7.1 CMOS反相器的直流特性 7.2 反相器的开关特性 7.3 功耗 7.4 DC特性：与非门和或非门 7.5 与非门和或非门的暂态响应 7.6 复合逻辑门的分析 7.7 逻辑门过渡特性设计 7.8 传输门和传输管 7.9 关于SPICE模拟

北京大学：《集成电路原理与设计 Principle of Integrated Circuits》课程电子教案（数字集成电路原理与设计）chap8 第八章 VLSI设计方法

12.1 一位加法器电路 12.2 串行进位加法器 12.3 超前进位加法器 12.4 其他高速加法器 12.5 乘法器

11.1 多路选择器 11.2 二进制译码器 11.3 相等检测器和比较器 11.4 优先权编码器 11.5 移位和循环操作 11.6 锁存器 11.7 D触发器 11.8 寄存器 11.9 综合的作用

集成电路(IC)发展 发展历史 特点 发展规律一摩尔定律 IC的分类 IC设计要求 EDA技术的发展 VLSI设计方法学——IC的层次化、结构化设计概念 深亚微米和纳米工艺对EDA技术的挑战

第七章中规模通用集成电路及其应用 集成电路由SSI发展到MSI、LSI和VLSI,使单个芯片 容纳的逻辑功能越来越强。 一般来说,在SSI中仅是基本器件(如逻辑门或触发器) 的集成,在MSI中已是逻辑部件(如译码器、寄存器等)的 集成,而在LSI和VLSI中则是一个数字子系统或整个数字 系统(如微处理器)的集成

9.1 镜像电路 9.2 准nMOS电路 9.3 三态电路 9.4 时钟控制CMOS 9.5 动态CMOS逻辑电路 9.6 双轨逻辑电路

第一节引言 一、集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导。 二、由于SOC的出现,给IC设计者提出了更高的要求,也

第一节引言 集成电路按其制造材料分为两大类:一类是硅材料集成电路,另一类是砷化镓。目前 用于ASIC设计的主体是硅材料。但是,在一些高速和超高速ASIC设计中采用了GaAs材 料。用GaAs材料制成的集成电路,可以大大提高电路速度,但是由于目前GaAs工艺成品 率较低等原因,所以未能大量采用

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用