在对双相钢两相区奥氏体化过程进行热力学与动力学分析的基础上,建立了两相区奥氏体化过程的扩散模型,并采用显式有限体积法对740℃与780℃下的奥氏体化过程进行了数值求解.模拟结果表明:奥氏体长大初期受C元素在奥氏体中的扩散控制并很快达到亚平衡.该阶段奥氏体长大速度较快.奥氏体长大后期受Mn元素在铁素体中的扩散控制.该过程由于Mn元素的扩散速率比C元素的扩散速率低几个数量级而持续数千秒.当Mn元素在两相中的扩散通量相等时,奥氏体停止长大,Mn元素继续从铁素体向奥氏体中转移以完成其在两相中的均化

基于率相关晶体塑性本构模型,分别将Taylor模型和有限单元模型两种多晶模型嵌入大型有限元程序ABAQUS,实现了晶体塑性学有限元模拟.直接将电子背散射衍射(EBSD)获取的晶粒初始取向输入晶体塑性有限元模型,预测了两种不同应变情况下面心1050纯铝轧制织构的演化.模拟结果与EBSD实验测得的织构演化结果有较好的一致性,随着变形程度的增加,预测织构与实测织构变得更加锋锐.经过比较,Taylor型模型预测出了{4411}〈11118〉的Dillamore取向,而有限单元模型预测出了铜型织构取向,比Taylor模型预测结果更接近实验验证结果.两种模型并不能预测出{011}〈211〉黄铜取向、{123}〈523〉S取向、{011}〈100〉Goss取向及其他理想取向

6.4.1 等边三角形的成分表示法 6.4.2 三元相图中的基本法则 6.4.3 三元匀晶相图 6.4.4 固态互不溶解的三元共晶相图 6.4.5 三元相图的几何规律及分析 6.4.6 典型的三元相图 6.5 相图热力学

具体描述电路各元件的端口及其连接； 以基本元件为基础逐级构建； 元件：已经定义的电路模块（实体），可以来自标准库中，也 可以是自己或他人以前编译过的实体； 元件的基本要点： 元件名 输入/输出端口特点；

从理论上导出n(≥2)元体系中各中间化合物的自由焓之间的关系通式,并据此得出各化合物的自由焓随组元摩尔分数的变化规则:在二元系中应符合拟抛物线规则;在三元系中应符合拟抛物面规则;对于四元以上的体系,一般来说,已无法用几何方法来描述其变化规则

假设ABC公司2004年发生以下经济业务: 1.元月1日,该公司所有者丁一和丁二各向公司投入资本1500000元 2.元月2日,预付半年房租共计12000元 3.元月3日,公司购入汽车一部,15万元,款项已经支付。该汽车预计使用年限为8年,无残值

根据扩散理论及组元间的交互作用,建立了M-α-β三元系中,β组元的分布变化时,α组元的扩散方程。并且给出了\初始阶段\和\平衡状态\两种特定条件下的解析解

双口元件是在微波中应用最多的一种元件，按 功能分类如下图所示。与单口元件相似，双口元件一 般采用网络理论进行分析。但是，在这里值得指出： 元件的网络参数本身还是需要用场论方法求得，或者 实际测量得到。从这个意义上讲，场论是问题的内部 本质，而网络则是问题的外部特性

1．了解 p 区元素的特点； 2．了解 p 区元素的存在、制备及用途； 3．掌握重点元素硼、铅、碳、硅、氮和磷的单质及其化合物的性质，会用结构理论和热力学解释它们的某些化学现象； 4．从正硼烷的结构了解缺电子键和硼烷结构； 5．了解一些无机材料的制备和用途； 6．了解惰性电子对效应概念及其应用。 13.1 第13、14、15族元素概述 Generality of the groups 13-15 elements 13.2 硼 Boron 13.3 铝 Aluminum 13.4 碳 Carbon 13.5 硅 Silicon 13.6 氮 Nitrogen13.7 磷 Phosphorus 13.8 长周期元素的重要化学现象及重要反应 The important chemical phenomenons & reactions of long -period elements

8.1认识元件 8.2启动PCB元件库编辑器 8.3关于PCB元件库编辑器 8.4创建一个PCB元件 8.5利用向导创建PCB新元件