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SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展
文档格式:PDF 文档大小:1.29MB 文档页数:10
SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型(Song模型和Massoud经验关系式)以及硅碳排放模型(Si?C emission model)进行系统研究和比较。在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路
《固体物理学》课程教学资源(讲义)第七章 半导体电子论(7.5)非平衡载流子
文档格式:PDF 文档大小:417.37KB 文档页数:4
N型半导体中的主要载流子是电子,同时也有少量的空穴载流子,电子被称为多数载流子一一多子。 空穴被称为少数载流子一一少子。 P型半导体中的主要载流子是空穴,同时也有少量的电子载流子,空穴被称为多数载流子一一多子。 电子被称为少数载流子一一少子。 在热平衡下,半导体中的杂质电子,或价带中的电子通过吸收热能,激发到导带中(载流子的产生), 同时电子又可以回落到价带中和空穴发生复合(载流子的复合),最后达到平衡时,载流子的产生率 和复合率相等,电子和空穴的浓度有了一定的分布
一种消除磁阻脉冲传感器温度影响的新方法
文档格式:PDF 文档大小:374.58KB 文档页数:4
提出了一种克服外界缓变物理量(如温度)对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法.与传统的电压直接比较法相比,该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势,与外界缓变物理量温度等的变化无关;然后整形成矩形彼,有效地消除了温度漂移的影响,提高了传感器的稳定性.此外,还分析了信号处理电路中各参数的选取及注意事项等
《半导体物理》讲义(台湾教学课件)
文档格式:PPT 文档大小:1.99MB 文档页数:28
一、何謂半導體? 二、半導體之分類 三、半導體之純度 四、半導體材料之結構 五、一般晶格所常用之術語 六、半導體材料之獲得? 七、塊材與薄膜之關連
中国科学技术大学物理系:《半导体物理学 Physics of Semiconductors》课程教学资源(PPT课件讲稿)第五章 PN结
文档格式:PPT 文档大小:1.65MB 文档页数:94
§1 PN结的基本物理概念 §2 PN结的电流电压特性 §3 PN结的电容效应 §4 PN结的隧道效应 §5 PN结的光生伏特效应
电子科技大学:《半导体物理》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四篇 载流子的漂移运动迁移率
文档格式:PPTX 文档大小:296.97KB 文档页数:26
一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想载流子 定向运动,即漂移运动。 结论:在严格周期性势场(理想)中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度,其漂移速度应越来越大
中国科学技术大学物理系:《半导体器件原理》课程教学资源(PPT课件)第三章 双极型晶体管
文档格式:PPT 文档大小:3.36MB 文档页数:138
§3.1 基本原理 §3.2 直流IV特性 §3.3 晶体管模型 §3.4 频率特性 §3.5 击穿特性 §3.6 功率特性 §3.7 开关特性 §3.8 晶体管的设计 §3.9 异质结晶体管HBT
延安大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版)教学大纲
文档格式:PDF 文档大小:625.99KB 文档页数:7
本课程是电子信息工程、通信工程、计算机及物理等专业本科生的专业基础课,本课程的主要任务是学习常用的半导体器件的结构、导电机制、伏安特性及其主要参数,在此基础上进一步学习各种电子电路的基本组成、工作原理和分析方法,使学生初步掌握电子电路的分析计算和设计方法,以便为学习数字电子技术、高频电路、通信电子线路和信号与系统等后续课程提供必要的基础理论知识。在学习本课程前学生需要具备工程数学、物理和电路分析等方面的知识
长江大学:《大学物理》课程教学资源(物理实验报告)霍尔效应的实验
文档格式:PDF 文档大小:4.25MB 文档页数:14
所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备
《固体物理》课程讲义PPT:第一章 半导体材料——晶向、晶面和它们的标志
文档格式:PPT 文档大小:372KB 文档页数:17
1.3晶向、晶面和它们的标志 1.3.1晶向及晶向指数 1.晶向 通过晶格中任意两个格点 连一条直线称为晶列,晶列的 取向称为晶向,描写晶向的一 组数称为晶向指数(或晶列指数 过一格点可以有无数晶列
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