点击切换搜索课件文库搜索结果(338)
文档格式:PDF 文档大小:1.7MB 文档页数:10
通过摩擦磨损、高温硬度及相应的分析试验研究了典型身管用钢32Cr2MoVA、30SiMn2MoVA在室温、200、400以及600℃下的摩擦磨损行为与规律.结果表明:两种材料的摩擦系数在各个温度区间内的区别不大,主要受摩擦氧化物产生与否影响.32Cr2MoVA的磨损率随着温度的提高先降低再提高之后又下降,30SiMn2MoVA的磨损率随着温度的上升而先降低,然后逐渐升高,600℃达到最高.温度、身管钢在高温下的硬度和磨盘材料与滑动销的高温硬度差(Hd-Hp)共同影响磨损表面氧化物层的最终形态.室温至200℃时,身管钢磨损行为主要受表面氧化物层的影响.室温下两种身管钢磨损机理均为黏着磨损及磨粒磨损,200℃时均为氧化轻微磨损.环境温度达到400℃以上时,身管钢以及磨盘材料的基体硬度开始影响磨损行为.400℃时两种身管钢磨损机理均为氧化严重磨损.600℃时,32Cr2MoVA的Hd-Hp减小,磨损表面出现了厚度很大、致密的氧化物层,磨损机理为氧化轻微磨损;而30SiMn2MoVA的Hd-Hp显著增大,试样发生了明显的塑性挤出,为塑性挤出磨损
文档格式:PPT 文档大小:166.5KB 文档页数:45
5.1 供应链与供应链管理 5.2 供应链管理与物流管理 5.3 电子商务下供应链管理中的物流 5.4 供应链管理实务 5.5 我国供应链管理现状及问题
文档格式:PDF 文档大小:675.35KB 文档页数:6
基于套管挤毁的传统理论,从合金设计、织构设计、强韧化机制和管柱设计等方面介绍了宝钢超高抗挤、抗挤抗硫和抗挤耐热等抗挤系列套管的技术特点.以晶粒细化、析出相强化和织构优化等角度研究了套管的抗挤毁机制,提出了抗挤抗硫套管在硫化氢腐蚀介质中的三个阶段的腐蚀行为以及抗挤耐热套管的抗挤强度的预测模型
文档格式:PPT 文档大小:1.59MB 文档页数:126
◼ 计算机的存储系统主要包括内存储器和外存储器。 ◼ 外存储器保存的信息必须进入内存储器后才能被处理器运行。 ◼ 存储器管理是操作系统的主要功能之一。 ◼ 内存管理分为连续管理方式和离散管理方式。 ◼ 6.1 存储器管理概述 ◼ 存储器的层次 ◼ 程序准备执行 ◼ 覆盖技术 ◼ 紧凑技术 ◼ 对换技术 ◼ 6.2 连续存储空间管理 ◼ 6.3 分页式存储管理 ◼ 6.4 分段式存储管理
文档格式:PPT 文档大小:269KB 文档页数:12
一、简单管道水力计算的基本公式 二、简单管道水力计算的基本类型 三、简单管道水力计算特例虹吸管及水泵 四、串联管道的水力计算 五、并联管道的水力计算
文档格式:PPT 文档大小:1.44MB 文档页数:185
• 第一章 物流中心概述 • 第二章 物流中心的采购管理 • 第三章 物流中心的仓储管理 • 第四章 物流中心的运输管理 • 第五章 物流中心的设备管理 • 第六章 物流中心的信息管理 • 第七章 物流中心的成本与绩效管理 • 第八章 物流中心客户服务管理 • 第九章 保税物流中心的管理
文档格式:PPT 文档大小:3.49MB 文档页数:90
左右肝管:左肝管长2.5-4cm,右肝管1-3cm, 直径均为0.3cm。 肝总管:长2~4cm,直径0.4~0.6cm。术中注 意识别副肝管(肝胆管汇合异常)。 胆总管:长7~9cm,直径0.6~0.8cm。在肝十 二指肠韧带右缘,门静脉右前方,肝动脉右侧 下行,70%与胰管汇合成膨大的Vater壶腹, 共同开口于十二指肠乳头,口径约0.9cm,汇 合处有Oddi括约肌围绕,可控制胆汁、胰液的 排出。结石易嵌顿于此
文档格式:PPT 文档大小:2.45MB 文档页数:269
第一章 供应链管理概述 第二章 供应链管理的相关理论 第三章 供应链战略管理 第四章 供应链关系管理 第五章 供应链网络设计与优化 第六章 供应链与采购管理 第七章 供应链与生产管理 第八章 供应链与物流管理 第九章 供应链与信息管理 第十章 供应链与业务流程重组
文档格式:DOC 文档大小:37KB 文档页数:5
第一条保管物 第二条保管场所: 。 第三条保管方法: 。 第四条保管物(是/否)需要采取特殊保管措施。特殊保管措施是:
文档格式:PDF 文档大小:1.16MB 文档页数:10
为了降低硬件开销,越来越多的加法器电路采用传输管逻辑来减少晶体管数量,同时导致阈值损失、性能降低等问题。本文通过对摆幅恢复逻辑与全加器电路的研究,提出一种基于摆幅恢复传输管逻辑(Swing restored pass transistor logic, SRPL)的全加器设计方案。该方案首先分析电路的阈值损失机理,结合晶体管传输高、低电平的特性,提出一种摆幅恢复传输管逻辑的设计方法;然后,采用对称结构设计无延时偏差输出的异或/同或电路,利用MOS管补偿阈值损失的方式,实现异或/同或电路的全摆幅输出;最后,将异或/同或电路融合于全加器结构,结合4T XOR求和电路与改进的传输门进位电路实现摆幅恢复的高性能全加器。在TSMC 65 nm工艺下,本文采用HSPICE仿真验证所设计的逻辑功能,与文献相比延时降低10.8%,功耗延时积(Power-delay product, PDP)减少13.5%以上
首页上页2223242526272829下页末页
热门关键字
搜索一下,找到相关课件或文库资源 338 个  
©2008-现在 cucdc.com 高等教育资讯网 版权所有