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利用集成电路控制微电机实现了试样在指定时间里的干湿周浸。叙述了周浸仪的线路设计,并用它测定了稀土含量对09CuPTiRE钢耐大气腐蚀性能的影响。发现当稀土含量达0.012%时,稀土能明显地改善钢的耐大气腐蚀性能

微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

(一)课程性质与学习目的 《脉冲与数字电路》课程是髙等学校应用电子技术、机电技术与计算机应用技 术专业的重要技术基础课程,它是具有实践性强、工程性强的特点而且又能自成体 系的课程。 本课程的任务是使学生能对数字电子技术的基本原理、基本知识和基本技能有 全面认识,熟悉数字电路的工作原理、工作特性,掌握数字电路的逻辑分析和设计 方法,具备正确运用数字集成电路的能力,并为后续课程准备必要的基础知识

集成电路的封装方法 双列直插式(DP: Dual In-line- Package) 表面安装封装(SMP: Surface Mounted Package) 球型阵列封装(BGA: Ball Grid Arrag) 芯片尺寸封装(CsP: Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装(LP: Wafer Level CSP) 薄型封装(PtP: Paper Thin Package) 多层薄型封装(Stack PTP) 裸芯片封装(co, Flip chip)

脉冲与数字电路实验的目的是:培养学生掌握脉冲与数字电路的实验技能,掌握集成 电路的使用规则和实验电路的布线方法。要求学生在实验原理指导下,熟悉和掌握常用 中、大规模集成电路的功能和在实际中应用的方法,具备基本电路的设计能力

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将去耦电容直接放在IC封装内可以有效控制EMI并提高信号的完整性,本文从IC内 部封装入手,分析EM的来源、IC封装在EM控制中的作用,进而提出11个有效控制EM 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳EM抑制的性能 现有的系统级EM控制技术包括

它是20世纪80年代初,由美国国防部为其超 高速集成电路 VHS计划提出的硬件描述语言, 它支持硬件的设计、综合、验证和测试。 IEEE于1987年公布了VHDL的标准版本(IEEE STD1076/1987),1993年重新公布了新的标准 (IEEE STD1076-1993)

近年来，随着深亚微米工艺的出现，硅工艺技术将引发一场 TCAD 到 ECAD 的革命。 大家知道，片上系统（system on chip）今天已从概念成为现实。然而，在一个芯片上要嵌入 多种功能并非易事