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一、导体的静电平衡条件 二、静电平衡的导体上的电荷分布 三、有导体存在时静电场的分析与计算 四、静电屏蔽
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静电屏蔽 在静电平衡状态下
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亥姆霍兹定理告诉我们:矢量场的散度和旋度决定其性质,因此,静电场的基本方程即为电场的散度、旋度计算式。 一、真空中静电场的散度高斯定理 真空中静电场的散度
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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)场效应管放大电路 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管(自学)
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武警学院:《大学物理学》第八章 静电场的性质与计算(8.6)静电场的环路定理电势能 8.7 电势
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§8-1 Electric Charges Coulomb’s Law 电荷 库仑定律 §8-2 The Electric Field 电场 电场强度 §8-4 Gauss’ Law 高斯定理 §8-5 Electric Potential 静电场的功 电势 §8-3 Electric Field Line and Flux 电力线 电通量 §8-6 Equipotential Surface and Potential Gradient 等势面 电场强度与电势的关系 §8-7 The Electric Force Exerted on a Moving Particle 带电粒子在外电场中的运动
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1.近自由电子模型 近自由电子模型认为:电子在晶体中 要受周围势场的作用,但这个势场的 平均势场是一个很微弱的势场,平均 势场是周期势场U(F)=U(+T),由于U() 很弱,可以用量子力学中的微扰论来 处理,这时 Shodinger方程中的哈密顿 量既有动能又有势能
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4.1 结型场效应管 4.2 绝缘栅场效应管 4.3 场效应管的主要参数 4.4 场效应管的特点 4.5 场效应管放大电路
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3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅场效应管 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管的特点 3.5 场效应管放大电路
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清华大学:《电子技术》课程PPT教学课件(电工学)第十章 半导体器件 10.4 场效应管 第十一章 基本放大电路 11.1.4 场效应管共源极放大电路
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