延安大学：《大学物理》课程教学电子讲稿（打印版）第九章 导体和电介质中的静电场

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

以GaN和(Ga1-xInx)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga1-xInx)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程

§5.3 有导体存在时电磁波的传播 §5.4 波导管、谐振腔

§7.1 电场 电场强度 §7.2 电通量 高斯定理 §7.3 电场力的功 电势 §7.4 静电场中的导体和电介质 §7.5 电容 电容器 §7.6 电场的能量

§2.1 真空中静电场的基本定律 §2.2 静电场的电位 §2.3 静电场问题求解方法概述 §2.4 电位的多极展开 §2.5 存在介质时静电场的基本定律 §2.6 静电场中的导体 §2.7 静电场的能量

一、导体 二、电介质 三、磁介质 四、媒质中的麦克斯韦方程组 五、电磁场的边界条件

§1. 平面电磁波 §2. 电磁波在介质界面上的反射和折射 §3. 有导体存在时的电磁波传播 §4. 波导 §5. 谐振腔

§7.1 无损介质中的均匀平面波 §7.2 有损介质中的均匀平面波 §7.3 均匀平面波的极化 §7.4 色散现象、相速与群速 §7.5 非均匀平面波 §7.6 平面波的反射和折射 §7.7 平面波对理想导体的投射 §7.8 多层介质的反射和折射

上海交通大学：《物理实验》精品课程教学资源（研究学习）用闪光法测定不良导体的热导率