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具有微米纤维碳的硅/石墨/碳复合材料的制备及在锂离子电池中的应用
文档格式:PDF 文档大小:7.6MB 文档页数:8
以沥青为软碳原料,商业石墨的载体材料,通过高温热解法成功合成了硅/石墨/碳复合材料,同时原位生成了微米尺度的碳纤维.该硅/石墨/碳复合材料具有诸多优点,石墨片层堆叠之间的空隙为硅的体积膨胀提供了有效的空间,沥青热解碳材料的包覆能一定程度抑制硅基材料的体积效应和提高其电子电导率,同时微米级的碳纤维能提高材料的长程导电性和结构稳定性,从而极大的改善负极材料循环性能.通过电化学测试表明,硅/石墨/碳复合材料中硅/石墨/碳复合负极材料在200 mA·g-1电流密度下具有650 mA·h·g-1的可逆容量,在200 mA·g-1电流密度下经过500圈循环后容量保持率为92.8%,每圈的容量衰减率仅为0.014%,展现了优异的循环性能
制备条件对硅酸钙复合纳米孔超级绝热材料热导率的影响
文档格式:PDF 文档大小:742.22KB 文档页数:6
为解决SiO2气凝胶质脆和硬硅钙石热导率偏高的问题,以正硅酸乙酯为硅源采用溶胶-凝胶法制备SiO2气凝胶先驱体,而后将其与硬硅钙石复合经超临界干燥制备了硅酸钙复合纳米孔超级绝热材料.采用瞬时热带法测试样品常温下1.01×105~1×10-2Pa范围内的热导率,研究了制备条件对复合材料热导率的影响.结果表明,复合材料热导率随硬硅钙石体积质量的减小以及复合增重率的增加而降低,但随气凝胶体积质量的增大先降低后升高
电子科技大学:《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源(课件讲稿)第4章 低温多晶硅薄膜晶体管
文档格式:PDF 文档大小:3.51MB 文档页数:77
4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术
碳/碳复合材料的渗硅抗氧化复盖层
文档格式:PDF 文档大小:587.16KB 文档页数:4
在碳/碳复合材料上渗硅可得到碳化硅复盖层。对不同渗硅温度和时间下得到的碳化硅层进行破坏性试验。实验指出,有碳化硅复盖层保护下的碳/碳复合材料,其抗氧化性能提高约2个数量级
激光脉冲法测量硬硅钙石绝热材料热扩散率
文档格式:PDF 文档大小:204.94KB 文档页数:4
本文采用非线性参数估计方法来确定硬硅钙石型微孔硅酸钙绝热材料的热扩散率.首先将绝热材料夹在两个金属片之间制成夹层结构试样,采用激光脉冲法测量试样背面温升;然后通过理论温升曲线与实验测得的温升曲线的拟合,来估计绝热材料的热扩散率.采用非线性参数估计可同时估计出热扩散率、散热系数以及试样吸收的能量.通过实验确定出进行热扩散率测量的绝热材料最佳厚度为1.6~1.9mm;由试样厚度精度和接触热阻所引起的测量误差在5.8%以内
C2S对硬硅钙石型硅酸钙保温材料质量影响
文档格式:PDF 文档大小:453.88KB 文档页数:6
研究了以天然石灰和天然粉石英为基本原料,添加2CaO·SiO2对合成硬硅钙石型硅酸钙保温材料的影响。结果表明,随着2CaO·SiO2加入量的逐渐增多,硬硅钙石型硅酸钙保温材料的烘干收缩率逐渐降低;当添加量由0上升到5%时,制品的烘干收缩率由2.19%降低到0.92%,制品由不合格变为合格;烘干收缩率降低的原因是2CaO·SiO2的加入促进了二次粒子形成
中国科学技术大学:《超大规模集成电路设计(VLSI)》课程教学资源(课件讲稿)第4章 CMOS集成电路的制造
文档格式:PDF 文档大小:1.56MB 文档页数:22
4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS工艺流程 4.5 设计规则
科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第二章 硅锗的区熔提纯
文档格式:PPT 文档大小:421KB 文档页数:36
区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料, 高纯金属的重要方法
科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第五章 硅外延生长
文档格式:PPT 文档大小:3.31MB 文档页数:74
一、外延生长用来生长薄层单晶材料,即薄膜 二、外延生长:在一定条件下,在单晶衬底上,生长一层合乎要求的单晶层的方法
科学出版社:《半导体材料》课程教学资源(PPT课件)第四章 硅锗晶体中的杂质和缺陷
文档格式:PPT 文档大小:246.5KB 文档页数:16
一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响
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