SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要。建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段。本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型（Song模型和Massoud经验关系式）以及硅碳排放模型（Si?C emission model）进行系统研究和比较。在此基础上，分析已有模型的优缺点，提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性，为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路

概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分--反应炉,因为它是氧化 、扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设 备

§5-1 纯弯曲 §5-2 纯弯曲时梁横截面上的正应力 §5-3 横力弯曲时的正应力正应力强度计算 §5-4 弯曲剪应力 §5-5 提高弯曲强度的措施

一个数据库应用系统往往涉及到多方面的复杂的 数据信息。例如,在学生管理信息系统中,要涉 及到学生、院系、宿舍、课程、成绩等数据。再 例如,在产品销售数据库中设计到产品、类别、 仓库、销售单、销售明细单等数据。 如何将所涉及到的数据组织存入到数据库中?是 放在一个表中存放还是分放在几个表中存放?每 个表应由哪些属性组成?怎样设计才是科学合理 的呢?

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讲解内容： 1. 图像变换的目的、要求和应用 2. 傅立叶级数、 频谱分析概念及其意义 3.一维、二维连续、离散傅立叶变换定义、性质及其应用 目的： 1. 熟悉二维傅立叶变换定义、性质及其应用； 2. 掌握一维傅立叶变换算法及频谱分析方法