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一、填空题 1.状态函数的特点是:状态函数的变化与途径无关,仅决定于初、终态 2.单相区的纯物质和定组成混合物的自由度数目分别是2和2 3.封闭体系中,温度是7的1mol理想气体从(,V)等温可逆地膨胀到(P,则所做的 功为W=TIn(/,)(以表示)或W=TIn(P,P)(以P表示) 4.封闭体系中的1mol理想气体(已知C),按下列途径由T1、P1和V可逆地变化至P2,则 YP
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The result appears to be trivial, but it is not. Notice that the “velocity increment” ∆V is actually equal to the decrease in orbital velocity. The rocket is pushing forward, but the velocity is decreasing. This is because in a r-2 force field, the kinetic energy is equal in magnitude but of the opposite sign
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6.1 利用 555 定时器芯片构成一个鉴幅电路,实现图题 中, UR1=3.2V, UR2=1.6 V。要求画出电路图,并标明电路中相关的参数值
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第1章绪言 一、是否题 1.孤立体系的热力学能和熵都是一定值。(错△U=0,H=0,但△S,△G和 △A不一定等于0,如一体积等于2V的绝热刚性容器,被一理想的隔板一分为二,左 侧状态是T,P的理想气体,右侧是T温度的真空。当隔板抽去后,由于Q=W=0, △U=0,AT=0,H=0,故体系将在T,2V,0.5P状态下达到平衡, AS=-RIn(0.5P/P)=RIn2,= AH -TAS=RTIn 2, 44=AU-TAS=-RT In2) 2.封闭体系的体积为一常数。(错)
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3-1.51架构与51单片机的内部存储器 3-2.51单片机的程序存储器管理 3-3.51单片机的ROM扩展 3-4.增强型51单片机P89V51RD2的内部ROM
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一、是否题 1.在一定温度T(但T
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4-1.51单片机内部RAM结构 4-2.51单片机的数据存储器管理 4-3.增强型51单片机P89V51RD2的内部RAM 4-4.51单片机的RAM扩展
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LX1系列行程开关适用于交流50H,电压至380V直流电压至 220V的控制电路中,作为控制速度不小于.1米分的运动机构之行程或变 换其运动方向或速度之用
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1.一维散射问题的一般提法 为简单起见,假设 V(+∞)=V(-∞)=0,E>0 所以这时的量子状态是非束缚态,或称散射态。此时的问题不再是求能量本征值(因为E>0的任何值 都可以使方程有单值、有限、连续的解,或者说此时的能量有连续谱),而是求“散射几率”。问题的基 本提法如下
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一、是否题 1.在一定温度T(但T
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