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一、重力坝的工作原理及特点 岩基上重力坝的基本剖面呈三角形, 上游面通常是垂直的或稍倾向上游的 三角形断面。 主要依靠坝体的重量,在坝体和地基 的接触面上产生抗滑力来抵抗库水的 推力,以达到稳定的要求
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(1) 理解栈和队列的特性以及它们之间的差异,知道在何时使用哪种数据结构。 (2) 重点掌握在顺序栈上和链栈上实现栈的基本运算算法,注意栈满和栈空的条件。 (3) 重点掌握在顺序队上和链队上实现队列的基本运算算法,注意循环队上队满和队空的条件。 (4) 灵活运用栈和队列这两种数据结构解决一些综合应用问题。 3.1 栈 3.1.1 栈的定义 3.1.2 顺序存储结构及其基本运算实现 3.1.3 链式存储结构及其基本运算实现 3.1.4 栈的应用举例 3.2 队列 3.2.1 队列的定义 3.2.2 顺序存储结构及其基本运算的实现 3.2.3 链式存储结构及其基本运算的实现 3.2.4 队列的应用举例
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一、桥梁设计的原则:应符合技术先进、安全可靠、适用耐久、经济合理的要求,同时满足美观、环境保护和可持续发展的要求。 二、桥梁设计的基本要求: 1、使用上的要求 2、经济上的要求 3、设计上的要求 4、施工上的要求 5、美观上的要求 6、环境保护和可持续发展
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实验一安装 Windows2000 Server 一、实验目的 使学生能够使用常用方法安装 Windows2000 二、实验内容 进行 Windows2000的安装。 三、实验环境 (1)Cpu: Inter Pentium133MHz或以上。 (2)RAM:128MB或以上。 (3)硬盘:2GB或以上,至少1GB以上的空闲空间。 (4)8X或以上的光驱。 (5)网卡、计算机
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PC的编程工具有编程器和计算机辅助编程(CAD)编程器可直接安装在 PC的CPU上,对PC进行编程和调试,是PC应用最广泛的编程工具。特别是 PC未与上位计算机构成网络的情况下,必须用编程器作为编程工具计算机辅 助编程是当上位计算机与PC建立通信后在上位机上运行专用的编程软件,对 PC进行编程和调试
文档格式:PDF 文档大小:2.23MB 文档页数:10
采用扫描Kelvin探针测试技术,研究了300M钢、Aermet100钢与超高强不锈钢在黄曲霉、黑曲霉、球毛壳霉、绳状青霉和杂色曲霉组成的混合霉菌菌种作用下的腐蚀行为.通过扫描电镜结合能谱分析对霉菌在三种超高强钢上的生长进行了观察和分析.300M钢试样上霉菌呈现分散式堆积生长,数量逐渐增加;Aermet100钢试样上霉菌呈现分散式单个生长方式,数量逐渐增加;超高强不锈钢上霉菌呈现放射式网状生长方式,数量急剧增加,在钢表面形成一层生物膜.霉菌实验后,三种超高强钢表面都发生一定的腐蚀.300M钢腐蚀最严重,蚀坑宽而浅;Aermet100钢次之,蚀坑窄而深;超高强不锈钢的耐蚀性最好.扫描Kelvin探针测试结果表明,霉菌一定程度上能促进300M钢和Aermet100钢的腐蚀,而对超高强度不锈钢的腐蚀行为有一定抑制作用
文档格式:DOC 文档大小:2.73MB 文档页数:15
一、上海海关通关业务计算机及EDI应用介绍 上海是全国最大通关口岸之一。上海海关现在日处理进出口报关单1.2万份,征收关 税占全国海关1/4强,进出口货物年递增约30%上海海关全部通关业务均使用计算机 业。 上海海关在通关业务方面应用计算机管理,始于985年,从刚开始时的单独业务环节 处理程序发展成现在的能全面、系统地处理海关业务和采用ED技术的现代化的大型数据 处理系统。其发展过程大致已经历了三个阶段
文档格式:PDF 文档大小:388.26KB 文档页数:4
对一类三维混沌系统的界进行了估计.首先运用参数法给出了该三维混沌系统在条件-1 ≤ c<0下两变量的一个上界估计定理并进行了证明,其次在两变量上界估计的基础上给出了该混沌系统三变量的一个上界估计定理并进行了证明;最后给出了具体参数下该三维混沌系统的上界估计值并进行了数值模拟
文档格式:PDF 文档大小:977.03KB 文档页数:7
对我国某高硅低品位镍磁黄铁矿进行直接酸浸、焙烧——酸浸和细菌浸出比较,并考察硫酸用量及氧化亚铁硫杆菌对浸出率的影响.以稻壳为硫酸盐还原菌固定化载体构建连续上升流固定填充床反应器,以连续上升流方式处理浸出液.结果表明:焙烧使矿物发生烧结,镍被包裹,不利于浸出;细菌浸出Ni2+浸出率为92.16%,质量浓度可达973.22 mg·L-1·T·f.菌在矿物表面形成生物膜,直接与矿物发生作用使矿物溶解,将浸液中Fe2+氧化为Fe3+,Fe3+进一步溶解矿物·浸出液以2200~3600 mL·L-1·d-1的速率经过反应器,Ni2+以NiS的形式吸附于稻壳上,回收率在98%以上,使原矿中NiO质量分数由1.69%上升至稻壳中的11.84%.浸液中98%的Mg2+留在溶液中,利于金属分离
文档格式:PDF 文档大小:0.98MB 文档页数:6
采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强
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