采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

提出以椰壳预炭化料为骨料、酚醛树脂为黏结剂制备变压吸附空分制氮用炭分子筛的新工艺路线，包括成型、炭化、水蒸气活化、两步苯气相碳沉积调孔等主要工序；完善了炭分子筛的变压吸附空分评价手段，即以变压吸附空分为基本手段，结合变压吸附脱附尾气总量及其中O2浓度等参数分析，准确表征炭分子筛制备过程中样品的微孔孔容和孔径变化，从而实现对炭分子筛制备工艺参数的精确控制.所得的椰壳基炭分子筛具有较高的抗压强度，其变压吸附空分性能接近商业炭分子筛产品

第一章 电路模型和电路定律 第二章 电阻电路的等效变换法 第三章 电阻电路的一般分析法 第四章 利用电路原理分析电路 第五章 运算放大器电路分析 第六章 非线性电阻电路 第七章 一阶动态电路 第八章 二阶电路 第九章 一阶和二阶非线性电路 第十章 相量法 第十一章 正弦电流电路计算 第十二章 具有耦合电感电路分析 第十三章 三相电路分析 第十四章 非正弦周期电流电路分析

3.1 信号的时域分析 3.1.1 信号的时域波形分析 3.1.2 信号的幅值域分析 3.2 信号的频域分析 3.3 模拟信号的调理 3.3.1 信号调理的目的 3.3.2 信号的放大 3.3.3 信号的调制与解调 3.3.4 信号的滤波

1. 一般方法 2. 二分检索 3. 找最大和最小元素 4. 归并分类 5. 快速分类 6. 选择问题 7. 斯特拉森矩阵乘法

一、依据生态习性的分类 二、依据园林用途的分类 三、依据经济用途分类 四、依据自然分布的分类

利用CFD仿真对首钢1780m3霍戈文内燃式热风炉进行了数值模拟分析,主要研究了空气和煤气混合前在矩形燃烧器中的流动,混合气体在燃烧室的燃烧、含量分布、温度分布、火焰形状以及拱顶的速度分布和温度分布.结果表明:空气喷嘴出口界面和煤气出口截面的流场都存在一定程度的不均匀性;沿燃烧室宽度方向,火焰高度变化剧烈;拱顶出口截面残余极少量的一氧化碳,蓄热室表面烟气速度分布不均,最高温差也很大

前面所讲的共价键(包括杂化轨道形成的σ键)、配位键 等,都是分子内部的作用力它们在化学反应中是重要的,因为化学反应的实质就是旧键的断裂和新键的生成 但影响物质性质,特别是物理性质(尤其是影响工程科 学中材料的力学性能、强度、模量等),并不全是(或并不主要是)分子内部的力,而更重要的是分子与分子之间的作用力在起作用

了解推论分析法、形态分析法、功能分析法以及过程优化的方法在化工过程开发中的应用，结合成人教育学生的工程实践经验通过案例分析初步掌握化工过程分析与合成的一般方法

为了改善M2高速钢中的碳化物分布，通过数值模拟详细分析了结晶器旋转对M2高速钢电渣重熔过程温度场、金属熔池形状的影响，并进一步通过实验室双极串联结晶器旋转电渣炉研究了旋转速率对M2高速钢电渣重熔过程的影响。采用扫描电镜观察并分析了结晶器旋转对电渣锭中碳化物形貌、分布的影响；采用小样电解萃取实验，分析了结晶器旋转速率对碳化物组成的影响。结果发现，随着结晶器旋转速率的增加，渣池的高温区从芯部向边部迁移，温度分布更加均匀；金属熔池的深度变浅，两相区的宽度收窄，从而导致局部凝固时间降低、二次枝晶间距减小。与此相对应，随着结晶器旋转速率的增加，M2电渣锭的渣皮更薄、更加均匀，结晶器对电渣锭的冷却强度更大，碳化物网格开始破碎、变薄，碳化物由片状改变为细小的棒状。X射线衍射分析表明，不论结晶器是否旋转，碳化物的类型始终不变，由M2C、MC和M6C组成，但是随旋转速率增加M2C含量增加，MC和M6C含量降低。碳化物组织得以改善的主要原因在于，结晶器旋转导致金属熔池深度降低、两相区宽度收窄，改善了凝固条件，减轻了元素偏析