外光电效应: 在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象。 如光电管、光电倍增管 内光电效应: 在光线作用下能使物体电阻率改变的现象， 如光敏电阻等属于这类光电器件。 阻挡层光电效应(光生伏特效应): 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象

通过溶胶?凝胶（Sol?Gel）法成功合成了纳米锰方硼石并对其进行了稀土Eu3+掺杂。使用X射线衍射、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜等表征了锰方硼石晶体结构，并通过荧光光谱测试对其发光性能进行了研究。结果表明：合成纳米锰方硼石为粒径小于50 nm的球状颗粒，与天然锰方硼石的物相结构相同，属于斜方晶系，与尖晶石类似，（010）晶面的晶面间距为0.8565 nm。在490 nm激发光激发下，天然锰方硼石、合成锰方硼石和稀土Eu3+掺杂锰方硼石晶体中的Mn2+发光，其中发绿光的Mn2+在晶体中占据四面体格位中心，发红光的Mn2+在晶体占据八面体格位中心。合成的锰方硼石随激发波长变长，产生发射光谱的红移现象，有利于实现冷暖发光转换；在稀土Eu3+掺杂的纳米锰方硼石光谱的发光强度得到了提升

第二十三章光的偏振 23—1线偏振光和自然光 23—2利用选择吸收获得线偏振光 23—3利用反射获得线偏振光 23—4晶体的双折射 23—5椭圆和圆偏振光 23—6偏振光的干涉

实验一 光电子实验基本技能训练 实验二 精密光路调整 实验三 激光器基本参数测试 实验四 外腔反馈对激光器的影响 实验五 激光的强度和偏振控制 实验六 高斯光束的传输和变换 实验七 激光的外调制实验 实验九 光纤通信实验 实验十 光学倍频实验 实验十一 光纤传输和波分复用 实验十二 激光光栅谐振腔

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等

6.1光电检测器 6.2光电检测器的特性指标 6.3光接收机 6.4光接收机的噪声 6.5光接收机的灵敏度

5.1 测光系统及AB星等 5.2 光电测光与CCD测光 5.3 多色测光的应用 5.4 热星等与热改正 5.5 测光红移与K改正 5.6 时域天文学

8.1光照模型 8.1.1基本光学原理 基本光照模型模拟物体表面对直接光照的反射 作用,包括漫反射和镜面反射,物体之间的光反 射作用没有充分考虑,仅仅用一个与周围物体、 视点、光源位置都无关的环境光常量来近似表示。 可以用如下等式表示:

一、光化学分析法 光化学分析法:基于物质光化学性质而建立起来的分析方法。可分为:光谱分析法和非光谱分析法。光谱分析法是指在光(或其它能量)的作用下,通过测量物质产生的发射光、吸收光或散射光的波长或强度来进行分析的方法

一、利用物质所具有的各种光学性质,对物质进行定性、定量及结构分析的技术。 二、包括:旋光检测、析光检测、荧光检测、分光光度检测、散射光谱检测等。 三、生化领域常用:分光光度检测、旋光检测、荧光检测