外研版（三起）（2012）小学英语五年级下册Module 7 Unit 2 I'll be home at seven o'clock.Module 7 Unit 2 I'll be home at seven o'clock.导学案(2)

醇的分类及命名。 醇的结构特征与物理性质。 醇的化学性质。 O-H的断裂反应-与活泼金属的反应。 C-O的断裂反应-与氢卤酸的反应及与其他 无机酸的反应。 醇的脱水反应。 氧化反应 连羟基多元醇氢氧化铜和过碘酸试剂的反应。 酚的分类和命名。 酚的物理性质。 酚的结构特征。 酚的化学性质： O-H键的反应。 芳环上的取代反应。 醚的分类与命名。 醚的物理性质简介与醚的结构特点。 醚的化学性质： 盐的形成。 醚键的断裂。 过氧化物的生成。 环氧乙烷的活泼性。 第一节： 醇（R-OH） 第二节：酚（Ar-OH） 第三节：醚（R-O-R’）

外研版（三起）（2012）小学英语五年级下册Module 7 Unit 2 I'll be home at seven o'clock.Module 7 Unit 2 I'll be home at seven o'clock.习题

外研版（三起）（2012）小学英语五年级下册Module 7 Unit 2 I'll be home at seven o'clock.Module 7 Unit 2 I'll be home at seven o'clock.习题(1)

进行了西澳超细粒磁铁精矿分别配加国产磁铁精矿和巴西赤铁精矿制备氧化球团矿的实验研究.结果表明，以100%西澳超细磁铁精矿为原料制备氧化球团矿时，球团预热及焙烧性能较差，在预热温度为1050℃、预热时间20 min及焙烧温度1300℃、焙烧时间40 min的条件下，预热球团和焙烧球团矿抗压强度分别为每个502和2313 N.西澳超细粒磁铁精矿配加40%国产磁铁精矿或20%巴西赤铁精矿时，球团适宜预热温度由1050℃分别降低到950和975℃，适宜的焙烧温度由1300℃分别降低到1250和1280℃；而且焙烧球团矿的抗压强度分别提高到每个2746 N和每个2630 N.焙烧球团矿的微观结构研究表明：配加国产磁铁精矿后，焙烧球团矿中Fe2O3晶粒发育优良，晶粒间互联程度提高，晶粒粗大，孔隙率低，固结更加紧密.配加20%巴西赤铁精矿时，焙烧球团矿中Fe2O3晶粒基本连接成片，Fe2O3晶体发育良好.优化配矿是改善西澳超细粒磁铁精矿球团矿预热及焙烧性能的有效途径

第三节碳水化合物与动物营养 一、碳水化合物的存在形成 都由C、H、O三种元素组成,其中H与O原子的比为2:1,与H2O的组成相同,故

Order statistics Select the ith smallest of n elements(the element with rank i i=l: minimum, .i=n: marimum, i=L(n+1)/2]or[(n+1)/2 median Naive algorithm: Sort and index ith element Worst-case running time =o(n Ig n)+o(1 o(nIg n using merge sort or heapsort(not quicksort) c 2001 by Charles E Leiserson

Computer System Operation A modern computer system System boot Interrupt I/O Structure I/O Structure I/O operation DMA Storage Structure and Storage Hierarchy Storage Structure Storage hierarchy Hardware Protection Hardware Protection General System Architecture General System Architecture system call Computing Environments

选用文献报道的14个渣系铁氧化物活度aFetO作为基础实验数据,验证了基于炉渣离子-分子共存理论(IMCT)所定义的铁氧化物综合质量作用浓度NFetO表征炉渣氧化性的可能性和精度.为了得到14个渣系的NFetO,建立了CaO-SiO2-MgO-FeO-Fe2O3-MnO-Al2O3-P2O5渣系的IMCT-Ni模型,其他13个渣系NFetO可由该渣系的IMCT-Ni模型经简化得到.结果表明,铁氧化物综合质量作用浓度NFetO不仅可像活度aFetO一样表征炉渣氧化性,而且比实测aFetO精度更高

1 I/O接口概述 2 I/O接口的编址方式 3 I/O的基本工作方式 4 常用芯片的接口技术