的,由于气动特点、结构因素、飞行环境 飞行员操纵以及故障等原因引起的非正常飞行状 态 包括:涡环状态、旋翼自转下降及着陆、莢翼 失速、单发停车、驾驶员诱发振荡、尾桨失效等

从土壤和活性污泥中筛选到三株絮凝剂产生菌,将其进行双菌混合培养的正交试验,构建出了比单一菌所产絮凝剂絮凝活性更高的复合菌群LH,通过16SrRNA序列分析,初步判定二菌分别为Micrococcus sp.和Paenibacill usvelaei菌.对其性质的初步研究发现,复合菌LH所产絮凝剂MBF-LH为胞外代谢产物,其热稳定性好.LH产絮凝剂的最适碳源、最适培养温度、最适pH值和通气量分别为蔗糖、30℃、pH8和120r/min恒温振荡培养.培养基中添加KCl、CaSO4、K2HPO4能明显提高发酵液絮凝率.絮凝剂MBF-LH处理废水时具有用量少、絮凝率高的特点

第 1 章 简介 1-1 第 2 章 CPU 2-1 第 3 章 数据存储器 3-1 第 4 章 程序存储器 4-1 第 5 章 闪存和 EEPROM 编程 5-1 第 6 章 复位中断 6-1 第 7 章 振荡器 7-1 第 8 章 复位 8-1 第 9 章 低压检测 （LVD） 9-1 第 10 章 看门狗定时器和低功耗模式 10-1 第 11 章 I/O 端口 11-1 第 12 章 定时器 12-1 第 13 章 输入捕捉 13-1 第 14 章 输出比较 14-1 第 15 章 电机控制 PWM 15-1 第 16 章 正交编码器接口 （QEI） 16-1 第 17 章 10 位 A/D 转换器 17-1 第 18 章 12 位 A/D 转换器 18-1 第 19 章 UART 19-1 第 20 章 串行外设接口 （SPITM） 20-1 第 21 章 I2CTM 模块 21-1 第 22 章 数据转换器接口 （DCI） 22-1 第 23 章 CAN 模块 23-1 第 24 章 器件配置 24-1 第 25 章 开发工具支持 25-1 第 26 章 附录 26-1

以溴代十六烷基吡啶改性沸石为吸附分离材料,研究了其对水中Cr(Ⅵ)去除率的影响和吸附等温线以及吸附机理.结果表明,在改性沸石粒度为0.25~0.38mm、用量30g·L-1、溶液pH=6、25℃的条件下振荡吸附30min,水中Cr(Ⅵ)的去除率达到93%以上.改性沸石对水中Cr(VI)的吸附符合Langmuir等温吸附线,对Cr(Ⅵ)的饱和吸附量每100g改性沸石达到36.78mg.X射线衍射分析表明,改性沸石结构中吸附了溴代十六烷基吡啶分子基团C21H38NBr,红外光谱分析证明正是这一基团造成了改性沸石对水中Cr(Ⅵ)的吸附去除

通过Gleeble热模拟实验机模拟了X100管线钢的粗晶热影响区（CGHAZ）及再热临界粗晶热影响区（ICCGHAZ）微观组织。采用电化学测试、浸泡实验及表面分析技术研究了交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ在库尔勒土壤溶液中的腐蚀行为。结果表明：交流干扰下X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ都表现为活性溶解，平均腐蚀速率随交流电流密度的增大而增加。交流干扰造成的极化电位振荡幅值及微观组织对X100管线钢母材、CGHAZ及ICCGHAZ的平均腐蚀速率和腐蚀形貌有着重要影响。在5 mA·cm?2交流电流密度干扰下，母材的腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，ICCGHAZ的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都居中；在20 mA·cm?2及50 mA·cm?2交流电流密度干扰下，ICCGHAZ腐蚀电位最负、平均腐蚀速率最大，母材的腐蚀电位最正、平均腐蚀速率最小，CGHAZ的腐蚀电位及平均腐蚀速率都仍居中。在20 mA·cm?2交流电流密度交流干扰下，X100管线钢发生局部腐蚀，CGHAZ、ICCGHAZ发生明显的晶界腐蚀，GCHAZ晶界腐蚀形貌呈缝隙状、ICCGHAZ晶界腐蚀形貌为连续孔洞

第六章放大电路中的反馈 自测题 一、在括号内填入“√”或“×”,表明下列说法是否正确。 (1)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。 () (2)负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数 量纲相同。() (3)若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不 变。 () (4)阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后, 越容易产生低频振荡。()