为了降低硬件开销，越来越多的加法器电路采用传输管逻辑来减少晶体管数量，同时导致阈值损失、性能降低等问题。本文通过对摆幅恢复逻辑与全加器电路的研究，提出一种基于摆幅恢复传输管逻辑（Swing restored pass transistor logic, SRPL）的全加器设计方案。该方案首先分析电路的阈值损失机理，结合晶体管传输高、低电平的特性，提出一种摆幅恢复传输管逻辑的设计方法；然后，采用对称结构设计无延时偏差输出的异或/同或电路，利用MOS管补偿阈值损失的方式，实现异或/同或电路的全摆幅输出；最后，将异或/同或电路融合于全加器结构，结合4T XOR求和电路与改进的传输门进位电路实现摆幅恢复的高性能全加器。在TSMC 65 nm工艺下，本文采用HSPICE仿真验证所设计的逻辑功能，与文献相比延时降低10.8%，功耗延时积（Power-delay product, PDP）减少13.5%以上

第二章基本放大电路 自测题 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;() (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;() (3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;() (4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;() (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作:() (6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何 放大电路的输出都毫无变化;()

第二章基本放大电路 自测题 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;() (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;() (3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;() (4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;() (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作:() (6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何 放大电路的输出都毫无变化;()

第一章现代电源技术概述 1-1电源技术的现状与发展 1-1-1功率半导体技术的现状与发展 1-1-2电源技术的新进展 1-2电源的构成及特点 1-2-1现代电源的构成原理及特点 1-2-2开关电源的分类 1-2-3开关电源常用的拓扑结构 1-2-4电源主要参数分析 第二章电源中的电力电子器件与基础电路 2-1电力电子器件 2-2基础电路 2-2-1EMI滤波电路 2-2-2整流与滤波电路 2-2-3功率变换电路 2-2-4控制与驱动电路 2-2-5保护电路

如果以谐波振幅（包括直流分量）和角频率构 一个平面，并以平面上横轴为角频率轴，纵轴 为振幅轴，上式中每项的振幅和角频率便构成 平面上的点。由这些点各作垂线并终止于横轴 的相应的频率点上，便得到一种由长短不同但 间距相同的线段组成的图像。这种图像称振幅 频谱图；同理有相位频谱图

键盘是计算机中使用最普遍的输入设备,它一般 由按键、导电塑胶、编码器以及接口电路等组成。 在键盘上通常有上百个按键,每个按键负责一 个功能,当用户按下其中一个时,键盘中的编码器 能够迅速将此按键所对应的编码通过接口电路输送 到计算机的键盘缓冲器中,由CPU进行识别处理。 通俗地说也就是当用户按下某个按键时,它会通过 导电塑胶将线路板上的这个按键排线接通产生信号 ,产生了的信号会迅速通过键盘接口传送到CPU中

在零状态情况下的运算形式和符号形式是一样 的,只要将s→jo或j→即可。 从以上情况看,直流电阻网络中的公式与复频 域中的公式,在形式上完全一样。因此,可以 很自然地想到,和符号电路一样,在直流电阻 网络中的方法都能用到复频域的分析中来

1.3从网络到图 1、网络图论概论 图论是数学领域中一个十分重要的分支,这 里所涉及的只是图论在网络中的应用,称网 络图论。网络图论也称网络拓扑。 为在计算机上系统地列出一个复杂网络的方 程以便分析,就要用到网络图论和线性代数 的一些概念。 随着计算机的发展,网络图论已成为计算机 辅助分析中很重要的基础知识,也是网络分 析、综合等方面不可缺少的工具

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展