一、外电场对电偶极子的力矩和取向作用

第一章 静电场 进入 第二章 静电场中的导体和电介质 进入 第三章 稳恒电流 进入 第四章 稳恒磁场 进入 第五章 电磁感应和暂态过程 进入 第六章 磁介质 进入 第八章 麦克斯韦电磁理论和电磁波 进入

§7.1 电场 电场强度 §7.2 电通量 高斯定理 §7.3 电场力的功 电势 §7.4 静电场中的导体和电介质 §7.5 电容 电容器 §7.6 电场的能量

第二章静电场 主要内容 电场强度、电位、介质极化、场方程、边界条件、能量与力 1.电场强度、电通及电场线

第三章静电场的边值问题 主要内容 电位微分方程,镜像法,分离变量法。 1.电位微分方程 已知,电位q与电场强度E的关系为

 1 静电场问题的分类  2 场的唯一性定理  3 镜像法  4 分离变量法

一、孤立导体的电容 1、定义 静电平衡时,孤立导体表面电荷分布由其几何形状唯一确定,带一定电量q的孤 立导体其外部空间的电场E、电势U导亦完全确定。据电势叠加原理,当其电量增加若 干倍时,则U也将增加若干倍,即 q=CU,或C=9 此比例系数C即孤立导体的电容量

一、电荷 、电荷守恒定律 二、库仑定律 三、电场强度与电场 四、电位移、电力线、电通量、高斯定理 五、静电场力作功 六、电势差和电势

1.一个半径为 R 的电介质球 极化强度 P=K 2 r r 电容率为 (1)计算束缚电荷的体密度和面密度 (2)计算自由电荷体密度 (3)计算球外和球内的电势 (4)求该带电介质球产生的静电场总能量

采用静电辅助的气溶胶化学气相沉积的方法成功地在Si(100)衬底上制备了Y2O3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XRP)对薄膜进行了表征.SEM分析结果显示,薄膜的颗粒为纳米级的,并且薄膜致密、平整.AFM分析结果表明,薄膜的粗糙度为11nm.由XPS分析可知,薄膜为基本上符合化学计量比的氧化物.附着力测试表明,Y2O3薄膜与Si衬底的附着力为4.2N.X射线衍射分析结果表明,沉积得到的Y2O3薄膜在热处理前为非晶结构,热处理之后薄膜具有立方晶体结构,并且沿(111)面择优生长