材料科学基础学习纲要 第一章晶体材料的结构 名词概念 晶体与非晶体晶格与晶胞晶向指数与晶面指数体心立方面心立方密排六方 内容要求 1.晶胞中晶向指数与晶面指数表示方法,立方晶系和六方晶系中指数与图形对应关系。 2.金属中常见三种典型晶型的原子位置、单胞中原子数、致密度、配位数、密排面与密排方向

通过溶胶?凝胶（Sol?Gel）法成功合成了纳米锰方硼石并对其进行了稀土Eu3+掺杂。使用X射线衍射、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜等表征了锰方硼石晶体结构，并通过荧光光谱测试对其发光性能进行了研究。结果表明：合成纳米锰方硼石为粒径小于50 nm的球状颗粒，与天然锰方硼石的物相结构相同，属于斜方晶系，与尖晶石类似，（010）晶面的晶面间距为0.8565 nm。在490 nm激发光激发下，天然锰方硼石、合成锰方硼石和稀土Eu3+掺杂锰方硼石晶体中的Mn2+发光，其中发绿光的Mn2+在晶体中占据四面体格位中心，发红光的Mn2+在晶体占据八面体格位中心。合成的锰方硼石随激发波长变长，产生发射光谱的红移现象，有利于实现冷暖发光转换；在稀土Eu3+掺杂的纳米锰方硼石光谱的发光强度得到了提升

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

研究了用电镀法从含微量铅的硫酸盐镀液中获得的镀锌层,以及铅对其织构和结晶形态,镀层表面明度、光泽度、粗糙度、摩擦因数和抗黑变性能的影响.结果表明,随着镀液中Pb2+浓度的增加,镀层的表面粗糙度增大,其明度、光泽度、摩擦因数和抗黑变性能明显降低.这主要是由于Pb的存在导致镀锌层（002）晶面取向降低,（101）晶面取向增加的缘故

材料的结合键 1、五种结合键 2、结合键与材料性能的关系 纯金属的晶体结构 1、晶格、晶面、晶向等概念 2、常见的三种金属晶格 3、立方晶格晶面指数与晶向指数的求法 4、晶体缺陷及其对性能的影响

第三节 晶列和晶面的表示 第四节 倒格子 1.倒空间与正空间的几何关系 2.倒格矢 3.倒格子与正格子的关系

采用脉冲电镀法在黄铜表面制备出具有(111)、(200)和(220)晶面择优生长织构的纳米晶纯镍镀层.采用扫描电镜对镀层的显微形貌进行观察,采用X射线衍射对不同晶面织构的择优性进行表征,并对镀层在3.5%NaCl溶液中的动电位极化曲线和交流阻抗谱进行了测试,研究不同织构镀层的耐蚀性能.不同织构镀层的耐蚀性能存在显著差异:具有(220)强织构的镀层耐蚀性最差,其自腐蚀电流密度最大,为1.23μA·cm-2,镀层的电荷转移电阻为2.09kΩ·cm2;具有(200)强织构的镀层耐蚀性能最佳,镀层的电荷转移电阻为27.32kΩ·cm2,自腐蚀电流密度为0.15μA·cm-2;具有(111)织构镀层的耐蚀性居中.认为织构引起的表面胞状物的差别是造成纯镍镀层耐蚀性能不同的原因

3.1 概述 3.2 晶体结构与空间点阵 3.3 晶系与布拉菲点阵 3.4 布拉菲点阵和复合点阵 3.5 晶向指数和晶面指数 3.6 晶带及晶面间距 3.7 晶胞特征 3.8 密堆结构的间隙 3.9 金属合金的晶体结构 3.10 陶瓷的晶体结构 3.11 高分子的晶体结构

1.3晶向、晶面和它们的标志 1.3.1晶向及晶向指数 1.晶向 通过晶格中任意两个格点 连一条直线称为晶列,晶列的 取向称为晶向,描写晶向的一 组数称为晶向指数(或晶列指数 过一格点可以有无数晶列

第一部分:金属学(60分) 一、画出立方晶系中(011)晶面和[231]晶向。(本题4分) 装 二、试判断位错反应[110]→[121]+[211能否进行?(本题4分)