所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

一、晶体中电子的速度 二、电子在外电场作用下的加速度，有效质量，等能面 三、导体、绝缘体和半导体，布洛赫 四、振荡，空穴 五、金属的电导 六、霍尔效应

1911年，Kamerlingh Onnes 发现低温超导体。从此人们对超导理论和超导技术展开了深入广泛的研究

8. 1 顺磁性和抗磁性 8. 2 磁化强度和磁化电流 8. 3 介质中的磁场 8. 4 磁场强度 介质中磁场的基本方程式 8. 5 铁磁性 8. 6 超导体及其基本电磁学性质 8. 7 介质中电磁场的方程组

研究问题：讨论导体中稳恒电流的形成及其规律以及直流电路的计算。电路 的基本规律包含两方面的内容，一方面是组成电路的各种元件（电阻和电源等） 的伏安特性，另一方面是电路整体的规律，即基尔霍夫定律

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管， 本章重点介绍常用半导体器件的结构，伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

一、带电电容器的能量

北京大学：《电磁学》课程教学资源（PPT课件）第四章 电磁介质——导体、电磁介质界面上的边界

首先，复习e=Bδlv公式，说明 e正比于Bδ。结合图2.1解释v=2πRn/60（m/s， n(r/min)）; 机械角速度Ω=v/R=2πn/60 ( r/s); 电角速度ω=pΩ=p2πn/60 (rad/s) （记下来）；导体或线圈