9.1 概述 9.1.1 金属材料的腐蚀分类 9.1.2 非金属材料腐蚀的分类 9.1.3 影响金属腐蚀的因素 9.2 环境处理的方法 9.3表面覆盖层防腐方法[3,5] 9.4 防腐蚀 衬里[3,4] 9.5 电化学保护技术[1,3] 9.6 防腐蚀施工与检验[5,6,7] 9.6.1 施工准备 9.6.2 施工人员责任制和安全防范制度的建立与执行 9.6.3 防腐蚀基体的处理与施工 9.6.4 工程验收 9.7 设备设计时防止腐蚀的方法简介

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

实验一 纯液体饱和蒸气压的测定 实验二 燃烧热的测定 实验三 二组分金属相图 实验四 原电池电动势的测定及其应用 实验五 蔗糖水解反应速度常数的测定 实验六 乙酸乙酯皂化反应速率常数的测定 实验七 双液系的气液平衡相图 实验八 溶液表面张力的测定 ─ 最大气泡法 实验九 胶体的制备与电泳 实验十 纳米氧化锌的制备及表征分析

切削热的产生和传导 被切削的金属在刀具的作用下,发生弹性和塑性变形而耗功,这 是切削热的一个重要来源。此外,切屑与前刀面、工件与后刀面之间 的摩擦也要耗功,也产生出大量的热量。因此,切削时共有三个发热 区域,即剪切面、切屑与前刀面接触区、后刀面与过渡表面接触区, 如图示,三个发热区与三个变形区相对应

一、概述 表面分析技术(Surface Analysis)是对材料外层(the Outer-Most- Layers of Materials(<100A)的研究的 技术。包括:

11.1.1机械零件的失效形式 零件在工作时的受力情况一般比较复杂,往往承受多种应力的复合作用,因而造成零 件的不同失效形式。零件的失效形式有断裂、过量变形和表面损伤三大类型

一、选择题: 1.半径分别为R,r的两个金属球,相距很远。用一根细长导线将两球连接在一起并使它们带电,在忽略导线的影响下,两球表面的电荷面密度之比/o为:

一选择题: 1.半径分别为R,r的两个金属球,相距很远。用一根细长导线将两球连接在一起并使它们带电,在忽略导线的影响下,两球表面的电荷面密度之比

第四节磨削 一、磨削是一种精加工方法。 二、尺寸精度可达T5~1T6 三、表面粗糙度能达到0.8~0.08