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一、薄膜制备工艺 二、光刻工艺 三、刻蚀工艺(Etch Process) 四、掺杂工艺 五、氧化工艺 六、其它工艺 • CMP(chemical mechanical planarization) • SOI (silicon on insulator) • 铜互连 • 硅片键合与背面腐蚀技术 • 注氧隔离技术(SIMOX) • 智能剥离技术
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3.5多级放大电路 引言 3.5.1多级放大电路的组成及性能指标的估算 3.5.2通用型集成运算放大器的组成及基本特性
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1、直流电源的组成 2、整流电路的结构、原理及性能指标 3、滤波电路的工作原理及性能指标 4、串联稳压电路的工作原理 5、开关稳压电路
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3.2 .1 有源负载共射放大电路的分析 3.2.2 有源负载共集电极电路(射随器)
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8.1 正弦波振荡电路 8.2 电压比较器 8.3 非正弦波发生电路 8.4 利用集成运放实现的信号转换电路 8.5 锁相环及其在电路中的运用
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本章讨论的问题:1.什么是理想运放?指标参数有哪些?2为什么在运算放大电 路中集成运放必须工作在线性区?为什么理想运放工作在线性区时会有虚短和虚断? 3如何判断电路是否是运算电路?有哪些基本运算电路?怎样分析运算电路的运算关系?
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5.1 反馈的基本概念 5.2 负反馈对放大电路性能的影响 5.3 负反馈放大电路的分析计算 5.4 负反馈放大电路的自激振荡
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5.1.1分析图题5.1.1所示电路的功能,列出功能表 5.1.2用基本RS触发器消除手动开关因机械振动而产生的电压、电流波形毛刺的电路如图题5.1.2所示,试画出在按钮开关S由位置A到B有触点振动时,触发器Q、Q端的波形
文档格式:DOC 文档大小:124KB 文档页数:4
一、(1)√理论上可以吧(2)×半导体电量平衡不带电(3)√(4)×集电极 电流少数载流子漂移运动产生(5)√(6)×耗尽型N沟道MOS管的UG将沟道 电阻变小不是影响输入电阻
文档格式:PPT 文档大小:325KB 文档页数:9
5.2集成运放小信号交流放大电路 5.2.1反相交流放大电路 5.2.2同相交流放大电路 5.2.3交流电压跟随器
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