采用真空感应熔炼法制备了铝电解用Fe-40Cr-5Al合金阳极.研究了合金阳极材料在800℃和900℃下的电解腐蚀行为.电解测试采用冰晶石-氧化铝低温电解质体系,阳极电流密度为0.5 A·cm-2,电解时间为10 h.结果表明:随着电解温度的降低,合金阳极的腐蚀速率减小;在900℃电解后,合金表面形成了多孔结构的腐蚀层;在800℃电解后,合金表面形成了保护性氧化膜,氧化膜分为两层,外层为尖晶石结构的Fe(Al,Cr)2O4,内层为Fe、Cr和O构成的复合氧化物,其中收集的铝产品纯度为98.552%,合金阳极的腐蚀速率为5.51 cm·a-1

本文分别研究了ZrO2(MgO)固体电解质管头壁厚、参比电极量对定氧测头响应时间的影响,得出了以ZrO2管头壁厚为0.60~0.80mm,Cr/Cr2O3参比电极加入量为40~60mg所组成的定氧测头响应速度最快.同时采用了\双偶法\对定氧测头在工作过程中的热平衡态进行了研究.结果表明:氧浓差电池中的传热是响应过程的控速步骤,氧电势曲线上峰值的产生是起源于电池中的热平衡态

采用以ZrO2(MgO)固体电解质,配以一新辅助电极SiO2+CaF2的方法,对Fe+C(sat)+Si体系进行了测量。结果表明:当硅测头插入铁水5s以后电动势值即可达到稳定值;电动势与硅量的关系符合理论公式;T=1694~1749K,电动势随温度的变很小。本研究所开发的硅测头具有响应迅速、准确,可望在现场得到应用推广

本文介绍了首次制成Caβ″—Al2O3陶瓷管的方法—粉末注模浇注法的工艺流程以及介质、粉末粒度、温度等因素对陶瓷管质量的影响。同时给出了陶瓷管的密度,利用伽伐电池测得的电化学性能以及用电化学方法测得的CaO在此电解质中的活度,为Caβ″-Al2O3陶瓷管的实际应用提供了基本数据

本工作应用放射性同位素90Y,通过将试样在低温有机电解液中电解的方法分离稀土夹杂物,测定了铁液中溶解态的稀土含量。用ZrO2（MgO）固体电解质组成的定氧测头测定了铁液中氧的活度。用硫化氢气体发生法测定并计算了铁液中溶解态的硫含量。由此得出1560～1660℃范围内Y—O平衡常数与温度的关系式以及1600℃下Y—S平衡常数值,并测定了Y对O,Y对S的活度相互作用系数eOY、eSY及其它有关热力学数据

为了更好地了解镁电解中及熔盐氯化中铁的行为,对铁离子在氯化物中的化学平衡作了研究。求出在PCl3=101.325kPa和实验温度下,反应FeCl_2(熔)+1/2Cl2(气)=FeCl3(熔)的表观平衡常数K。在PCl2=0和实验温度下,FeCl3完全分解。K的测量值与回归方程的预报值很吻合。熔盐体系、氯分压和温度对K值影响较大,总铁浓度的影响稍小一些。在其他条件相同时,体系3的K值最大,这表明,用光卤石作为电解质时,镁电解的电流效率会低一些,而氯化钾含量高时,在熔盐氯化中铁的催化作用较好

用固体电解质浓差电池测得了固态铜铝合金体系中铝的活度。实验在1000℃下进行,铝的摩尔分数为0.0234到0.327

本文在NaCl-CaCl2-SrCl2三元系的热力学（Ⅰ）中用Toop方法的变通式,由二元系数据推导了三元系中组元CaCl2（A）、SrCl2（B）和NaCl（C）系过剩偏克分子吉氏能关系式的基础上,根据相平衡原理,用计算机计算了该三元系的相图。该相图对于认识作为钠电解熔盐电解质的四元系NaCl-CaCl2-SrCl2-BaCl2的性质和盐湖资源的综合利用有实际意义

本文以NaCl-CaCl2-SrCl2三元计算相图作为\予知图形\采用高灵敏度的微型差热分析仪(简称MDTA)测定了这个三元相图,并注意到盐的过冷对测量的影响。该三元系是三元低共晶系,低共晶点E的组成为41.9mol%NaCl,40.8mol%CaCl2,18.1mol%SrCl2,温度为744K。其中CaCl2-SrCl2一侧单变线的起点K对应的温度为823K,液相组成为24.8mol%NaCl,50.1mol%CaCl2,25.1mol%SrCl2。这个实测三元相图对了解熔盐电解质的性能和盐湖资源的综合利用有实际意义。同时为检验电荷不对称三元熔盐系相图计算的热力学模型的可靠性提供了例证

采用交流阻抗谱研究热风整平无铅喷锡处理印制电路板（PCB-HASL）和无电镀镍金电路板（PCB-ENIG）在盐雾环境下的电化学腐蚀行为,并结合体式学显微镜、扫描电镜、X射线能谱等手段分析两种不同表面处理工艺电路板的腐蚀产物形貌、组成和镀层失效机制.结果表明：盐雾环境下,PCB-HASL和PCB-ENIG均发生严重腐蚀;镀Sn层开始发生局部腐蚀,随后几乎整个表面都发生腐蚀,出现类似均匀腐蚀的现象,镀金板主要发生微孔腐蚀.在PCB-HASL腐蚀过程中,Cl-的侵蚀作用促进Sn层的腐蚀,后来由于逐渐形成大量的覆盖在镀层表面的腐蚀产物,使得腐蚀速率降低;而在PCB-ENIG腐蚀过程中,微孔处形成含Cl-电解质薄液层,Ni与Au构成腐蚀电偶,从而加速Ni的腐蚀,最终使Cu基底裸露,造成电路板失效