点击切换搜索课件文库搜索结果(9827)
文档格式:PPT 文档大小:2.98MB 文档页数:32
8-1 组合变形和叠加原理 8-2 拉伸或压缩与弯曲的组合 8-3 偏心压缩和截面核心 8-4 扭转与弯曲的组合 8-5 组合变形的普遍情况
文档格式:PPT 文档大小:2.5MB 文档页数:62
15.1组合变形的概念与方法 15.2 强度理论 15.3 斜弯曲 15.4 拉(压)弯组合变形 15.5 弯扭组合变形 15.6 组合变形的一般情况
文档格式:PPT 文档大小:269KB 文档页数:19
学习要点: • 组合电路的分析方法和设计方法 • 竞争与冒险的检查与消除方法 3.1 组合逻辑电路的分析 3.2 组合逻辑电路的设计 3.3 组合电路中的竞争与冒险
文档格式:PPT 文档大小:833.5KB 文档页数:44
(1)掌握组合逻辑电路的分析方法与设计方法。 (2)根据命题,设计合理的组合逻辑电路。 (3)理解加法器、编码器和译码器的逻辑功能,掌握其分析方法。 10.1 组合逻辑电路分析和设计 10.2 加法器 10.3 编码器与译码器 10.4 选择器与分配器
文档格式:PPT 文档大小:538.5KB 文档页数:55
一、保险法的概念与构成 二、保险合同的概念、特征与分类 三、保险合同的形式、主体、客体与内容 四、保险合同的订立、变更、转让与终止 五、保险合同的解释原则与争议处理
文档格式:PDF 文档大小:1.7MB 文档页数:11
氧化物弥散强化(Oxide dispersion strengthened,ODS)FeCrAl 合金由于加入一定量的 Al 元素,使合金表面可形成一层薄而致密的 Al2O3 保护膜,使得合金即便在 1400 ℃ 的水蒸汽下也不会因为腐蚀导致失效. 同时,大量超细氧化物粒子的弥散强化作用使其具备优异的高温强度. 这种兼具高温强度和耐腐蚀的特性使得 ODS−FeCrAl 合金成为非常有前景的事故容错燃料(Accident tolerant fuel , ATF)包壳候选材料,也是快堆等其他工作于高温强腐蚀环境的先进反应堆包壳的重要候选材料
文档格式:PDF 文档大小:6.18MB 文档页数:8
传统湿法炼锌工艺采用纯铝板作为阴极,但随着锌精矿品位的降低,电解液中杂质离子含量增大,造成阴极腐蚀消耗增加.本文以铝锰合金为研究对象,研究锰作为添加元素,与铝形成良好铝锰合金阴极材料的电化学行为,进一步提高铝阴极的耐蚀性和电催化活性.采用交流阻抗、阴极极化曲线、恒电流极化曲线、塔菲尔曲线等分析方法,探讨不同Mn元素含量对铝锰合金在40℃恒温条件,Zn2+ 65 g·L-1和H2SO4 150 g·L-1溶液中电化学行为的影响.研究结果表明:相比纯铝电极,添加Mn元素的铝锰合金电极的耐蚀性普遍提高,腐蚀电流均减小;随着Mn含量的增加,腐蚀电流逐步降低,腐蚀电位与Mn含量增加无明显变化规律;当Mn质量分数为1.5%时腐蚀电流达最低(1.11 mA·cm-2),腐蚀电位最小(-1.0954 V);零电势下,表观电流密度i0受Mn元素的添加影响显著,i0随Mn含量增加呈现出先增大后减小的趋势,在Mn质量分数1.5%时达到最大值3.7462×10-16 mA·cm-2,远大于纯铝电极4.8027×10-33 mA·cm-2,整体变化幅度明显,电极的电催化活性得到提高;不同电流密度下的析氢过电位和纯铝电极的整体接近,电化学过程均为电化学传质步骤控制.综合考虑电极材料的耐蚀性和电催化活性,含Mn质量分数1.5%的铝锰合金可作为理想的电积锌阴极使用
文档格式:PDF 文档大小:0.98MB 文档页数:29
组合逻辑电路分析与设计 逻辑函数的标准表示方法 只读存储器 常用组合逻辑电路 组合逻辑电路的竞争与冒险 组合逻辑电路的VHDL描述
文档格式:PPT 文档大小:4.89MB 文档页数:45
4-1 组合体的形体分析 4-2 组合体视图的画法 4-3 组合体的尺寸标注 4-4 看组合体视图的方法
文档格式:PPT 文档大小:546KB 文档页数:40
1.甾体类化合物的基本骨架类型及甾核的稠合方式。 2. 强心苷型: 甲、乙两型强心苷类化合物的骨架特征。 甲、乙型强心苷的显色反应(不饱和内酯环及2-去氧糖的显色反应)。 强心苷的波谱特征,利用UV及NMR特征区别 甲、乙两型强心苷类。 3. 甾体皂苷: 甾体皂苷的主要类型。 四种类型甾体皂苷类化合物的结构特征。 F开环的呋甾烷醇类的特殊性质及显色反应。 甾体皂苷类化合物的理化性质(颜色反应)及波谱特征,根据IR、 1H-NMR及13C-NMR特征识别螺甾的C25异构体;根据波谱的综合信息推测皂苷的结构
首页上页211212213214215216217218下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 9827 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有