4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

教学目的、要求： 1.掌握BJT的电流分配、放大原理、特性曲线和主要参数； 2.掌握共射、共集电路的组成、工作原理和计算 3.能熟练地利用图解分析法确定静态工作点，掌握工作点的设置与非线性失真的关系； 章节内容： 4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应

§5-1 半导体BJT §5-2 共射极放大电路 §5-3 图解分析法 §5-4 小信号模型分析法 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 §5-6 共集电极电路和共基极电路 §5-7 放大电路的频率响应

金融理论定量分析系指运用理论模型、图解、数值计算、仿真技术以及信息技术和工程方法对金融基本概念、原理进行描述、分析和阐述。本篇收录了可量化的金融理论418条，分为五章。首先讨论了货币金融理论，接下去分别讨论了储蓄投资理论、通货膨胀与通货紧缩理论、国际金融理论和金融市场理论

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