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对于中规模、大规模和某些VLSI的IC,前面介绍的基本光刻工艺完全适用,然而 ,对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代,某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括:光学设备的物理局限;光刻胶分辨率的限制;晶园表面的反射现象和高低不平现象等
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❖表面和界面 ❖界面现象的本质 ❖比表面 ❖分散度与比表面 ❖表面功 ❖表面自由能 ❖表面张力 ❖界面张力与温度的关系 ❖影响表面张力的因素
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❖表面和界面 ❖界面现象的本质 ❖比表面 ❖分散度与比表面 ❖表面功 ❖表面自由能 ❖表面张力 ❖界面张力与温度的关系 ❖影响表面张力的因素
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第二章 表面活性剂溶液 第三章 液——液界面的性质 液体的粘附与铺展 液—液界面张力理论 表面活性剂溶液的界面张力 液—液界面上的吸附 微乳状液及应用
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第四章 不溶性表面膜 表面压 不溶膜的类型 不溶膜的制备 混合不溶膜 表面电势和表面黏度 L-B技术和L-B膜 第五章 固—液界面(润湿作用)
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1. XPS谱图的初级结构 1. 光电子谱峰 2. 俄歇电子谱峰 3. 价带谱 2. XPS谱图的次级结构
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第一节卤代烃的分类和命名 第二节卤代烷的结构 第三节卤代烷的物理性质 第四节卤代烷的化学性质 第五节亲核取代反应机理 第六节卤代烷的制备 第七节有机金属化合物
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第一节链烷烃的构象 第二节链烷烃的物理性质 第三节链烷烃的化学性质 第四节环烷烃的结构 第五节环烷烃的化学性质
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2.0引言:(introduction) 本章旨在讨论信号与系统的基本概念,建立其相应的数学描述方法,以便利用这种数学描述及其表示,建立一种信号与系统的分析体系。 2.1信号的描述与时域变换: 一.信号的表示:信号可以描述范围极广泛的物理现象
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第一节结构和命名(掌握) 第二节物理性质(自学了解) 第三节化学反应(掌握) 第四节碳酸衍生物和原酸衍生物(自学了解) 第五节油脂、磷脂和蜡(掌握、了解)
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