4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

4.1 BJT 4.1 BJT 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1 图解分析法 4.3.2 小信号模型分析法 • 静态工作情况分析 • 动态工作情况分析 • BJT的小信号建模 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 • 温度变化对ICBO的影响 • 温度变化对输入特性曲线的影响 • 温度变化对 的影响 • 稳定工作点原理 • 放大电路指标分析 • 固定偏流电路与射极偏置电路的比较 4.4.1 温度对工作点的影响 4.4.2 射极偏置电路 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.5.1 共集电极放大电路 • 电路分析 • 复合管 4.5.2 共基极放大电路 • 静态工作点 • 动态指标 • 三种组态的比较 4.7 放大电路的频率响应

二、等效法 三、相量图的辅助解法 6.6 正弦稳态电路的功率 一、一端口电路的功率 二、最大功率传输条件 6.7 含耦合电感与理想变压器 电路的正弦稳态分析 一、回路法分析 二、一次侧、二次侧等效电路 三、T形去耦等效电路 4.8 三相电路 一、对称三相电源 二、Y－Y电路分析 三、Y－Δ电路分析 6.1 正弦量 一、正弦量的三要素 二、正弦量的有效值 三、相位差 6.2 正弦量的相量表示 一、正弦量与相量 二、正弦量的相量运算 6.3 电路定律的相量形式 一、无源元件VAR的相量形式 二、KCL与KVL的相量形式 6.4 阻抗与导纳 一、阻抗与导纳 二、正弦稳态电路相量模型 6.5 正弦稳态电路的相量分析法 一、方程法

本文提出了从晶体管的物理模型直观地推导出其各种等效电路的方法。本法避免了冗长的数学推导,仅应用了电路的等效变换概念。所以它物理意义清晰,而且清楚地揭露出各种等效电路之间的关系,便于理解和掌握

• 输入电阻 • 输出电阻 • 电压放大模型 • 电流放大模型 1.2.1 模拟信号的放大 1.2.2 放大电路模型 1.2.3 放大电路的主要性能指标 • 增益 • 互阻放大模型 • 互导放大模型 • 隔离放大电路模型 • 频率响应及带宽 • 非线性失真

3.4.1 BJT的小信号建模 3.4.2 共射极放大电路的小信号模型分析 • H参数的引出 • H参数小信号模型 • 模型的简化 • H参数的确定 • 利用直流通路求Q点 • 画小信号等效电路 • 求放大电路动态指标 3.4.0 放大电路模型

一、电路模型 二、电流和电压的参考方向 三、功率 四、集总参数元件 五、基尔霍夫定律

一、电路等效变换 二、电阻和电源的串、并联 三、电源的等效变换 四、输入电阻

第一节 电路和电路模型 第二节 电路的基本物理量 第三节 电阻元件和欧姆定律 第四节 电压源和电流源 第五节 基尔霍夫定律

10-1题10-1图所示电路在开关S断开前处于稳定状态,试画出S断开后的复频域电路模型。 02题10-2图所示电路在t<0时处于稳定状态,t=0时闭合开关S。试画出S闭合后的复频域电 路模型