采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

针对部分聚类算法对数据输入顺序敏感的问题,定义了不干涉序列指数,提出了应用不干涉序列指数对分类数据进行加权排序的方法,并基于该方法对受数据输入顺序影响的CABOSFV_C分类数据高效聚类算法进行改进,提出了考虑加权排序的聚类算法(CABOSFV_CSW),消除了算法对数据输入顺序的敏感性.采用UCI基准数据集进行实验,发现应用加权升序排序的CABOSFV_CSW算法在处理分类数据时,聚类质量较原始CABOSFV_C算法和其他受数据输入顺序影响的算法在准确性上有改善,在稳定性上有显著提高

• 业务理解 • 数据理解 • 数据质量问题与预处理 • 数据分析常见陷阱 • 数据分析方法的选择 • 数据分析结果的评价 • 数据分析团队的组建 • 数据分析人才培养的难题

一、计算题(每题6分,共12分) 1、解:(t)=acosti+bcostj-csintk-…6分 2、解:切向矢量=(asin2t,2acos2t,-asin)=(a,0,-4分

3.1 均值（Mean）和均值标准误差（S.E.mean） 3.2 中位数（Median） 3.3 众数（Mode） 3.4 全距（Range） 方差（Variance）和标准差 （Standard Deviation） 3.5 四分位数（Quartiles）、十分位数 （Deciles）和百分位数（Percentiles） 3.6 3.7 频数（Frequency） 3.8 峰度（Kurtosis） 3.9 偏度（Skewness） 3.10 标准化Z分数及其线性转换 3.11 探 索 分 析 3.12 交叉列联表分析 3.13 多选项分析 3.14 基本统计分析的报表制作

第一节 差分方程的基本知识 第二节 差分方程常用解法与性质分析 第三节 差分方程建模举例

一、 分布 二、 t分布 三、 F分布

3-2边缘分布 一、边缘分布函数 二、边缘分布律 三、边缘概率密度

隐马尔科夫模型的定义 HMM模型的三个基本问题 EM算法 前向后向算法 鲍姆-韦尔奇算法 维比特算法

上述初值问题的精确解是:是指数衰减的,并趋于稳态解