延安大学：《大学物理》课程教学电子讲稿（打印版）第九章 导体和电介质中的静电场

SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

以GaN和(Ga1-xInx)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga1-xInx)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程

§5.3 有导体存在时电磁波的传播 §5.4 波导管、谐振腔

§7.1 电场 电场强度 §7.2 电通量 高斯定理 §7.3 电场力的功 电势 §7.4 静电场中的导体和电介质 §7.5 电容 电容器 §7.6 电场的能量

§2.1 真空中静电场的基本定律 §2.2 静电场的电位 §2.3 静电场问题求解方法概述 §2.4 电位的多极展开 §2.5 存在介质时静电场的基本定律 §2.6 静电场中的导体 §2.7 静电场的能量

一、导体 二、电介质 三、磁介质 四、媒质中的麦克斯韦方程组 五、电磁场的边界条件

5.1 波函数 5.2 圆柱形波导 5.3 径向波导 5.4 圆柱谐振腔 5.6 柱面波的源（线源) 5.7 二维源的辐射 5.11 三维辐射问题（有限长线源辐射) 5.12 圆柱导体上的口径辐射 5.8 波变换 5.9 圆柱体的散射

本章所要研究的问题是：讯变情况下，电磁场的运动方式和规律。根据Maxwell方程，我们知道变化的电场和磁场可以互相激发，形成在空间中传播的电磁波。所以本章着重探讨的是电磁波的存在形式和运动方式。 §4.1平面电磁波 Plane Electromagnetic Wave §4.2 单色平面电磁波在介质界面上的反射和折射 Reflection and Refraction of Monochromatic Plane Electromagnetic Wave at Interface of Medium §4.3 有导体存在时电磁波的传播 Electromagnetic Wave Propagation in Conduction Medium §4.4 电磁波在波导中的传播 Electromagnetic Wave Propagation in Wave Guide §4.5 等离子体中电磁波和表面等离激元 Electromagnetic Wave in Plasma and Surface Plasmon Polariton (SPP) §4.6 高斯光束 Gaussian Beam

《高中物理》全程设计同步配套教学课件（必修第三册）第11章 电路及其应用_2 导体的电阻