针对薄壁板材零件小圆角特征成形制造难的问题,提出了一种新型胀压复合成形工艺.其关键工艺参数为:预成形高度、预成形凹圆角大小和终成形胀形压力与背压凸模运行速度匹配关系.预成形高度决定了终成形小圆角的材料储备,预成形凹圆角的最佳值为充液拉深时凸模圆角可取的最小值,通过理论分析给出了预成形高度和预成形凹圆角的计算方法.建立了胀压复合成形过程力学模型,通过应力状态分析给出了不同胀形压力与背压凸模运行速度匹配关系下坯料圆角区变形状况.同时基于有限元模拟和工艺试验,研究了预成形高度和终成形胀形压力与背压匹配路径对试验件成形质量的影响,验证了理论分析的准确性,并证明了该新工艺的适用性

采用固相法合成了锂钛复合氧化物Li4Ti5O12研究了保温时间对其结构及电化学性能的影响.结果表明,保温时间为2,4h时样品的循环性能比较好,在80mA/g充放电下,30次循环后的比容量可高达159mAh/g

分析了高碳硬线钢82B在冶炼过程中复合夹杂物-钢液-渣及耐火材料局部动态平衡反应过程及Mn、Si和Al脱氧条件下夹杂物成分变化规律.利用热力学计算软件FactSage进一步计算分析了硬线钢获得良好变形能力的Al2O3-SiO2-MgO-CaO-MnO五元系夹杂物所需要的条件:钢液中[Al]的质量分数控制在(25～100)×10-6时,相应地钢液中溶解[O]的质量分数可以控制在(5～20)×10-6.在低熔点区域内,[Si]的质量分数可以控制在0.1%～1.5%;[Mn]的质量分数控制在0.2%～1%

在垂直稳恒磁场中采用纳米复合电沉积法制备Fe-Si复合镀层.研究了磁场强度和电流密度对阴极电流效率和镀层Si颗粒含量的影响规律，并采用扫描电子显微镜和能谱对所得镀层进行分析.施加垂直磁场后，随着磁场强度增大，阴极电流效率呈现先上升后下降的趋势；镀层Si颗粒质量分数在0.2T达到最大值20.17%，比无磁场下提高了10.4%；镀层表面形貌也发生显著变化，多处形成\山脊\，\山脊\延伸方向与磁流体力学效应方向一致，分布数量和延伸长度与磁场强度成正比.由于磁流体力学效应，施加磁场还改变了镀层表面气孔形貌，促进氢气的析出

前面几章研究了构件的基本变形：轴向拉（压）、扭转、平面弯曲。 由两种或两种以上基本变形组合的情况称为组合变形。 所有由基本变形组合产生的杆件内力称为复合抗力

在分离纯化谷氨酸氧化酶过程中同时得到的谷氨酰胺水解酶。该酶与谷氨酸氧化酶的混合酶是制作谷氨酰胺酶膜 的好材料，制得的谷氨酰胺酶膜，可在具有差分分析功能的 SBA-40C 型生物传感分析仪上实现了谷氨酰胺的分析。 该谷氨酸-谷氨酰胺双功能分析仪，有两个 H2O2 电极，一个电极装有复合酶膜，膜上固定着谷氨 酰胺酶和谷氨酸 氧化酶

采用固相反应合成了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN),Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)复合钙钛矿型粉末,并用它来改善工业BaTiO3陶瓷的介电损耗特性,实验结果表明1300~1400℃烧结后,可获得至密度为90%左右的瓷体。同时经频谱阻抗分析实验,表明这类材料随频率从1KHz增加到1000kHz介电损耗显著降低,品质因数大幅度改善

利用水热法制备AgSnO2粉体,压制烧结后制得AgSnO2块体样品.对AgSnO2粉体样品进行X射线衍射、扫描电镜和能谱分析,结果表明:通过在溶液体系中实现银和二氧化锡的共沉积,水热法能制得颗粒细小均匀的球形AgSnO2复合粉体.块体样品X射线衍射谱表明,水热法制备的AgSnO2粉体由于改变了Ag和SnO2的结合状态,烧结时二氧化锡晶体在(110)晶面上表现出一定的择优取向.对块体样品的显微组织分析表明,AgSnO2块体样品能够克服氧化物的聚集,二氧化锡颗粒在银基体中均匀弥散分布

研究了几种钙钛矿结构以及类钙钛矿结构材料的电导性能.实验表明,La0.8Sr0.2MnO3, La0.8Sr0.2Ni0.1Mn0.9O3,La0.8Sr0.2Ce0.1Mn0.9O3和SrFe0.5Co0.5O3电导率相差不大,均为10-1S·cm-1数量级;高温熔盐中耐侵蚀性能优良的LaLiMnOy和LaLi0.5MnOy电导率差别很大,前者电导率大于1 S·cm-1,达到了MCFC阴极对材料电导性能要求,而后者仅为10-2S·cm-1数量级.高达0.191 eV的电导激活能可能是LaLi0.5MnOy电导率过低的原因

高温质子导体固体电解质 Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ 化学性质稳定，中低温电导率较高，具有较好的应用前景. 采用固相合 成法制备得到了复合钙钛矿相的 Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ（x=0、0.10、0.18、0.30）材料. 随着 Ca 掺杂量的增加 Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ 样 品的电导率先增加后降低，x=0.18 的样品电导率最高. Ba3Ca1+xNb2−xO9−δ 材料在含氢中的电子空穴迁移数较低，当温度低于 750 ℃ 时，材料中质子导电为主；当温度达 800 ℃ 后，材料中氧离子导电为主. x=0.10 的样品质子迁移数最高，随着掺杂量的 增加样品氧离子迁移数逐渐增大，质子迁移数逐渐降低