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作为片内I/O口的基本应用,本章介绍单片机片内I/O口与常见的输入器件(开关、键盘以及拨盘开关等)以及常见的显示输出器件(发光二极管、LED数码管、LCD液晶显示器和微型打印机)的接口设计与编程。 7.1 单片机控制发光二极管的显示 7.1.1 单片机与发光二极管的连接 7.1.2 单片机I/O端口控制发光二极管的编程 7.2 开关状态检测 7.3 单片机控制LED数码管的显示 7.3.1 LED数码管显示原理 7.3.2 LED数码管的显示方式 7.3.3 LED数码管静态显示设计 7.3.4 LED数码管动态显示设计 7.4 单片机控制LED点阵显示器显示 7.4.1 LED点阵显示器结构与显示原理 7.4.2 控制16×16 LED点阵显示屏的设计 7.5 单片机控制LCD 1602液晶显示器的显示 7.5.1 LCD 1602液晶显示模块简介 7.5.2 单片机控制字符型LCD 1602的显示案例 7.6 键盘接口设计 7.6.1 键盘接口设计应解决的问题 7.6.2 独立式键盘的设计 7.6.3 矩阵式键盘的设计 7.6.4 单片机与专用键盘/显示器芯片HD7279的接口设计 7.7 AT89S52单片机与微型打印机TPµP-40A/16A的接口 7.7.1 TPµP-40A/16A微型打印机简介 7.7.2 AT89S52单片机与TPµP-40A/16A的接口设计 7.8 单片机与BCD码拨盘的接口设计
文档格式:PDF 文档大小:423.54KB 文档页数:5
以反浮选法分离细粒径硅钙质磷矿中的石英,获得的P2O5品位和回收率都比正浮选法高,其中P2O5回收率提高了大约40%.在烷基胺盐、醚胺盐和季铵盐三种阳离子捕收剂中,以烷基胺盐捕收剂的反浮选效果最佳,P2O5品位和石英去除率可分别提高到30%和60%以上.酸性介质比碱性介质更有利于提高硅钙质磷矿的品位,在碳酸盐脉石存在的情况下,酸性越强的环境越有利于反浮选分离石英.磷酸比硫酸能更好地调节体系的酸性和抑制磷酸盐矿物,且用量较少.优化的捕收剂用量为0.5~1kg·t-1.三种阳离子捕收剂都在矿石表面发生物理吸附,以烷基胺盐的吸附强度最大,所以其具有较好的浮选性能
文档格式:PDF 文档大小:799.53KB 文档页数:5
通过对连铸板坯生产检验的硫印数据库的统计分析,得到了含铌钒钛微合金化钢连铸板坯中心偏析的影响因素.结果表明:中心偏析程度随钢水中C、P、S含量的增加而加重;Mn质量分数高于1.5%以及锰硫比高于300对改善中心偏析有利;高钢水过热度、高拉速和增加铸坯宽度均不利于改善铸坯中心偏析.由于B级以下中心偏析对钢材使用性能影响不大,因此在生产过程中为使铸坯B-1.0级以上中心偏析出现比率降至10%以下,提出如下控制策略:钢液中C、P、S含量尽量按钢种要求的下限控制,Mn含量尽量按上限控制,实际生产中元素控制[C]1.5%,[Mn]/[S]>300;过热度应小于24℃,拉速控制在1.0~1.1m·min-1为宜.应开发合适的二冷配水制度,并提高铸机精度
文档格式:PDF 文档大小:380.18KB 文档页数:3
针对G-P算法及其改进算法的不足,提出了一种新的改进算法.应用该算法不仅能简化无标度区的确定过程,而且能客观地判断系统的关联维数是否饱和,从而对随机信号和混沌信号加以识别.对新的G-P改进算法进一步分析表明:新的G-P改进算法适用范围广泛,对于混沌信号的识别很有效
文档格式:PPT 文档大小:293KB 文档页数:16
Example 1. 1. The iterative rule po 1 and pk+1= 1.001pk for k=0, 1,..pro- duces a divergent sequence. The first 100 terms look as follows: P1=1.0170=(1.001010001.00100 p2=1011=(1001)(1.0000001 3=1012=(1001)(1.002011.00300 p100=1.0019(1.001)(1.104012)=1.105116
文档格式:PDF 文档大小:767.92KB 文档页数:4
用不同的脉冲电流对P510L钢进行了孕育处理,研究了不同的电脉冲参数对其宏观组织和微观组织的影响.结果表明,将处理过的钢液在空气中冷却,晶粒明显得到了细化、枝晶大大减少,经过电脉冲处理后的P510L钢的珠光体形态发生了显著的变化,片层间距明显缩短
文档格式:PDF 文档大小:430.33KB 文档页数:5
通过分析冷镦钢SCM435在温度为950~1150 ℃、应变速率为0.1~1 s-1范围内发生动态再结晶的热/力模拟试验数据,利用其应变硬化速率θ与流变应力σ的θ-σ曲线,准确确定了其发生动态再结晶的临界应变εc、峰值应变εp、临界应力σc和峰值应力σp,用应力-应变(σ-ε)曲线方法计算SCM435钢的动态再结晶Avrami动力学曲线和时间指数n.结果表明:SCM435钢发生动态再结晶的临界应变与峰值应变的平均比值εc/εp=0.73,动态再结晶Avrami时间指数平均值n=1.91;在温度950~1150℃,应变速率0.1~1s-1范围内,应变速率是SCM435钢的动态再结晶动力学敏感因素,温度对其影响不大;动态再结晶率50%的时间t50与应变速率成反比
文档格式:PDF 文档大小:803.87KB 文档页数:4
为了探索合金元素在TRIP钢相变过程中的重要作用,利用金相、显微硬度等方法研究了四种不同合金成分C-Mn-Al-PTRIP钢的CCT图.结果表明:Al元素强烈地缩小奥氏体相区,提高Ac3与Ms;Al元素促使CCT图左移和上移.P元素能够阻碍碳化物生成,当钢中P质量分数达到0.14%时,能显著地将CCT图中的珠光体区与贝氏体区右移;P元素对铁素体相变和马氏体相变没有显著的影响.结果还显示出随着冷却速率的增加,材料的显微硬度随之增加.对于每一种成分,超过其临界冷却速率时,将得到完全的马氏体组织
文档格式:PDF 文档大小:364.76KB 文档页数:5
研究了在高加速电压的电子束作用下,Cr-C、Ni-P非晶镀层结构的稳定性与其组分的关系,发现在远低于晶化温度的条件下,类金属元素含量越低,晶化程度越大
文档格式:DOC 文档大小:187KB 文档页数:3
(一)选择题: 1. 如图,S1、S2 是两个相干光源,它门到 P 点的距离分别为 r1 和 r2,路径 S1P 垂直穿过一块厚度为 t2 ,折射率为 n1 的介质板,路径 S2, P 垂直穿过厚度为 t2 折射率为 n2 的另一介质板, 其余部分可看作真空,这两条路径的光程差等于
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